晶體管的檢測經(jīng)驗(yàn)
晶體管的放大能力可以用萬用表的hFE檔測量。測量時(shí),應(yīng)先將萬用表置于ADJ檔進(jìn)行調(diào)零后,再撥至hFE檔,將被測晶體管的C、B、E三個(gè)引腳分別插入相應(yīng)的測試插孔中(采用TO-3封裝的大功率晶體管,可將其3個(gè)電極接出3根引線后,再分別與三個(gè)插孔相接),萬用表即會(huì)指示出該管的放大倍數(shù)。
若萬用表無hFE檔,則也可使用萬用表的R×1k檔來估測晶體管放大能力。測量PNP管時(shí),應(yīng)將萬用表的黑表筆接晶體管的發(fā)射極E,紅表筆接晶體管的集電極C,再在晶體管的集電結(jié)(B、C極之間)上并接1只電阻(硅管為100kΩ鍺管為20 kΩ),然后觀察萬用表的阻值變化情況。若萬用表指針擺動(dòng)幅度較大,則說明晶體管的放大能力較強(qiáng)。若萬用表指針不變或擺動(dòng)幅較小,則說明晶體管無放大能力或放大能力較差。
測量NPN管時(shí),應(yīng)將萬用表的黑表筆接晶體管的集電極C,紅表筆接晶體管的發(fā)射極E,在集電結(jié)上并接1只電阻,然后觀察萬用表的阻值變化情況。萬用表指針擺動(dòng)幅度越大,說明晶體管的放大能力越強(qiáng)。
也可以用晶體管直流參數(shù)測試表的hFE/測試功能來測量放大能力。測量時(shí),先將測試表的hFE/ICEO檔置于hFE–100檔或hFE–300檔,選擇晶體管的極性,將晶體管插入測試孔后,按動(dòng)相應(yīng)的hFE鍵,再從表中讀出hFE值即可。
3.反向擊穿電壓的檢測
晶體管的反向擊穿電壓可使用晶體管直流參數(shù)測試表的V(BR)測試功能來測量。測量時(shí),先選擇被測晶體管的極性,然后將晶體管插入測試孔,按動(dòng)相應(yīng)的V(BR)鍵,再從表中讀出反向擊穿電壓值。
對(duì)于反向擊穿電壓低于50V的晶體管,也可用圖5-58中所示的電路進(jìn)行測試。將待測晶體管VT的集電極C、發(fā)射極E與測試電路的A端、B端相連(PNP 管的E極接A點(diǎn),C極接B點(diǎn);NPN管的E有接B點(diǎn),C極接A點(diǎn))后,調(diào)節(jié)電源電壓,當(dāng)發(fā)光二極管LED點(diǎn)亮?xí)r,A、B兩端之間的電壓值即是晶體管的反向擊穿電壓。
(三)特殊晶體管的檢測
1.帶阻尼行輸出管的檢測
用萬用表R×1檔,測量發(fā)射結(jié)(基極B與發(fā)射極E之間)的正、反向電阻值。正常的行輸出管,其發(fā)射結(jié)的正、反向電阻值均較小,只有2050Ω。
用萬用表R×1k檔,測量行輸出管集電結(jié)(基極B與集電極C之間)的正、反向電阻值。正常時(shí),正向電阻值(黑表筆接基極B,紅表筆接集電極C)為 310kΩ,反向電阻值為無窮大。若測得正、反向電阻值均為0或均為無窮大,則說明該管的集電結(jié)已擊穿損壞或開路損壞。
用萬用表R×1k檔,測量行輸出管C、E極內(nèi)部阻尼二極管的正、反向電阻值,正常時(shí)正向電阻值較小(67 kΩ),反向電阻值為無窮大,若測得C、E極之間的正反向電阻值均很小,則是行輸出管C、E極之間短路或阻尼二極管擊穿損壞。若測得C、E極之間的正、反向電阻值均為無窮大,則是阻尼二極管開路損壞。
帶阻尼行輸出管的反向擊穿電壓可以用晶體管直流參數(shù)測試表測量,其方法與普通晶體管相同。
帶阻尼行輸出管的放大能力(交流電流放大系數(shù)β值)不能用萬用表的hFE檔直接測量,因?yàn)槠鋬?nèi)部有阻尼二極管和保護(hù)電阻器。測量時(shí)可在行輸出管的集電極C 與基極B之間并接1只30 kΩ的電位器,然后再將行輸出管各電極與hFE插孔連接。適當(dāng)調(diào)節(jié)電位器的電阻值,并從萬用表上讀出β值。
2.帶阻晶體管的檢測
因帶阻晶體管內(nèi)部含有1只或2只電阻器,故檢測的方法與普通晶體管略有不同。檢測之前應(yīng)先了解管內(nèi)電阻器的阻值。
測量時(shí),將萬用表置于R×1k檔,測量帶阻晶體管集電極C與發(fā)射極E之間的電阻值(測NPN管時(shí),應(yīng)將黑表筆接C極,紅表筆接E極;測PNP管時(shí),應(yīng)將紅表筆接C極,黑表筆接E極),正常時(shí),阻值應(yīng)為無窮大,且在測量的同時(shí),若將帶阻晶體管的基極B與集電極C之間短路后,則應(yīng)有小于50kΩ的電阻值。否則,可確定為晶體管不良。
也可以用測量帶阻晶體管BE極、CB極及CE極之間正、反向電阻值的方法(應(yīng)考慮到內(nèi)含電阻器對(duì)各極間正、反向電阻值的影響)來估測晶體管是否損壞。
3.光敏三極管的檢測
光敏三極管只有集電極C和發(fā)射極E兩個(gè)引腳,基極B為受窗口。通常,較長(或靠近管鍵的一端)的引腳為E極,較短的引腳的C極。達(dá)林頓型光敏三極管封裝缺圓的一側(cè)為C極。
檢測時(shí),先測量光敏三極管的暗電阻:將光敏三極管的受光窗口用黑紙或黑布遮住,再將萬用表置于R×1k檔。紅表筆和黑表筆分別接光敏三極管的兩個(gè)引腳。正常時(shí),正、反向電阻均為無窮大。若測出一定阻值或阻值接近0,則說明該光敏三極管已漏電或已擊穿短路。
測量光敏三極管的亮電阻:在暗電阻測量狀態(tài)下,若將遮擋受光窗口的黑紙或黑布移開,將受光窗口靠近光源,正常時(shí)應(yīng)有1530kΩ的電阻值。則說明光敏三極管已開路損壞或靈敏度偏低。
評(píng)論