高隔離度、硅SPDT、非反射開關,9 kHz至13.0 GHz
產(chǎn)品特性
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201608/295978.htm非反射式50 ?設計
正控制電壓: 0 V/3.3 V
低插入損耗: 0.68 dB (8.0 GHz)
高隔離度: 48 dB (8.0 GHz)
高功率處理
35 dBm(通過路徑)
27 dBm(端接路徑)
高線性度
1 dB壓縮(P1dB): 37 dBm(典型值)
輸入三階交調(diào)截點(IIP3): 62 dBm(典型值)
ESD額定值: 2 kV人體模型(HBM)
3 mm x 3 mm、16引腳LFCSP封裝
無低頻雜散
建立時間(最終RFOUT的0.05 dB裕量): 7.5 µs
應用
測試儀器儀表
微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
軍用無線電、雷達和電子對抗(ECM)
光纖和寬帶電信
功能框圖
概述
HMC1118是一款通用、寬帶、非反射式單刀雙擲(SPDT)開關芯片,采用LFCSP表貼封裝。 該開關頻率范圍為9 kHz至13.0 GHz,具有高隔離度和低插入損耗。 該開關具有48 dB以上的隔離性能,8.0 GHz及以下頻率時的插入損耗為0.68 dB,最終RFOUT的0.05 dB裕量的建立時間為7.5 us。 該開關采用+3.3和0 V的正控制電壓邏輯線路工作,需要+3.3 V和−2.5 V電源供電。 僅施加一個正電源電壓而負電源電壓(VSS)接地時,HMC1118的工作頻率范圍不變,并且仍能保持良好的功率處理性能。 HMC1118采用3 mm × 3 mm表貼LFCSP封裝。
技術規(guī)格
電氣規(guī)格
除非另有說明,VCTRL = 0 V/3.3 V dc,VDD = LS = 3.3 V dc,VSS = −2.5 V dc,TA = 25°C,50 ?系統(tǒng)。
表1
數(shù)字控制電壓
除非領域說明,VDD = 3.3 V ± 10%,VSS = −2.5 V ± 10%,TCASE = −40°C至+85°C。
表2
偏置和電源電流
表3
絕對最大額定值
表4
注意,等于或超出上述絕對最大額定值可能會導致產(chǎn)品永久性損壞。 這只是額定最值,并不能以這些條件或者在任何其它超出本技術規(guī)范操作章節(jié)中所示規(guī)格的條件下,推斷產(chǎn)品能否正常工作。 長期在超出最大額定值條件下工作會影響產(chǎn)品的可靠性。
圖2. 功率減額(通過路徑)
圖3. 功率減額(通過路徑,低頻細節(jié))
圖4. 功率減額(熱切換功率)
ESD警告
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