3D NAND成半導(dǎo)體業(yè)不景氣救世主

　　韓媒NEWSIS報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對(duì)策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進(jìn)入量產(chǎn)的技術(shù)，在這之前業(yè)界采用的是水平結(jié)構(gòu)，3D垂直堆疊技術(shù)成為克服制程瓶頸的解決方案。

　　3D NAND比20納米級(jí)產(chǎn)品的容量密度高，讀寫速度快，耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲(chǔ)器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小?；谏鲜鰞?yōu)點(diǎn)，對(duì)于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺(tái)的相關(guān)服務(wù)，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技術(shù)。

　　以資訊為主的平臺(tái)服務(wù)常伴隨傳輸大量的資料與數(shù)位內(nèi)容，業(yè)者必須擴(kuò)大對(duì)服務(wù)器的投資，連帶引起儲(chǔ)存存儲(chǔ)器的需求增加，刺激3D NAND的需求成長(zhǎng)，因此半導(dǎo)體業(yè)者開始瞄準(zhǔn)3D NAND市場(chǎng)商機(jī)。

　　除三星之外，SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)等業(yè)者也爭(zhēng)相進(jìn)行3D NAND投資。三星在2013年8月宣布進(jìn)入3D NAND量產(chǎn)，2014年第1季正式于西安工廠投產(chǎn)，從此明顯拉開與同業(yè)的技術(shù)差距。

　　業(yè)界認(rèn)為，三星因積極投資獲得領(lǐng)先對(duì)手3年左右的技術(shù)差距，2016年仍維持積極攻勢(shì)，以強(qiáng)化市場(chǎng)上的領(lǐng)導(dǎo)地位。三星計(jì)劃在5年內(nèi)量產(chǎn)達(dá)1TB等級(jí)的固態(tài)硬碟，近期已推出屬于平價(jià)產(chǎn)品線的750 EVO 500GB SSD，準(zhǔn)備以多種產(chǎn)品策略搶攻市場(chǎng)。

　　相形之下，起步較晚的存儲(chǔ)器業(yè)者長(zhǎng)期遭遇3D NAND制程上的良率問題，業(yè)界認(rèn)為這些業(yè)者在2016年后才可能擴(kuò)大投資。

　　SK海力士正努力縮小與三星的技術(shù)差距，2016年第2季之后3D NAND產(chǎn)線稼動(dòng)，可望降低生產(chǎn)成本，加速追趕三星。業(yè)界認(rèn)為，SK海力士若要提升在3D NAND市場(chǎng)的影響力，除了積極進(jìn)行投資之外，還應(yīng)采行對(duì)國(guó)外業(yè)者的購并策略。

　　美光、英特爾、東芝等業(yè)者的3D NAND產(chǎn)線預(yù)計(jì)在2016年第2季之后正式稼動(dòng)，究竟誰能在趨于白熱化的3D NAND競(jìng)爭(zhēng)之中脫穎而出，成為業(yè)界的觀戰(zhàn)焦點(diǎn)。