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升壓過程中產(chǎn)生的EMI輻射及應(yīng)對(duì)

作者: 時(shí)間:2012-09-21 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

智能時(shí)代的手機(jī)已不僅僅是語音和簡(jiǎn)單的SMS數(shù)據(jù)通訊設(shè)備,現(xiàn)在它已然成為一個(gè)功能超強(qiáng)的個(gè)人移動(dòng)多媒體終端。手機(jī)屏幕的顯示越細(xì)膩,色彩表現(xiàn)越豐富,屏幕尺寸越大,消費(fèi)者的用戶體驗(yàn)則越好。視網(wǎng)膜屏、IPS屏等高清高亮屏大大提高了手機(jī)屏幕的分辨率和色彩表現(xiàn)。智能手機(jī)屏幕的主流尺寸在3.7~4.3寸之間,手機(jī)屏的背光LED數(shù)目和屏的分辨率和屏的亮度有關(guān)--屏的分辨率越高,相同亮度就需要更多背光LED;相同分辨率背光LED數(shù)目越多,屏幕亮度越亮。對(duì)于4.0寸屏而言,一般需要6~8顆背光LED,4.3寸屏需要8~10顆背光LED.

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/200020.htm

電感型背光驅(qū)動(dòng)由于具有LED電流匹配度好、和屏的接口連線少等優(yōu)點(diǎn),而被手機(jī)設(shè)計(jì)人員選做大尺寸的智能手機(jī)背光驅(qū)動(dòng)。但電感型背光驅(qū)動(dòng)容易產(chǎn)生,可能會(huì)對(duì)GSM、GPS或者其他射頻模塊產(chǎn)生干擾而影響射頻靈敏度,嚴(yán)重的會(huì)出現(xiàn)搜不到臺(tái)、掉網(wǎng)等問題。而PCB的地波動(dòng)、射頻模塊同樣也會(huì)產(chǎn)生,也可能引起電感型背光驅(qū)動(dòng)的輸出電流變化,從而出現(xiàn)閃屏的問題。

本文首先分析了電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)的EMI來源,以及上海艾為電子技術(shù)有限公司的電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)芯片如何通過內(nèi)部電路的優(yōu)化設(shè)計(jì),來降低電感產(chǎn)生的EMI輻射和調(diào)光時(shí)VOUT的EMI輻射,并對(duì)PCB設(shè)計(jì)提出了優(yōu)化EMI性能的建議。針對(duì)閃屏,文中分析了閃屏的原因,介紹了上海艾為的第二代電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)恒流恒壓雙反饋環(huán)路、RNS(射頻噪聲抑制)技術(shù)如何減小閃屏的風(fēng)險(xiǎn)。最后,本文介紹了上海艾為的大屏背光產(chǎn)品系列。

升壓中產(chǎn)生的EMI輻射及應(yīng)對(duì)

電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)工作時(shí),電感上的電流是瞬態(tài)快速變化的。變化的電流在電感上會(huì)產(chǎn)生電磁場(chǎng),是電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)的最主要EMI輻射來源。圖1是市面上某款電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)的SW引腳的電壓波形和EMI的測(cè)試結(jié)果。

圖1:某款電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)的SW引腳波形和EMI測(cè)試結(jié)果。

圖1:某款電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)的SW引腳波形和EMI測(cè)試結(jié)果。

圖1紅色實(shí)線是FCC CLASS B的標(biāo)準(zhǔn)線。紅色虛線是-6dB的裕量線,一般要求EMI測(cè)試結(jié)果不超過裕量線。藍(lán)色曲線是此款芯片的實(shí)際EMI測(cè)試結(jié)果--可以看到在100~600MHz有明顯的EMI能量;在300~500MHz頻率段已經(jīng)接近甚至有部分超過了FCC CLASS B的標(biāo)準(zhǔn)線。這將可能對(duì)手機(jī)中的FM、CMMB和射頻模塊產(chǎn)生非常嚴(yán)重的影響。

電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)SW引腳產(chǎn)生的EMI輻射主要有:開關(guān)信號(hào)和電感上電流變化產(chǎn)生的EMI輻射--電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)的工作頻率一般在1MHz附近,開關(guān)信號(hào)和電感上的電流變化產(chǎn)生的EMI輻射頻段主要在10MHz以下;開關(guān)信號(hào)沿產(chǎn)生的EMI輻射--開關(guān)信號(hào)沿的變化在納秒級(jí)范圍,沿越陡,越容易產(chǎn)生振鈴信號(hào)。陡峭的沿和振鈴信號(hào)都會(huì)產(chǎn)生很大分量的高頻EMI輻射(頻段集中在幾百M(fèi)Hz甚至GHz),是影響FM、CMMB和GSM射頻信號(hào)靈敏度的主要EMI來源。

降低高頻的EMI輻射,就要讓開關(guān)信號(hào)的沿變緩,但沿變緩會(huì)使在沿上消耗的功率增加,影響背光驅(qū)動(dòng)的轉(zhuǎn)換效率。所以,EMI輻射的改善和效率的提升是矛盾的,需要相互折中。

圖2是第二代串聯(lián)背光上海艾為的AW9910/AW9920的EMI測(cè)試結(jié)果。為了同時(shí)取得最優(yōu)的EMI性能和轉(zhuǎn)換效率,AW9910/AW9920采用了專利技術(shù)的SW引腳信號(hào)沿斜率可變驅(qū)動(dòng)技術(shù),在信號(hào)沿的初期,驅(qū)動(dòng)能力增強(qiáng),信號(hào)沿的斜率較快,而在信號(hào)沿的末期,驅(qū)動(dòng)能力變?nèi)酰盘?hào)沿的斜率降低,這樣在信號(hào)沿上消耗的功率更小,EMI輻射也更小。從圖2的EMI測(cè)試結(jié)果可以看到,AW9910/AW9920的EMI性能相比圖1最大提高了25dB!

圖2:AW9920STR/DNR的SW引腳波形和EMI測(cè)試結(jié)果。

圖2:AW9920STR/DNR的SW引腳波形和EMI測(cè)試結(jié)果。

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