基于CMOS電路的IDDQ測試電路設(shè)計(jì)
2 測試電路設(shè)計(jì)本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/193506.htm
2.1電路設(shè)計(jì)
圖2所示為CMOS測試電路,其由1個(gè)電流差分放大電路(T2,T3)、2個(gè)鏡像電流源(T1,T2和T3,T4)和1個(gè)反相器(T7,T8)組成。鏡像電流源(T1,T2)用來產(chǎn)生一個(gè)參考電流IREF,電流源(T3,T4)的電流為(IDDQ-IREF),其作用相當(dāng)于一個(gè)電流比較器。IDDQ是被測電路的電源電流。差分放大電路(T2,T3)計(jì)算出參考電流與被測電路異常電流IDDQ的差。參考電流IREF的值設(shè)為被測電路正常工作時(shí)的靜態(tài)電源電流,其取值可通過統(tǒng)計(jì)分析求出。
圖2測試電路
2.2工作模式
測試電路工作于兩種模式:正常工作模式和測試模式。電路使能端E作為管子T0的輸入,用來控制測試電路與被測電路的連接和斷開,即測試電路的工作模式。
在正常工作模式下(E=1),T0導(dǎo)通,IDDQ經(jīng)T0管到地,測試電路與被測電路斷開,被測電路不會(huì)受到測試電路的影響。
在測試模式下(E=0),T0管截止,被測電路的靜態(tài)電流IDDQ與參考電流IREF比較,如果靜態(tài)電流比參考電流大,則電流差分放大電路計(jì)算出差值,反向器的輸出即測試輸出為高電平(邏輯1),表明被測電路存在缺陷。若靜態(tài)電流比參考電流小,反向器輸出即測試輸出為低電平(邏輯0),表明被測電路無缺陷。
2.3不足與改進(jìn)
因?yàn)闇y試電路加在被測電路與地之間,所以會(huì)導(dǎo)致被測電路的性能有所下降。為了消除這種影響,另外加上控制端X。在正常工作模式情況下,X端接地,測試電路與被測電路分離,測試電路對(duì)被測電路無任何影響。在測試模式下,X端懸空,E端接地,T0管截止,測試電路進(jìn)行測試。
在測試模式下,X端懸空,E端接低電平,若電路有缺陷,測試輸出為高電平。但是被測電路輸入跳變時(shí),被測電路無缺陷,也會(huì)產(chǎn)生一較大的動(dòng)態(tài)峰值電流IDDQ。為了避免出現(xiàn)誤判斷,在此種情況下,測試電路應(yīng)輸出為低電平。所以在被測試電路輸入變化后,必須在瞬態(tài)電流達(dá)到穩(wěn)定時(shí)才可進(jìn)行IDDQ測試。
3 結(jié)語
本文所設(shè)計(jì)的IDDQ測試電路由一個(gè)電流差分放大電路、電流源、反相器組成。在正常工作模式下,測試電路與被測電路斷開;在測試模式下,電流差分放大電路計(jì)算出被測電路電流與參考電流的差,反相器輸出是否有缺陷的高低電平信號(hào)。測試電路用了7個(gè)管子和1個(gè)反相器,占用面積小,用PSpice進(jìn)行了晶體管級(jí)模擬,結(jié)果證明了其有效性。IDDQ測試的缺點(diǎn)是隨著特征尺寸的縮小,每個(gè)晶體管閾值漏電流的增加,電路設(shè)計(jì)中門數(shù)的增加,電路總的泄漏電流也在增加,這樣分辨間距會(huì)大大縮小,當(dāng)出再重疊時(shí)就很難進(jìn)行有效的故障檢測和隔離。
但盡管如此,由于IDDQ測試電路的簡易性非常突出,所以它仍然是目前可測性測試技術(shù)的研究熱點(diǎn)。
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