利用Cadence PCB SI分析特性阻抗變化因素
4.1.2 用圖表表示介電質(zhì)的厚度D1和特性阻抗Z0的關(guān)系
介電質(zhì)厚度D1在0.05~0.15mm范圍內(nèi),以0.01mm間隔使之變化了11點的時候,特性阻抗Z0的變化。
從這個圖表可以看出,介電質(zhì)厚度D1變大,特性阻抗Z0變大。因為參考面與導體的距離變大,導體和參考面間的電容C變小。
4.1.3 用圖表表示讓導線的厚度T和跟特性阻抗Z0的關(guān)系
導線的厚度T在0.03~0.04mm范圍內(nèi),以0.001mm間隔變化了11點的時候,特性阻抗Z0的變化。
從這個圖表可以看出,導線的厚度T變大,特性阻抗Z0一點點變小。導線的厚度T變大的話,與導體間的電容C和導體的電感L也變大,不過,對特性阻抗Z0的影響因為是電容C變大。
4.1.4 用圖表表示跟介電常數(shù)ε1和特性阻抗Z0的關(guān)系
介電常數(shù)ε1在3.5~4.5范圍內(nèi),以0.1間隔變化了11點的時候,特性阻抗Z0的變化。
從這個圖表可以看出,介電常數(shù)ε1變大,特性阻抗Z0變小。因為介電常數(shù)ε1變大,導體和參考面間的電容C變大。
4.1.5 用圖表表示介電常數(shù)ε2和特性阻抗Z0的關(guān)系
介電常數(shù)ε2在1~5范圍內(nèi),以0.5間隔變化了11點的時候,特性阻抗Z0的變化。
從這個圖表可以看出,介電常數(shù)ε2變大,特性阻抗Z0變小。因為介電常數(shù)ε2變大,導體和參考面間的電容C變大。
4.2 差分阻抗和各參數(shù)的關(guān)系
下圖作為標準的層構(gòu)成的時候,計算只做一個參數(shù)變化的時候,差分阻抗的變化。
4.2.1 線間距S和差動阻抗Zdiff的關(guān)系
線間距S在0.12~0.22mm范圍內(nèi),以0.01mm間隔變化了11點的時候,差分阻抗Zdiff的變化。
從這個圖表可以,線間距S變大,差分阻抗Zdiff變大。因為線間距S變大,差分線路間的電容C變小。
4.2.2、導線的厚度T和跟差分阻抗Zdiff的關(guān)系
導線的厚度T在0.03~0.04mm范圍內(nèi),以0.001mm間隔變化了11點的時候,差分阻抗Zdiff的變化。
從這個圖表可以看出,導線的厚度T變大,差分阻抗Zdiff變小。導線的厚度T變大,導體與參考面間和差分線路間的電容C及導體的電感L也變大,對差分阻抗Zdiff的影響是因為是導體和參考面間和差分線路間的電容C變大。同時,與單線比的話,差分線路間產(chǎn)生的電容,也使差分阻抗Zdiff也變大。
4.2.3 介電常數(shù)ε2和差分阻抗Zdiff的關(guān)系
介電常數(shù)ε2在1~5范圍內(nèi),以0.5間隔使之變化了11點的時候,差分阻抗Zdiff的變化。
從這個圖表可以看出,介電常數(shù)ε2變大,差分阻抗Zdiff變小。因為介電常數(shù)ε2變大,導體與參考面間和差分線路間的電容C變大。同時,與單線比的話,差分線路間上產(chǎn)生的電容,也使差分阻抗Zdiff變大。
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