三級級聯(lián)的低噪聲放大器的設(shè)計

　　在鏡像頻率附近，增益由無陷波濾波器時的25 dB左右，降到-21.9 dB值附近，對進入LNA的鏡像信號起到一定的抑制作用。表1表明電路在頻段內(nèi)穩(wěn)定度狀況，系數(shù)遠大于1，電路絕對穩(wěn)定。

　　另外，從式(5)可看出陷波濾波器的Q值受電感中的寄生電阻所限制。所以，在CMOS工藝中，電感的特性影響著LNA最后的性能。

　　通過表2可以看到LNA在有陷波濾波器和沒有陷波濾波器兩種情況下的仿真結(jié)果的對比。

　　4 結(jié)語

　　為了達到單片雷達接收機對鏡像抑制度的要求，采用CMOS O.18μm工藝設(shè)計了一個三級級聯(lián)的鏡像抑制LNA。通過在LNA中接入無源限波濾波器，實現(xiàn)對鏡像信號的衰減，從而減小了后端混頻器電路的設(shè)計難度。

　　最后在ADS中對設(shè)計的放大器進行仿真，其結(jié)果為，最大供電電壓為5 V情況下，信號頻段3.0～3.2 GHz，中頻輸出為225 MHz，功率增益≥31 dB，噪聲系數(shù)≤O.5 dB，輸入/輸出1 dB點的功率分別為-19.5 dBm和11.5 dBm，對鏡像信號的抑制度達22 dB。避免了使用片外濾波器，提高了系統(tǒng)的集成度。由于目前的CMOS工藝中，電感的品質(zhì)依然有待提高。單片鏡像抑制LNA要想達到更好的性能，還有待進一步研究。