離子注入技術(shù)概述及應(yīng)用實(shí)例

簡述了離子注入技術(shù)的發(fā)展趨勢及典型應(yīng)用，并簡要分析了該領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展方向。

關(guān)鍵詞：離子注入； 發(fā)展趨勢； 典型應(yīng)用
Development and Application of Ionimplantation Technology CHEN Jiang-hong,CHEN Yang,LI Ai-cheng
　　Abstracts:This article discussed development history, trend and typical application of ion implantation technology. And also development direction of this field was analyzed.
Keywords:Ion implantation; Development trend; Typical application
　　微電子工業(yè)發(fā)展的標(biāo)志在于集成電路生產(chǎn)的集成度、線寬、晶片直徑、生產(chǎn)力等。離子注入機(jī)是集成電路生產(chǎn)中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。隨著集成度的提高，注入次數(shù)不斷增加，對離子注入機(jī)的綜合要求也越來越高，可以說正是離子注入機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備的發(fā)展，才促進(jìn)了半導(dǎo)體器件的發(fā)展，而器件的發(fā)展又反過來推動了設(shè)備的發(fā)展。

離子注入技術(shù)是把某種元素的原子電離成離子，并使其在幾十至幾百千伏的電壓下進(jìn)行加速，在獲得較高速度后射入放在真空靶室中的工件材料表面的一種離子束技術(shù)。材料經(jīng)離子注入后，其表面的物理、化學(xué)及機(jī)械性能會發(fā)生顯著的變化。

1 離子注入技術(shù)的發(fā)展趨勢
　　一般來說，制造廠家生產(chǎn)3種類型注入機(jī)：強(qiáng)流注入機(jī)、中束流注入機(jī)和高能注入機(jī)。強(qiáng)流注入機(jī)提供高劑量注入，大束流，且成本低。工作電壓從200eV～120keV，可以注入各種元素，所使用的離子源是燈絲結(jié)構(gòu)，或是抗熱陰極非直接加熱，產(chǎn)生電子和離子。另一種方法是采用ＲＦ射頻源技術(shù)，實(shí)際上是在磁場環(huán)境產(chǎn)生分子激勵，然后產(chǎn)生更高的引出束流和更冷的靜等離子體。傳統(tǒng)的強(qiáng)流注入采用批量工藝降低成本。這要求將13張圓片放在固體鋁盤上，在1000～11200r/min速率下旋轉(zhuǎn)。最近Varian推出了一項(xiàng)處理圓片的新技術(shù)，將圓片風(fēng)險(xiǎn)降至最低。Varian介紹SHC－80圓片，實(shí)質(zhì)上是一個(gè)系列工藝類型，該類型比市場上其他的更迅速、更干凈，只需要批處理系統(tǒng)的小部分部件工作。機(jī)器允許以低廉的成本處理200mm和300mm圓片。
　　高能注入帶來更大的靈活性，同時(shí)提高亞微米器件結(jié)構(gòu)的特性。其優(yōu)點(diǎn)還包括低熱負(fù)荷，IC制作上工藝靈活性強(qiáng)。摻雜面可以修整優(yōu)化滿足不同器件性能要求，具有通道靈活性、熱載生成，結(jié)電容和CMOS閂鎖敏感性。利用高能注入可保證微米層在表面以下生成而不形成任何形式的擾動。使用的技術(shù)類似于200keV下的通用技術(shù)，此時(shí)離子穿透基片更高，在靠近表面的基片背景層無任何擾動。集中尖峰緩慢移動靠近表面，然后形成一道逆行墻。因此高能注入給IC制作帶來更多機(jī)遇。
　　國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展，使得離子注入技術(shù)面臨兩大主要挑戰(zhàn)：
　?。?）形成低泄漏淺結(jié)；（2）以低成本使用MeV注入替代外延，利用低能硼離子束注入技術(shù)獲得高質(zhì)量淺ｐ型結(jié)進(jìn)行注入的分子動態(tài)研究。
　　獲得高質(zhì)量的淺ｐ型結(jié)的最新技術(shù)由Kyoto大學(xué)離子束工程實(shí)驗(yàn)室完成。采用硼化氫的簇離子注入技術(shù)形成淺結(jié)。小的硼束流和單體注入進(jìn)行分子動態(tài)模擬。在最后階段，通過B10簇形成損害可望避免附加B原子瞬態(tài)提高擴(kuò)散，獲得高質(zhì)量淺ｐ型結(jié)。
2 離子注入技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域
2．1 離子注入應(yīng)用于金屬材料改性
離子注入應(yīng)用于金屬材料改性，是在經(jīng)過熱處理或表面鍍膜工藝的金屬材料上，注入一定劑量和能量的離子到金屬材料表面，改變材料表層的化學(xué)成份、物理結(jié)構(gòu)和相態(tài)，從而改變材料的力學(xué)性能、化學(xué)性能和物理性能。具體地說，離子注入能改變材料的聲學(xué)、光學(xué)和超導(dǎo)性能，提高材料的工作硬度、耐磨損性、抗腐蝕性和抗氧化性，最終延長材料工作壽命。離子注入提高工模具的耐磨性能、金屬樣品的抗疲勞性以及金屬表面耐腐蝕性分別列于表1、2、3。

