【E問E答】場效應管mos管vgs電壓過大有什么后果？

　　常遇到MOS管Vgs電壓過大會損壞管子，但是從原理上看，似乎不然呀?

　　當vGS數(shù)值較小，吸引電子的能力不強時，漏——源極之間仍無導電溝道出現(xiàn)，vGS增加時，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當vGS達到某一數(shù)值 時，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個N型薄層，且與兩個N+區(qū)相連通，在漏——源極間形成N型導電溝道，其導電類型與P襯底相反，形成反型層。

　　vGS越大，作用于半導體表面的電場就越強，吸引到P襯底表面的電子就越多，導電溝道越厚，溝道電阻越小。

　　即N溝道MOS管在vGS 

　　只有當vGS≥VT時，才有溝道形成。溝道形成以后，在漏——源極間加上正向電壓vDS，就有漏極電流產(chǎn)生。

　　但是Vgs繼續(xù)加大，比如IRFPS40N60K，

　　Vgs=100V時，

　　Vds=0和Vds=400V，兩種情況下，對管子功能帶來什么影響，若燒壞，原因和內(nèi)部機理過程是怎樣的呢?

　　Vgs增大會減小Rds(on)減小開關(guān)損耗，但是同時會增大Qg，使得開啟損耗變大，影響效率

　　1)MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對Cgs 充電而上升，到達維持電壓Vth，MOSFET 開始導電，

　　2)MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區(qū)間內(nèi)因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電影響不大;

　　Qg=Cgs*Vgs, 但是電荷會持續(xù)積累。

　　3)MOSFET 的DS 電壓降至與Vgs 相同的電壓，Millier 電容大大增加，外部驅(qū)動電壓對Millier 電容進行充電，GS 電容的電壓不變，Millier 電容上電壓增加，而DS電容上的電壓繼續(xù)減小

　　4)MOSFET 的DS 電壓降至飽和導通時的電壓，Millier 電容變小并和GS 電容一起由外部驅(qū)動電壓充電，GS 電容的電壓上升