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美國科銳在SiC基片市場上占有較高份額

作者: 時間:2013-11-20 來源:慧聰電子網(wǎng) 收藏

  制造SiC功率元件不可缺少的(晶圓)的品質(zhì)在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸(100mm)的產(chǎn)品,6英寸(150mm)產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷也越來越少。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/192395.htm

  美國(Cree)在市場上占有較高份額,從該公司在SiC國際學會“ICSCRM2013”(2013年9月29日~10月4日于日本宮崎縣舉行)上發(fā)表的內(nèi)容來看,截至2013年,功率元件用6英寸產(chǎn)品的微管密度在1個/cm2以下,平均水平為0.5個/cm2左右,較好時可達到0.01個/cm2。據(jù)估算,采用這種高品質(zhì)6英寸基片制作10mm見方的功率元件時,合格率高達98.7%。

  以直徑為4英寸的基片為例,展示了其基底面位錯(BPD)的密度。據(jù)介紹,4英寸基片的基底面位錯密度為56個/cm2。在基片內(nèi)17%的范圍里,基底面位錯為0個,在78%的范圍里不到5個。

  據(jù)悉,在基底面位錯密度為56個/cm2的4英寸基片上層疊厚度為60μm的外延層時,基底面位錯的密度會降至2個/cm2。

  另外,與原來相比,還可以減少功率元件用的貫通螺旋位錯(TSD)密度。以前裸基片和外延基片(層疊外延層的基片)的貫通螺旋位錯密度分別為955個/cm2和837個/cm2,現(xiàn)在分降至447個/cm2和429個/cm2,減少了約一半。

  不僅是功率元件用SiC基片,科銳還在從事LED用和高頻元件用SiC基片業(yè)務(wù)。LED用基片方面,6英寸產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷密度在2010年為8個/cm2,到2013年已經(jīng)低于2個/cm2。

  高頻元件用基片方面,6英寸產(chǎn)品的微管密度目前為0.14個/cm2。這個水平在制作7mm見方的高頻元件時可實現(xiàn)96.3%的成品率。



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