高隔離度、硅SPDT、非反射開(kāi)關(guān)，9 kHz至13.0 GHz

作者：時(shí)間：2016-08-24 來(lái)源：電子產(chǎn)品世界

加入技術(shù)交流群
- 掃碼加入
  和技術(shù)大咖面對(duì)面交流
  海量資料庫(kù)查詢

　　輸入壓縮點(diǎn)和輸入三階交調(diào)截點(diǎn)

本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/201608/295978.htm

　　圖13. 0.1 dB和1 dB壓縮點(diǎn)與頻率的關(guān)系

　　圖14. 不同溫度下1 dB輸入壓縮點(diǎn)與頻率的關(guān)系

　　圖15. 不同溫度下輸入三階交調(diào)截點(diǎn)(IIP3)與頻率的關(guān)系

　　圖16. 0.1 dB和1 dB輸入壓縮點(diǎn)與頻率的關(guān)系(低頻細(xì)節(jié))

　　圖17. 不同溫度下1 dB輸入壓縮點(diǎn)與頻率的關(guān)系(低頻細(xì)節(jié))

　　圖18. 不同溫度下輸入三階交調(diào)截點(diǎn)(IIP3)與頻率的關(guān)系(低頻細(xì)節(jié))

　　工作原理

　　HMC1118要求將一個(gè)正電源電壓施加于VDD引腳，將一個(gè)副電源電壓施加于VSS引腳。建議在電源線路上連接旁路電容，以將RF耦合降至最低。將一個(gè)正電源電壓施加于VDD引腳而將負(fù)電壓輸入引腳(VSS)接地時(shí)，HMC1118也能工作，不過(guò)輸入功率壓縮和三階交調(diào)截點(diǎn)的性能可能會(huì)降低。

　　HMC1118通過(guò)施加于VCTRL引腳和LS引腳的兩個(gè)數(shù)字控制電壓進(jìn)行控制。建議在這些數(shù)字信號(hào)線上連接一個(gè)小值旁路電容以改善RF信號(hào)隔離性能。

　　HMC1118內(nèi)部匹配RF輸入端口(RFC)和RF輸出端口(RF1和RF2)的50 ?電阻，因而不需要外部匹配元件。 RF1和RF2引腳為直流耦合，若RF電位不等于0 V共模電壓，則RF路徑需要隔直電容。設(shè)計(jì)為雙向，輸入和輸出可以互換。

　　理想的通電序列如下：

　　1. GND上電。

　　2. VDD和VSS上電。相對(duì)順序不重要。

　　3. 數(shù)字控制輸入上電。邏輯控制輸入的相對(duì)順序不重要。數(shù)字控制輸入先于VDD電源上電可能會(huì)導(dǎo)致意外正偏并損害內(nèi)部ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)。

　　4. RF輸入上電。

　　邏輯選擇(LS)用于定義RF路徑選擇的控制輸入邏輯序列。若LS引腳設(shè)為邏輯高電平，則當(dāng)VCTRL為邏輯低電平時(shí)，RFC至RF1路徑導(dǎo)通;當(dāng)VCTRL為邏輯高電平時(shí)，RFC至RF2路徑導(dǎo)通。若LS設(shè)為邏輯低電平，則當(dāng)VCTRL為邏輯高電平時(shí)，RFC至RF1路徑導(dǎo)通;當(dāng)VCTRL為邏輯低電平時(shí)，RFC至RF2路徑導(dǎo)通。

　　根據(jù)施加于LS和VCTRL引腳的邏輯電平，一個(gè)RF輸出端口(例如RF1)設(shè)置為導(dǎo)通模式，插入損耗路徑將輸入提供給輸出。另一個(gè)RF輸出端口(例如RF2)設(shè)置為關(guān)斷模式，輸出與輸入隔離。當(dāng)RF輸出端口(RF1或RF2)處于隔離模式時(shí)，將其內(nèi)部端接到50 ?電阻，端口吸收施加的RF信號(hào)(參見(jiàn)表7)。

　　表7. 開(kāi)關(guān)工作模式

　　應(yīng)用信息

　　評(píng)估PCB

　　利用適當(dāng)?shù)腞F電路設(shè)計(jì)技術(shù)產(chǎn)生本應(yīng)用所用的評(píng)估PCB。 RF端口的信號(hào)線必須具有50 Ω阻抗，封裝接地引腳和背面接地金屬塊必須直接連接到接地層，類(lèi)似圖19中所示。圖19所示評(píng)估板可向ADI公司申請(qǐng)獲得。