大陸半導(dǎo)體高階制程布局在28納米暫歇？

　　經(jīng)歷2008年國(guó)際金融危機(jī)，德國(guó)和日本陸續(xù)提出“工業(yè)4.0”、“制造業(yè)白皮書(shū)”等制造業(yè)轉(zhuǎn)型 計(jì)劃，中國(guó)國(guó)務(wù)院日前也提出《中國(guó)制造2025》，期望利用未來(lái)10年的時(shí)間，從“制造業(yè)大國(guó)”轉(zhuǎn)型為“制造業(yè)強(qiáng)國(guó)”，并提出2020年大陸IC內(nèi)需市場(chǎng) 的自制率達(dá)40%、2025年70%的目標(biāo)，在此政策下，也促使臺(tái)積電、聯(lián)電、英特爾(Intel)、三星電子(Samsung Electronics)、GlobalFoundries等紛紛到大陸設(shè)立晶圓代工、NAND Flash等12吋晶圓廠(chǎng)。

　　大陸無(wú)論是自有半導(dǎo)體廠(chǎng)的生產(chǎn)制造能力，或是市場(chǎng)需求的熱度，其實(shí)在55納米和40納米制程都非常成熟且強(qiáng)勁，為了全盤(pán)戰(zhàn)略布局的考量，下一步仍是把28納米視為一個(gè)必須攻掠的關(guān)卡。

　　因 此，中芯與高通(Qualcomm)合作28納米制程，Poly-Sion制程已經(jīng)量產(chǎn)，繼續(xù)力拚HKMG制程;第二家量產(chǎn)28納米制程的大陸本地半導(dǎo)體 廠(chǎng)是華力微電子，與聯(lián)發(fā)科合作，既定的量產(chǎn)時(shí)程是2016年底前，雖不確定是否會(huì)如期，因?yàn)閷?duì)照聯(lián)電、中芯過(guò)去的進(jìn)度也是遞延多年，但華力微進(jìn)入28納米 是遲早的，且即將動(dòng)土興建的第二座12吋晶圓廠(chǎng)也預(yù)計(jì)在2018年量產(chǎn)，從28納米切入。

　　從中芯/?高通、華力微/?聯(lián)發(fā)科這樣的搭配和組合，一人綁一家IC設(shè)計(jì)大廠(chǎng)，來(lái)拉拔28納米制程，就可看出背后有一定的政治意涵。

　　然 而，過(guò)了28納米制程這個(gè)關(guān)卡后，要再往下走，恐沒(méi)有這么的容易了!臺(tái)積電在28納米之后雖有為蘋(píng)果(Apple)量身打造的20納米制程，但算是過(guò)渡制 程，真正具全面競(jìng)爭(zhēng)力的是16納米，也是臺(tái)積電的第一個(gè)FinFET制程技術(shù)。目前不但量產(chǎn)，也推出更具成本競(jìng)爭(zhēng)力的16FFC制程，年底進(jìn)入10納米， 蘋(píng)果、海思、聯(lián)發(fā)科、賽靈思等大客戶(hù)全面到齊。

　　除了臺(tái)積電28納米進(jìn)入第五年還維持70%以上的市占率外，其他的半導(dǎo)體廠(chǎng)光是攻克該制程，就吃足不少苦頭，聯(lián)電2013年就進(jìn)入28納米生產(chǎn)，每年也不缺客戶(hù)支持，但也到了2016年28納米HKMG制程才開(kāi)始大放量。

　　同 樣地，中芯的28納米雖然得到高通大力支持，但也是比預(yù)計(jì)量產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)晚了許久，現(xiàn)在才進(jìn)入poly-Sion制程，還在等待高階的HKMG制程真正大量 起來(lái)，足見(jiàn)要追趕臺(tái)積電的腳步是不容易的，何況現(xiàn)在臺(tái)積電直接去大陸南京設(shè)立最先進(jìn)的16納米生產(chǎn)線(xiàn)，就可以喂飽當(dāng)?shù)氐男酒袌?chǎng)。

