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中國半導體存儲行業(yè)未來50年發(fā)展路線圖

作者: 時間:2016-09-21 來源:華金證券 收藏
編者按:存儲器是集成電路產(chǎn)業(yè)的基礎產(chǎn)品之一,產(chǎn)品的成熟度和產(chǎn)業(yè)的規(guī)模效應均較為顯著,而目前中國大陸的企業(yè)在相關領域內(nèi)的份額依然較低,在國家的“芯片國產(chǎn)化”產(chǎn)業(yè)政策的推動下,中央政府和地方政府在產(chǎn)業(yè)內(nèi)的投資助推國內(nèi)存儲器產(chǎn)業(yè)崛起,市場環(huán)境及競爭狀況注定了中國企業(yè)的未來崛起之路任重道遠。

  3、市場供求關系有利國內(nèi)企業(yè)加入競爭格局

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201609/310048.htm

  從市場供求關系的角度看,在經(jīng)過了行業(yè)過去兩年的下行周期后,DRAM和NANDFlash的市場格局均逐步由供過于求的局面轉向了供給略顯不足的趨勢。

  從供給端看,根據(jù)Digitimes的數(shù)據(jù)顯示,DRAM行業(yè)的主要廠商韓國三星和海力士均在2016年不同程度的降低了資本開支計劃,主要的資本投入將會涉及制程節(jié)點的提升而不是產(chǎn)能的直接擴張,美光科技盡管仍然保持了資本開支計劃規(guī)模,但是他們的主要投資方向也是提升技術實力以應對產(chǎn)業(yè)競爭。NANDFlash,包括三星、海力士、美光/英特爾仍然保持了部分的資本開支以期在3DNAND Flash方面保持產(chǎn)能擴張的趨勢。根據(jù)WSTS的預測,2016~2017年,全球DRAM市場的供給增長速度維持在25%左右,而NANDFlash的供給增長則約為45%。

  從需求端看,我們之前的分析中可以看到,DRAM市場需求的主要驅動因素來自于移動智能終端的需求增長,PC端的下滑速度放緩,而隨著IDC等數(shù)據(jù)中心建設的推動,來自服務器端的內(nèi)存需求也將保持穩(wěn)健的成長。

  NAND Flash的需求增長主要來自于移動終端以及固態(tài)硬盤(SSD)對于傳統(tǒng)硬盤的取代趨勢。在蘋果公司的最近產(chǎn)品發(fā)布會上,新款的iPhone7/7Plus最高配置的存儲容量已經(jīng)提升到了256GB,而其他手機廠商的新款手機產(chǎn)品也紛紛提供了更多的存儲空間。


中國半導體存儲行業(yè)未來50年發(fā)展線路圖


  SSD市場來看,根據(jù)iSuppli預測數(shù)據(jù)顯示,2017年全球市場SSD出貨量將會達到2.27億塊,較2012年的3,100萬塊大幅提升732%,年復合增長率接近50%。

  因此,我們預計在未來2年,DRAM需求端市場的出貨量增長速度接近30%,而NANDFlash市場的需求量增速則有望達到50%以上,因此供求關系的角度看,行業(yè)市場正在逐步向賣方市場轉移,而國內(nèi)的產(chǎn)能投資有望獲得有效的市場支持。


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關鍵詞: 半導體 存儲器

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