一起由于電磁干擾造成斷路器誤合閘的事故分析

由于快速瞬變脈沖群的頻率很高，達(dá)到100MHz，此時(shí)光耦器件的高頻等效電路如圖2所示。一般廠家僅給出光耦器件的原、副方之間的電容(圖2中C1)的值，如TLP121光耦器件的電容值為0.8 pF。事實(shí)上，光耦器件的原方與副方接收三極管基極之問存在雜散電容(圖2中C2)。

高頻瞬變騷擾在光耦器件構(gòu)成的開入量輸入回路中傳輸途徑為：幅值極高的瞬變騷擾信號一光耦原方一原方與副方三極管基極之間的電容C2一副

方三極管的基極一集電極一電容C3，C4一大地，致使接收三極管導(dǎo)通，造成光耦器件誤翻轉(zhuǎn)，這就是光耦器件在快速瞬變脈沖群干擾下產(chǎn)生“瞬態(tài)飽和” 的根本原因。

4 改進(jìn)辦法

通過上述分析可以斷定，這次開關(guān)誤合閘是由于電磁十?dāng)_通過光耦元件竄入同期開入同路造成的，雖然具體的干擾源無法確定，但是測控裝置的

同期開入確認(rèn)時(shí)間只有4 ms，這是明 偏短的。另外對測控裝置的同期開入回路做開入電壓測量試驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)，同期CPU板雖然采用24 V作為正常

開入電壓，但是我們外加4 V電壓時(shí)，同期開入就會(huì)動(dòng)作，這個(gè)電壓門檻也明顯偏低。

調(diào)試人員又做過多次遙控合閘和手動(dòng)合閘試驗(yàn)，遙控合閘時(shí)同期開入從動(dòng)作到返回時(shí)間同定為120 ms，這個(gè)時(shí)間是由測控裝置整定的;手動(dòng)合閘

時(shí)同期開入從動(dòng)作到返回時(shí)間就是人為操作6SA合閘過程的持續(xù)時(shí)間，這個(gè)時(shí)問每次都大于200 ms。

為了提高測控裝置同期開入的抗干擾能力，在跟廠家技術(shù)人員共同研究后，決定首先把同期開入動(dòng)作電壓提高至24 V的55%～7()%，然后把同期

開入確認(rèn)時(shí)間調(diào)整為8()ms，保證在同期合閘時(shí)有5()%的裕度。經(jīng)過這樣調(diào)整后，開關(guān)沒有再發(fā)生誤合閘。

5 結(jié)束語

變電站的電磁干擾無處不在，微機(jī)化二次設(shè)備的抗干擾能力是衡量其性能好壞的一個(gè)重要指標(biāo)，因此就要求制造廠家在提高設(shè)備抗干擾方面多做考

慮。硬件方面要選用質(zhì)量好、抗干擾能力強(qiáng)的芯片，軟件方面不能一味追求動(dòng)作速度快，要在速度和可靠性之問找好平衡點(diǎn)。