關(guān) 閉

新聞中心

EEPW首頁 > 工控自動化 > 業(yè)界動態(tài) > 獨家專訪胡正明:半導(dǎo)體發(fā)展還有一百年的榮景

獨家專訪胡正明:半導(dǎo)體發(fā)展還有一百年的榮景

作者: 時間:2016-06-29 來源:集微網(wǎng) 收藏

  作為整個計算機行業(yè)最重要的定律,一直像神一樣的預(yù)言一步步被驗證,在技術(shù)的演進(jìn)道路上具有指導(dǎo)意義。簡單來說,若想在相同面積的晶圓下生產(chǎn)出同樣規(guī)格的芯片,隨著制程技術(shù)的進(jìn)步,每隔一年半,芯片產(chǎn)出量就可增加一倍,換算為成本,即每隔一年半成本可以降低五成。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201606/293275.htm

  業(yè)界關(guān)于“”時代的終結(jié)正處于積極討論中,因為研究和實驗室的成本需求十分高昂,制程工藝在5nm時將接近的物理極限,很難再縮小下去。抱著這樣的疑問,集微網(wǎng)記者專程奔赴南京,對FinFET技術(shù)發(fā)明人、FD-SOI工藝發(fā)明人、國際微電子學(xué)家胡正明教授進(jìn)行了獨家專訪,希望能為大家答疑解惑。

  物理極限?

  隨著晶體管尺寸的縮小,源極和柵極的溝道不斷縮短,當(dāng)溝道縮短到一定程度的時候,量子隧穿效應(yīng)就會變得極為容易。換言之,就算沒有加電壓,源極和漏極都可以認(rèn)為是互通的,晶體管就失去了本身開關(guān)的作用,沒有辦法實現(xiàn)邏輯電路。從最新的工藝技術(shù)路線圖來看,臺積電的10nm工藝預(yù)計今(2016)年底實現(xiàn)量產(chǎn),7nm將延至2018年量產(chǎn),5nm會成為極限嗎?

  對此,胡正明教授表示,5nm指的是線寬問題,這個數(shù)值未必代表著極限。但就物理極限本身來說,我們要接受“物理極限”的客觀存在,至于會不會是5nm節(jié)點很難說。

  一方面,我們總有辦法將半導(dǎo)體工藝的發(fā)展往前推。

  另一方面,5nm的意義已經(jīng)不夠清晰。

  在以往的技術(shù)中,我們可以通過測量線寬的方式去直觀的理解。但當(dāng)工藝技術(shù)走進(jìn)14nm、10nm、7nm,線寬已然成為了一個標(biāo)簽,到底有多小,是不是真的有條線在那里,會不會有比5更小的值出現(xiàn)我們不知道。但不可否認(rèn)的是,想要把芯片的尺寸做小是有一定極限的,至于誰先跑到極限,這不是我們該思考的問題。

  性能、功耗、成本

  對于半導(dǎo)體從業(yè)人員來說,為什么我們一直密切著關(guān)心尺寸的變化?

  這是因為單單靠著尺寸縮小這一件事,我們就能夠把成本降低,提高性能,改進(jìn)功耗,但是尺寸不會永遠(yuǎn)縮小。我們該通過什么辦法達(dá)到同樣的目標(biāo)呢?

  答案肯定是有的。

  同樣的一塊晶圓上,尺寸變小可以放進(jìn)去更多的晶片。當(dāng)晶片尺寸到達(dá)極限時,怎樣才能放入更多的芯片呢?我們可以選擇向上發(fā)展。

  其實,F(xiàn)inFET技術(shù)除了解決晶體做薄后的漏電問題,它的另一個好處是把晶片的內(nèi)構(gòu)從水平變成垂直,把二維變成三維。這就好比平房變高樓,我們可以在同樣的單位面積上放置更多的晶片。到目前為止,我們?nèi)詻]有好好的利用這一點,我們的Fin(thin-body)可以做的更高一些。

  據(jù)胡正明教授對集微網(wǎng)透露,英特爾已經(jīng)將Fin(thin-body)做到第二代(generation),從30nm到40nm,未來的Fin值還會更高,我們已經(jīng)看到這個趨勢,在這個維度上已經(jīng)有公司走在路上。

  除了將晶體管從二維變成三維,線路是不是也可以從二維變成三維呢?同樣的芯片為什么只能有一層線路?為什么不能夠做一層線路,加一層氧化物后再做一層線路呢?這就需要改變現(xiàn)有的半導(dǎo)體材料的技術(shù)。目前已經(jīng)有專家在將絕緣體/氧化層上加一層單晶的半導(dǎo)體,這是有辦法的,也是我們研究的方向。

  以目前成果來說,把線路層簡單的疊加,只能夠改進(jìn)芯片的性能和功耗,卻做不到成本的降低。在成本支出上,將5-6層的線路疊加的費用上,遠(yuǎn)大于平鋪這些線路時的支出。我們需要想出新的制造方法,在實現(xiàn)芯片性能和功耗改進(jìn)的同時,控制制造成本。

  性能和功耗,就好比同一件事情的兩面性。想要減少功耗,最重要的一點就是將電壓降低。胡正明教授對集微網(wǎng)表示,在這個領(lǐng)域上,我們最近取得了一個突破,通過負(fù)電容晶體管設(shè)計的引進(jìn),會將CMOS的電壓降低至0.4V、0.3V、甚至0.2V。因為負(fù)電容器件(鐵電材料)的引進(jìn),在不同機制下可能會帶來速度限制的問題,但胡正明教授指出到目前為止,它的限制還不會高過半導(dǎo)體晶體管的速度。

  與以往先改善芯片、軟件隨后跟上的發(fā)展趨勢不同,業(yè)界提出了一種新的戰(zhàn)略——“超越”(More than Moore ),將首先看軟件——從手機到超級電腦再到云端的數(shù)據(jù)中心——然后反過來看要支持軟件和應(yīng)用的運行需要什么處理能力的芯片來支持。胡正明教授指出,這是從性能、功耗和成本之外,從增加價值的角度來新增一個維度,“超越摩爾定律”做的就是將半導(dǎo)體的一切向三維的方向發(fā)展。

  胡正明教授表示,半導(dǎo)體的發(fā)展并沒有進(jìn)入尾聲,事實上它還有一百年的榮景在。全世界需要越來越多的智慧器件,除半導(dǎo)體外,目前還看不到有其他技術(shù)能夠提供這些智慧器件。即便在磁和光的方向有突破,我相信新的技術(shù)也會被半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)并購并加以吸收。因為只有半導(dǎo)體有這樣的資本,將新技術(shù)制造、設(shè)計和推廣的能力,小的突破是很容易被大的產(chǎn)業(yè)吸收的。

  特別對于半導(dǎo)體從業(yè)人員,胡正明教授希望大家保持信心,產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步需要我們通過不斷的改進(jìn),過去五十年是這樣走過來的,相信未來五十年也會這樣走下去。



關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 摩爾定律

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