基于CMOS閾值電壓的基準電路設(shè)計
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式中：VT(TNOM)是標稱溫度下的閾值電壓；KT1是閾值電壓的溫度系數(shù)；KT1l是閾值電壓的溝道調(diào)制系數(shù)；KT2是閾值電壓的襯偏系數(shù)。從該式可以看出，閾值電壓和溫度呈線性關(guān)系。
相反，遷移率盧N與溫度呈非線性的函數(shù)關(guān)系，表達式為：本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/188851.htm
式中：μN(TNOM)為標稱溫度下的遷移率；UTE為μN的溫度系數(shù)，典型值一般在-2．0～-1．5之間。由于遷移率弘N是溫度的非線性函數(shù)，所以很難利用MOS特性產(chǎn)生精確的基準電壓。一種方法是利用晶體管產(chǎn)生PTAT電壓進行補償。但是，PTAT電壓恒定的溫度系數(shù)使得基準電壓只能在一個固定的溫度點上產(chǎn)生零溫度系數(shù)的基準電壓。因此，在該設(shè)計中，為了克服遷移率非線性的影響，通過兩個分別與PMOS和NMOS閾值電壓成正比的電壓相減而進行抵消。
2．2 設(shè)計原理
圖2為該基準電路的設(shè)計原理圖。
如圖2所示，首先產(chǎn)生兩路分別與PMOS和NMOS閾值電壓成正比的電壓VP和VN，通過設(shè)置合理的系數(shù)K1，K2，使得兩者的溫度系數(shù)相抵消，從而得到低溫度系數(shù)或零溫度系數(shù)的基準電壓。產(chǎn)生的基準電壓表達式如式(7)所示：
并且該電壓值可以根據(jù)要求進行設(shè)置。
圖3為該設(shè)計原理的模塊示意圖。模塊1為電壓VP的產(chǎn)生電路；模塊2為電壓VN的產(chǎn)生電路；VP與VN再通過模塊3所示的減法器電路進行相減，使得兩者的溫度系數(shù)相抵消，從而得到零溫度系數(shù)的基準電壓Vref。
2．3 基于PMOS閾值電壓產(chǎn)生VP電路設(shè)計
如圖3中模塊1所示，VP是由PMOS管MP1，MP2產(chǎn)生的一個隨溫度變化的線性電壓。運放A1使MP2的漏極電壓等于Va，通過適當調(diào)整R1和R2阻值，使得MP1工作在飽和區(qū)，MP2工作在線性區(qū)。電路中MP1與MP2形成正反饋，而R1與R2形成負反饋，且負反饋的作用大于正反饋?？梢钥闯?，在產(chǎn)生線性電壓VP的過程中，當VP為0時，流過MP1，MP2電流為0，即存在一個零點。所以增加MOS管MP3作為啟動管，通過給MP3的源端提供一個啟動電壓VST1來使其脫離零點，進入正常工作。當VP=0 V時，MP3導通，并向MP1灌人電流，使得MP1的源極電壓升高，從而運放A1開始工作。當正常工作后，MP3關(guān)斷，降低功耗。由于啟動電壓VST1并沒有精確的要求，所以可以直接從輸入電壓分壓得到。
從圖3中模塊1中分析可以得到，經(jīng)過MP1，MP2的電流分別為：
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