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富士通半導體推出基于2.7V-5.5V的寬電壓FRAM產(chǎn)品

作者: 時間:2016-09-12 來源:網(wǎng)絡 收藏

上海,2012年10月16日 –(上海)有限公司今日宣布,推出其V系列的又一款新產(chǎn)品MB85RC256V。至今為止,V系列已經(jīng)涵蓋了4Kbit,16Kbit,64Kbit,256Kbit等容量。MB85RC256V是首款可在2.7V-5.5V電壓范圍內工作的,為當今對元器件電壓范圍要求高的領域提供了設計的方便。作為全球領先的非易失性鐵電隨機存取存儲器FRAM供應商,富士通后續(xù)還將根據(jù)市場需求推出更大容量的產(chǎn)品。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201609/304275.htm

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結合了ROM的非易性數(shù)據(jù)存儲性能和RAM的優(yōu)勢,具有幾乎無限次的讀寫次數(shù)、高速讀寫周期和低功耗特點。富士通FRAM產(chǎn)品線具有多種接口和容量,包括工業(yè)標準的串行和并行接口;富士通FRAM產(chǎn)品具備了高速讀寫,高耐久性,低功耗三大特點,使其不同于其他非易失性存儲器。FRAM產(chǎn)品廣泛的應用于儀器儀表,工業(yè)控制,汽車電子,金融POS等各種先進領域,對于這些領域來說FRAM的高速讀寫,高耐久性,低功耗等特性非常重要。

憑借公司內部一體化的開發(fā)和制造流程,富士通可以更加優(yōu)化設計和工廠間的密切合作,這為富士通向客戶穩(wěn)定的提供高質量產(chǎn)品打下了基礎。

富士通FRAM現(xiàn)有產(chǎn)品列表

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MB85RC256V重要參數(shù)

•256Kb 存儲容量,采用32kx 8位結構

•1012次的讀寫次數(shù)

•數(shù)據(jù)保存10年(+85°C)

•2.7V-5.5V工作電壓范圍

串行外設接口-I2C

•4.5V-5.5V,工作頻率達1MHz

•2.7V-4.5V,工作頻率達400KHz

溫度及封裝配置

•-40°C至 +85°C的工業(yè)溫度范圍

•支持3.9mmx5.05mm和5.30mmx5.24mm兩種尺寸的SOP-8封裝

供貨時間

從2012年8月中旬起提供樣品,2012年10月中旬起可以接受批量訂貨。



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