利用高邊電流放大器構(gòu)建28V斷路器
利用MAX4373高邊電流檢測(cè)放大器進(jìn)行設(shè)計(jì),電路可工作在高達(dá)28V的電壓范圍。只需一個(gè)通用的NPN晶體管。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/188429.htmMAX4373是一款帶有比較器和基準(zhǔn)的高邊檢流放大器,比較器的閉鎖輸出(COUT1)使得該款器件能夠構(gòu)成電路斷路器(請(qǐng)參考器件數(shù)據(jù)資料的圖2)。但是,數(shù)據(jù)資料給出的電路只適合+2.7V至+5.5V的供電電壓范圍。通過(guò)增加一個(gè)通用的NPN晶體管,即可將電壓范圍擴(kuò)展到28V,如圖1所示。
圖1. 該電路斷路器中,NPN晶體管Q1擴(kuò)展了比較器輸出COUT1的擺幅。
正常工作情況下,漏極開(kāi)路比較器輸出為低電平,允許430µA的標(biāo)稱電流從晶體管的發(fā)射極,通過(guò)R2流入COUT1。相同(近似相同)電流流過(guò)集電極和R1,產(chǎn)生略高于-6.4V的VGS電壓,驅(qū)動(dòng)p溝道MOSFET。
在該設(shè)計(jì)中,斷路器的電流門(mén)限為900mA。由于MAX4373FESA從檢流電阻到輸出能夠提供50V/V的增益,所以選擇了這款器件。當(dāng)900mA電流流過(guò)100mΩ的檢流電阻R6時(shí),產(chǎn)生90mV壓降,該壓降乘以50倍增益,在OUT端得到4.5V電壓。比較器CIN1輸入門(mén)限為600mV,選擇6.5:1電阻分壓網(wǎng)絡(luò)即可得到我們要求的設(shè)定值。R4選擇68kΩ,R5為10kΩ,即可得到936mA的實(shí)際負(fù)載電流門(mén)限,該門(mén)限值足夠接近我們的目標(biāo)值。
當(dāng)負(fù)載電流超過(guò)該門(mén)限時(shí),比較器輸出被鎖存到高阻態(tài)。晶體管進(jìn)入截止區(qū),MOSFET隨之關(guān)斷。故障解除后,可以通過(guò)復(fù)位按鍵將電路恢復(fù)到正常工作模式。
該電路適用于高電壓(本例采用+28V)應(yīng)用,電壓至少為VCC電壓的兩倍。另外,VCC限制在+5.5V最大值,在比較器輸出的限制范圍內(nèi)。電阻R1、R2取值的不同會(huì)引入一定增益,能夠提供更高的MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓,從而降低MOSFET導(dǎo)通電阻的損耗。
該電路對(duì)過(guò)流故障的響應(yīng)時(shí)間大約為100µs (圖2),對(duì)于高出門(mén)限10%的過(guò)流情況,其響應(yīng)特性保持穩(wěn)定(與機(jī)械式熱斷路器不同)。
圖2. 從負(fù)載電流波形可以看出,電流達(dá)到900mA標(biāo)稱門(mén)限的110%時(shí)觸發(fā)圖1所示斷路器,響應(yīng)時(shí)間約為100µs。
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評(píng)論