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C波段寬帶低噪聲頻率源的研制

作者: 時間:2009-03-27 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

2.2 主輔環(huán)電路設(shè)計
理論估算帶內(nèi)相噪估算公式(不考慮晶振的相噪):


輔環(huán)的頻率相對要高點(diǎn),為了使系統(tǒng)混頻后噪聲不惡化,獲得較低的相位噪聲,這里選用HMC440鑒相芯片,該芯片屬于模擬鑒相器,由HMC440技術(shù)資料上給出的一153 dBc/

由HMC440可推出鎖相環(huán)芯片相噪為一233 dBe/Hz,由上面式(2)可推出:

其中Kd是鑒相器的鑒相靈敏度,這里HMC440的Kd是0.286 V/rad,Kψ是VCO的壓控靈敏度(rad/V),N是鎖相環(huán)的倍頻倍數(shù)。阻尼系數(shù)ξ為兼顧濾波器的過沖和衰減取0.707~1之間的一個值即可。這樣只要C2取定一個值,就可以同時確定R1,R2。C1的引入主要為濾去鑒相器產(chǎn)生的諧波,其引入的極點(diǎn)應(yīng)遠(yuǎn)離主極點(diǎn),即這樣環(huán)路濾波器就完全確定了。

3 硬件及實(shí)測數(shù)據(jù)

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關(guān)鍵詞: C波段 寬帶 低噪聲 頻率源

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