高線性度設(shè)計(jì)的CMOS調(diào)幅電路技術(shù)
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可以看出，在所有管子處于飽和狀態(tài)時(shí)，輸出電流與電源電壓無(wú)關(guān)，表現(xiàn)出對(duì)電源較強(qiáng)的抑制，Vbias可以通過(guò)M17很容易形成電流鏡像，構(gòu)成偏置電路。
CMOS模擬乘法器電路結(jié)構(gòu)
圖4所示為核心電路模擬乘法器。電路中，M1～M8構(gòu)成Vy+、Vx-的輸入衰減器并實(shí)現(xiàn)電平位移，M23～M30構(gòu)成Vx＋Vx-的輸入衰減器并實(shí)現(xiàn)電平位移；M9～M14構(gòu)成第一個(gè)線性壓控源耦對(duì)，M15～M20構(gòu)成第二個(gè)線性壓控源耦對(duì)；M21、M22分別提供源耦對(duì)的偏置電流。在電路工作中的輸出電流IO通過(guò)電阻R1、R2形成電壓雙端信號(hào)輸出。
模擬乘法器仿真結(jié)果
模擬乘法器的各項(xiàng)參數(shù)仿真如圖5、圖6、圖7所示。
圖5中，VY從－4V～+4V，步長(zhǎng)為lV，對(duì)VX進(jìn)行步長(zhǎng)為0.05V的DC掃描。從其直流特性曲線可以看出其線性輸入范圍為±4V，在±4V輸入范圍內(nèi)，非線性誤差小于0.8％，乘法器運(yùn)算誤差小于l％；當(dāng)輸入范圍為±3V，非線性誤差小于0．4％，運(yùn)算誤差小于0.6％；隨著輸入范圍縮小，非線性誤差更小，運(yùn)算誤差也隨之減小。
圖6中上圖為輸入端VY、VX分別為500Hz的正弦波和輸入范圍為0～+4V的調(diào)幅三角波信號(hào)；下圖為經(jīng)過(guò)模擬乘法器乘法運(yùn)算后的輸出時(shí)域波形圖，其調(diào)制后的波形與輸入有著較好的線性度。
圖7為VX、VY均為3.5V(DC)時(shí)對(duì)Vy端的AC掃描。從其頻率特性曲線可以看出-3dB帶寬為8.76MHz。
單端輸出的運(yùn)算電路設(shè)計(jì)
由于R1和R2輸出端為電 流Io引起的電壓變化，要將電流輸出轉(zhuǎn)化成電壓輸出，需要一個(gè)實(shí)現(xiàn)減法的電路，由兩個(gè)運(yùn)算放大器構(gòu)成的差分比例運(yùn)算電路如圖8所示
。
該結(jié)構(gòu)由于輸入端為柵極輸入，所以低頻阻抗非常高，其輸出表達(dá)式為：
可以根據(jù)實(shí)際要求調(diào)節(jié)比例電阻Rf1和Rf2的比值，對(duì)模擬乘法器的輸出電壓進(jìn)行倍增，可以在滿足輸出幅值的情況下進(jìn)一步縮小線性范圍，從而提高輸出與輸入的線性度。 結(jié)語(yǔ)
該文提出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號(hào)與控制電壓成高線性度的集成電路設(shè)計(jì)，并進(jìn)真，并實(shí)現(xiàn)了單端控制，單端輸出電路的控制電路設(shè)計(jì)。最后采用驪山微電子公司3μm P阱工藝模型參數(shù)庫(kù)對(duì)電路參數(shù)進(jìn)行Pspice模擬仿真，研究顯示該電路輸入線性范圍寬，輸出線性度高，值得參考和進(jìn)一步研究。
評(píng)論