中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)未來50年發(fā)展路線圖

　　(二)固態(tài)硬盤驅(qū)動(dòng)未來Flash需求，路線不同帶來多元競爭

　　Flash Memory屬于非易失性存儲(chǔ)器，產(chǎn)品出現(xiàn)的時(shí)間晚于DRAM，需求驅(qū)動(dòng)主要來自于隨著CPU和內(nèi)存速度持續(xù)提升后，磁盤和光盤的讀寫速度和集成度遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有辦法滿足需求，因此人們開發(fā)以半導(dǎo)體集成電路工藝來制造可以長期保存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)產(chǎn)品。

　　1、起步晚于DRAM，NAND和NOR兩種構(gòu)建延續(xù)至今

　　1967年施敏博士與韓裔美國人姜大元在《貝爾系統(tǒng)科技期刊》發(fā)表了一篇關(guān)于非揮發(fā)性內(nèi)存的論文“浮閘非揮發(fā)性半導(dǎo)體內(nèi)存細(xì)胞元件”第一次闡述了閃存存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的原理技術(shù)。舛岡富士雄博士在1984年于東芝公司工作時(shí)發(fā)明了Flash存儲(chǔ)技術(shù)，1998年，Intel推出第一款商業(yè)性的NORFlash芯片，1989年的國際固態(tài)電路研討會(huì)(ISSCC)上，東芝發(fā)表NANDFlash的芯片結(jié)構(gòu)，NOR和NAND規(guī)格的Flashmemory一直沿用至今。

　　FlashMemory的規(guī)格相較于DRAM簡單，主要為NOR和NAND型兩種，主要區(qū)別在于記憶單元間的內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)。NOR內(nèi)部記憶單元以平行方式連接到比特線，允許個(gè)別讀取與程序化記憶單元。NAND內(nèi)部記憶單元以順序方式連接，只能允許頁訪問。由于NAND的順序連接方式，降低了所需的空間，進(jìn)而降低了產(chǎn)品的成本。

　　Flash Memory的兩種結(jié)構(gòu)多年以來一直延續(xù)，直到2015年美光和Intel提出了3DXPoint。而東芝推出的3DNAND則是在2DNAND的架構(gòu)上在三維空間的堆疊。

　　2、移動(dòng)終端固態(tài)硬盤成為行業(yè)重要推手

　　Flash Memory市場中，NAND產(chǎn)品憑借其在成本方面的優(yōu)勢，占據(jù)的主要的市場份額，2015年全年NAND占到整個(gè)FlashMemory銷售額的90%以上。根據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)，NANDFlash在過去的12個(gè)季度中，銷售收入的走勢也是基本與存儲(chǔ)器市場一致，供過于求的局面導(dǎo)致了產(chǎn)品銷售價(jià)格的下降。

　　我們還可以看到NAND FlashMemory的價(jià)格變動(dòng)趨勢與DRAM類似，在過去的一個(gè)季度中經(jīng)歷了明顯的反彈趨勢，傳統(tǒng)旺季的季節(jié)效應(yīng)推動(dòng)了存儲(chǔ)器產(chǎn)品市場的需求提升，以消費(fèi)電子和移動(dòng)通信設(shè)備為主要終端需求的Flash Memory在市場的本輪補(bǔ)庫存行情中獲得了顯著的訂單增長。

　　從產(chǎn)品的下游應(yīng)用市場看，F(xiàn)lash Memory的主要需求來自于智能手機(jī)和平板電腦的內(nèi)部存儲(chǔ)，以及伴隨著SSD固態(tài)硬盤在個(gè)人電腦和服務(wù)器終端的應(yīng)用推動(dòng)。智能移動(dòng)終端市場方面，隨著運(yùn)算處理器和應(yīng)用程序的復(fù)雜度提升，對于存儲(chǔ)空間的要求持續(xù)增加進(jìn)而推動(dòng)了Flash Memory的需求提升。同時(shí)，SSD固態(tài)硬盤憑借其響應(yīng)速度的優(yōu)勢在個(gè)人電腦和服務(wù)器領(lǐng)域的滲透率持續(xù)提升，也為Flash Memory市場的發(fā)展提供了動(dòng)力。

　　3、競爭格局/產(chǎn)能分布

　　Flash Memory的芯片有NAND和NOR兩種結(jié)構(gòu)方案，盡管應(yīng)用市場廣泛，但是在產(chǎn)品規(guī)格方面的同質(zhì)化特性依然較為明顯，與DRAM類似規(guī)模效應(yīng)帶來的競爭優(yōu)勢也成為新進(jìn)入者的有效壁壘，并且在行業(yè)面臨整合的時(shí)候，規(guī)模較大的企業(yè)生存機(jī)會(huì)更高。根據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，三星、東芝、閃迪、美光、海力士占據(jù)市場前五位，2015年占比分別為32%、19%、15%、15%和11%。

　　從產(chǎn)業(yè)模式看，F(xiàn)lash Memory行業(yè)中代工模式的規(guī)模占比略高于DRAM存儲(chǔ)器，部分8寸晶元代工廠為Flash Memory的廠商提供服務(wù)，但是我們?nèi)匀豢梢躁P(guān)注以IDM模式為主的廠商的產(chǎn)能狀況。

　　由于晶元代工廠商在Flash Memory市場擁有相應(yīng)的生存空間，因此我們可以看到，未來新增加的產(chǎn)能規(guī)模將會(huì)主要集中在包括3D NAND等新產(chǎn)品方面。