以創(chuàng)新的保護(hù)方法適應(yīng) ESD保護(hù)界線變化
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XS封裝的架構(gòu)(見圖1)讓接地層一直貫穿于封裝的下面，這表示所有焊盤至裸片的線邦定的長度都相同，使得電感匹配，無須電路板設(shè)計(jì)人員采取任何補(bǔ)償措施。此外，在另一個(gè)確保提供可靠ESD方案的重要因素——動(dòng)態(tài)電阻(RDYN)方面，采用PicoGuard XS架構(gòu)的產(chǎn)品能夠比其他針對(duì)高速差分?jǐn)?shù)據(jù)線路保護(hù)應(yīng)用的傳統(tǒng)穿越型(flow-through)元件表現(xiàn)得更好。本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/187671.htm
圖1 PicoGuard XS與傳統(tǒng)ESD保護(hù)設(shè)計(jì)比較
這種架構(gòu)也省卻了扼流圈的需要或PCB上的走線寬度修改。而且，這種架構(gòu)與電路板堆疊無關(guān)，使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠使用多個(gè)電路板供應(yīng)商的產(chǎn)品，無須為各個(gè)供應(yīng)商的產(chǎn)品進(jìn)行定制阻抗匹配。這種架構(gòu)能夠提供與所涉及PCB層數(shù)、介電厚度及其他布線方面變量無關(guān)的匹配阻抗。
新方法的技術(shù)原理
圖2顯示了標(biāo)準(zhǔn)ESD保護(hù)元件的特征圖。電感元件表示的是源自邦定線和連接至保護(hù)元件的PCB走線的寄生電感。在這種標(biāo)準(zhǔn)元件模型中，電感元件為抵御高轉(zhuǎn)換率(slew rate)ESD沖擊的高阻抗，限制了保護(hù)元件快速吸收ESD能量的能力，使得更多的能量進(jìn)入受保護(hù)的ASIC。
圖2 傳統(tǒng)ESD器件表征
圖3 PicoGuard XS器件表征
作為對(duì)比，PicoGuard XS架構(gòu)的電感元件與連接至受保護(hù)ASIC的導(dǎo)電通道串聯(lián)，如圖3所示。這元件實(shí)際限制沖擊受保護(hù)器件的電流和電壓。首先，ESD沖擊會(huì)出現(xiàn)的連接器端的電感元件L1存在電抗，這電抗的方向與ESD電流方向相反，幫助限制峰值沖擊電壓。然后，ASIC端的電感元件L2的電抗迫使更有限的ESD沖擊電流通過ESD保護(hù)元件分流。與此同時(shí)，這兩個(gè)串聯(lián)元件的電壓降也發(fā)揮作用，降低受保護(hù)ASIC遭受的鉗位電壓。
評(píng)論