2．2 離子注入機(jī)應(yīng)用于摻雜工藝
在半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，離子注入具有高精度的劑量均勻性和重復(fù)性，可以獲得理想的摻雜濃度和集成度，使電路的集成、速度、成品率和壽命大為提高，成本及功耗降低。這一點(diǎn)不同于化學(xué)氣相淀積，化學(xué)氣相淀積要想獲得理想的參數(shù)，如膜厚和密度，需要調(diào)整設(shè)備設(shè)定參數(shù)，如溫度和氣流速率，是一個(gè)復(fù)雜過程。上個(gè)世紀(jì)70年代要處理簡單一個(gè)的ｎ型金屬氧化物半導(dǎo)體可能只需6～8次注入，而現(xiàn)代嵌入記憶功能的CMOS集成電路可能需要注入達(dá)35次。
技術(shù)應(yīng)用需要劑量和能量跨越幾個(gè)等級，多數(shù)注入情況為：每個(gè)盒子的邊界接近，個(gè)別工藝因設(shè)計(jì)差異有所變化。隨著能量降低，離子劑量通常也會下降。具備經(jīng)濟(jì)產(chǎn)出的最高離子注入劑量是1016/cm2，相當(dāng)于20個(gè)原子層。
2．3 在SOI技術(shù)中的應(yīng)用
由于SOI技術(shù)（Silicon-on-Insulation）在亞微米ULSI低壓低功耗電路和抗輻照電路等方面日益成熟的應(yīng)用，人們對SOI制備技術(shù)進(jìn)行了廣泛探索。
1966年Watanabe和Tooi首先報(bào)道通過O＋注入形成SILF表面的Si氧化物來進(jìn)行器件間的絕緣隔離的可能性。1978年，NTT報(bào)道用這項(xiàng)技術(shù)研制出高速、低功耗的CMOS鏈振蕩電路后，這種注O＋技術(shù)成為眾人注目的新技術(shù)。從而注氧隔離技術(shù)即SIMOX就成了眾多SOI制備技術(shù)中最有前途的大規(guī)模集成電路生產(chǎn)技術(shù)。1983年ＮＴＴ成功運(yùn)用了SIMOX技術(shù)大批生產(chǎn)了COMSBSH集成電路；1986年ＮＴＴ還研制了抗輻射器件。這一切，使得NTT聯(lián)合EATON公司共同開發(fā)了強(qiáng)流氧離子注入機(jī)（束流達(dá)100mA），之后EATON公司生產(chǎn)了一系列NV－200超強(qiáng)流氧離子注入機(jī)，后來Ibis公司也研制了Ibis－1000超強(qiáng)流氧離子注入。從此SIMOX技術(shù)進(jìn)入了大規(guī)模生產(chǎn)年代。到了上世紀(jì)90年代后期，人們在對SIMOX材料的廣泛應(yīng)用進(jìn)行研究的同時(shí)，也發(fā)現(xiàn)了注氧形成的SOI材料存在一些難以克服的缺點(diǎn)，如硅島、缺陷，頂部硅層和氧化層的厚度不均勻等，從而導(dǎo)致了人們開始著眼于注氫和硅片鍵合技術(shù)相結(jié)合的智能剝離技術(shù)即SMART CUT技術(shù)的研制，上世紀(jì)90年代末期，H＋離子注入成了新的熱門話題。目前雖無專門的H＋離子注入機(jī)，但隨著SMART CUT工藝日趨成熟，不久將會出現(xiàn)專門的H＋離子注入機(jī)。
除了半導(dǎo)體生產(chǎn)行業(yè)外，離子注入技術(shù)也廣泛應(yīng)用于金屬、陶瓷、玻璃、復(fù)合物、聚合物、礦物以及植物種子改良上。

3 結(jié)束語
21世紀(jì)微電子行業(yè)將走產(chǎn)業(yè)化道路，目前國內(nèi)需求日益擴(kuò)大。伴隨著器件的發(fā)展，設(shè)備一定要跟上國際發(fā)展趨勢，定好目標(biāo)、打好基礎(chǔ)，努力提高離子注入技術(shù)水平，為微電子行業(yè)產(chǎn)業(yè)化的后續(xù)發(fā)展提供技術(shù)支撐。