美國發(fā)明輝鉬憶阻器 或將改變未來半導體領域方向

　　據(jù)美國科學學術網(wǎng)3日報道，美科學家最近使用輝鉬制成了輝鉬基柔性憶阻器，可以用其制造低功耗的超高速存儲與計算芯片，科學學術網(wǎng)認為這一發(fā)明很可能讓半導體芯片世界從“硅時代”跨越到“輝鉬時代”。

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