一種接收前端三級(jí)低噪聲放大器的設(shè)計(jì)

在鏡像頻率附近，增益由無(wú)陷波濾波器時(shí)的25 dB左右，降到-21．9 dB值附近，對(duì)進(jìn)入LNA的鏡像信號(hào)起到一定的抑制作用。表1表明電路在頻段內(nèi)穩(wěn)定度狀況，系數(shù)遠(yuǎn)大于1，電路絕對(duì)穩(wěn)定。
另外，從式(5)可看出陷波濾波器的Q值受電感中的寄生電阻所限制。所以，在CMOS工藝中，電感的特性影響著LNA最后的性能。
通過(guò)表2可以看到LNA在有陷波濾波器和沒(méi)有陷波濾波器兩種情況下的仿真結(jié)果的對(duì)比。

4 結(jié)語(yǔ)
為了達(dá)到單片雷達(dá)接收機(jī)對(duì)鏡像抑制度的要求，采用CMOS O．18μm工藝設(shè)計(jì)了一個(gè)三級(jí)級(jí)聯(lián)的鏡像抑制LNA。通過(guò)在LNA中接入無(wú)源限波濾波器，實(shí)現(xiàn)對(duì)鏡像信號(hào)的衰減，從而減小了后端混頻器電路的設(shè)計(jì)難度。
最后在ADS中對(duì)設(shè)計(jì)的放大器進(jìn)行仿真，其結(jié)果為，最大供電電壓為5 V情況下，信號(hào)頻段3．0～3．2 GHz，中頻輸出為225 MHz，功率增益≥31 dB，噪聲系數(shù)≤O．5 dB，輸入／輸出1 dB點(diǎn)的功率分別為-19．5 dBm和11．5 dBm，對(duì)鏡像信號(hào)的抑制度達(dá)22 dB。避免了使用片外濾波器，提高了系統(tǒng)的集成度。由于目前的CMOS工藝中，電感的品質(zhì)依然有待提高。單片鏡像抑制LNA要想達(dá)到更好的性能，還有待進(jìn)一步研究。