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Xilinx擴(kuò)大16nm UltraScale+ 產(chǎn)品路線圖為數(shù)據(jù)中心新增加速強(qiáng)化技術(shù)

作者: 時(shí)間:2016-05-27 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  全可編程技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司 (, Inc.)今天宣布擴(kuò)展其16nm ™ 產(chǎn)品路線圖,面向數(shù)據(jù)中心新增加速強(qiáng)化技術(shù)。其成品將可以提供賽靈思業(yè)界領(lǐng)先的16nmFinFET+ FPGA與集成式高帶寬存儲(chǔ)器 (HBA) 的強(qiáng)大組合優(yōu)勢(shì),并支持最近剛剛宣布推出的加速緩存一致性互聯(lián) (CCIX) 技術(shù)。CCIX由7家業(yè)界龍頭企業(yè)聯(lián)合推出,旨在實(shí)現(xiàn)與多處理器架構(gòu)協(xié)同使用的加速架構(gòu)。增強(qiáng)型加速技術(shù)將支持高效的異構(gòu)計(jì)算,致力于滿足數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載最苛刻的要求。新產(chǎn)品在許多其他需要高內(nèi)存帶寬的高計(jì)算強(qiáng)度應(yīng)用中也將得到很好的應(yīng)用。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201605/291836.htm

  基于臺(tái)積 (TSMC)公司業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的 CoWoS 工藝而打造的賽靈思HBMFPGA,可通過提供比分離式存儲(chǔ)器通道高達(dá)10倍的的存儲(chǔ)器帶寬大幅提升加速能力。HBM技術(shù)支持封裝集成的多Tb存儲(chǔ)器帶寬,能最大限度地降低時(shí)延。為進(jìn)一步優(yōu)化數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載,新型CCIX技術(shù)通過讓采用不同指令集架構(gòu)的處理器與賽靈思 HBM FPGA等加速器協(xié)同分享數(shù)據(jù),推動(dòng)高效異構(gòu)計(jì)算。

  賽靈思執(zhí)行副總裁兼可編程產(chǎn)品總經(jīng)理Victor Peng指出:“采用我們第二代3DIC技術(shù)的單個(gè)20nm工藝芯片就已經(jīng)可以達(dá)到190 億個(gè)晶體管,我們現(xiàn)在正在為數(shù)據(jù)中心加速和其他高計(jì)算強(qiáng)度設(shè)計(jì)打造第三代3DIC突破性技術(shù)。一旦這一技術(shù)與新一代CCIX加速架構(gòu)和我們的軟件定義SDAccel™開發(fā)環(huán)境相結(jié)合,將為加速計(jì)算、存儲(chǔ)和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用提供一個(gè)全新的高密度靈活型平臺(tái)。”

  賽靈思已經(jīng)準(zhǔn)備好與業(yè)界領(lǐng)先的超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心客戶聯(lián)手協(xié)作,共同打造最佳配置和產(chǎn)品。



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