　　到 了28納米制程以下，大陸半導(dǎo)體廠(chǎng)會(huì)怎么走?目前中芯已經(jīng)揭露要和華為、高通、比利時(shí)微電子(imec)等公司共同投資成立“中芯國(guó)際集成電路新技術(shù)研發(fā) (上海)有限公司”，開(kāi)發(fā)下一代 CMOS 邏輯制程，以研發(fā)14納米制程世代作為開(kāi)端，該公司的主導(dǎo)權(quán)由中芯國(guó)際掌握，預(yù)計(jì)2020年量產(chǎn)14納米制程。

　　然這個(gè)看似美麗的藍(lán)圖，以及陣容堅(jiān)強(qiáng)的合資公司，是否會(huì)讓中芯如期在2020年量產(chǎn)誕生第一顆大陸本地半導(dǎo)體自研自制的14納米制程芯片?外界仍是有疑慮。

　　多數(shù)業(yè)者認(rèn)為，F(xiàn)inFET制程技術(shù)的難度太高，28納米就延宕多年，14納米制程即使如期2020年量產(chǎn)，臺(tái)積電早已開(kāi)始5納米制程，屆時(shí)的14納米已不再是所謂的先進(jìn)制程了。

　　另 外，有能力做出14納米制程芯片，與可否大量出貨給客戶(hù)，這是不同的層面的問(wèn)題，前者是宣示意義，后者具有實(shí)質(zhì)的營(yíng)收和獲利，一個(gè)是面子，另一個(gè)是面子加 里子。同樣的，在28納米制程上，有28納米制程技術(shù)，與28納米占公司營(yíng)收達(dá)20%以上的水準(zhǔn)，是兩個(gè)層面問(wèn)題，且兩者之間恐要再花上數(shù)年之久。

　　另一個(gè)可觀(guān)察的趨勢(shì)是，這幾年半導(dǎo)體廠(chǎng)在大陸開(kāi)始推FD-SOI技術(shù)，包括三星、GlobalFoundries、意法半導(dǎo)體等，但是，意味著半導(dǎo)體制程走回頭路了。

　　在28納米制程以下，臺(tái)積電、英特爾等大廠(chǎng)都已經(jīng)選擇FinFET制程，因?yàn)镕D-SOI技術(shù)與FinFET技術(shù)相較，相同面積的電晶體密度較低，且效能也比不上，但進(jìn)入門(mén)檻卻是較低，傳出臺(tái)積電內(nèi)部也做過(guò)FD-SOI，但最后仍選擇技術(shù)領(lǐng)先的FinFET技術(shù)。

　　不過(guò)，近期FD-SOI技術(shù)在大陸半導(dǎo)體流行，其實(shí)也可視為FinFET技術(shù)以外的另一個(gè)選擇。不然，投入FinFET技術(shù)一磨至少要3~5年，且能否有成效和回本還是問(wèn)題，又不是每一家半導(dǎo)體廠(chǎng)都有資源可以像中芯國(guó)際一樣，找來(lái)華為等一線(xiàn)大咖組成這種夢(mèng)幻團(tuán)隊(duì)。

　　換 個(gè)角度看，未來(lái)3~5年大陸的內(nèi)需芯片需求，其實(shí)用28納米制程已經(jīng)很夠用了，無(wú)論是物聯(lián)網(wǎng)、車(chē)聯(lián)網(wǎng)、智慧家庭、智慧城市、智慧制造等，從55納米、40 納米再到28納米制程，足以滿(mǎn)足各種的相關(guān)芯片需求，甚至吃遍整個(gè)內(nèi)需市場(chǎng)，并完成2020年大陸IC內(nèi)需市場(chǎng)的自制率達(dá)40%，大陸半導(dǎo)體需不需要這么 快速進(jìn)入FinFET技術(shù)，其實(shí)短期內(nèi)已不具實(shí)質(zhì)意義。