單片機上電清空RAM區(qū)
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編程的基本思想，根據(jù)白皮書（ELAN的官方說明書，咱們習慣的叫法）R0是間接尋址，R4是RAM選擇，根據(jù)這兩個的組合就可以完成操作。具體操作和說明可以參考白皮書。
hint： 根據(jù)我的理解，這里其實可以很簡單的，只需要知道，R4放的是寄存器的地址，R0是放對應的那個寄存器的數(shù)據(jù)，就OK了，例如
MOV A,@0X10
MOV R4,A
MOV A,@0X11
MOV R0,A
根據(jù)hint里面說的，R4放地址，看前兩句，將 0x10移入R4，對了，表示地址，表示 0x10號寄存器，而后面將0x11移入R0，這個就是數(shù)據(jù)，放在什么地方？就是放在當前R4指向的寄存器里面，也就是說 0x10地址放的數(shù)據(jù)是 0x 11，可能開始看有點抽象，不過相信我，那是很簡單的東西。
下面的程序都是按照這種思想來做的 EM78P156 的RAM從 0x10 ～ 0x3f ，如果153的話只有 0x2f，修改一下就行了，而259/260 468 的RAM比較多，ELAN 是以bank來處理的，也就是分頁處理，所以在清空的時候切換一下bank就可以了，關(guān)于bank的操作，看白皮書，說到低就是對R4最高兩位的操作而已。
有問題的話歡迎回帖子，或者發(fā)我郵件 etual@163.com
當然如果有更好的思想，或者我的程序里面犯錯誤的話，非常歡迎大家指出，大家共同討論，共同學習和進步，在下不吝賜教。
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; 適用于 em78p156 & 153
; 如果Em78P153S 將 0x3f 改成 0x2f就可以了
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clear_all_ram:
mov a,@0x10 ; 開始地址
mov r4,a
clr_ram:
clr r0 ; 清空內(nèi)容
inc r4 ; 地址加1
mov a,@0x3f ; 是否達到最大的地址 ，bank最大為0x3f
and a,r4
jbs psw,z
jmp clr_ram ; 是的話推出，不是的話繼續(xù)循環(huán)
ret
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; 適用于 em78p259/260 等只有2個bank的mcu
; 先做一下宏定義,不同的mcu宏定義可能不同，注意修改一下
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;-------------------------macro definition--------------------------
bank0 macro
bc 0x04,6 ; R4 的第六位決定是bank0 還是bank1
endm
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bank1 macro
bs 0x04,6
endm
;----------------------clear rams of all banks----------------------
clear_all_ram:
mov a,@0x10
mov r4,a
bank0
call clr_ram
bank1
call clr_ram
ret
clr_ram:
clr r0
inc r4
mov a,@0x3f
and a,r4
jbs psw,z
jmp clr_ram
mov a,@0x10
mov r4,a
ret
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; 適用于 em78p468 4個bank , 而且本身有bank指令不用宏定義
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;----------------------clear rams of all banks----------------------
clear_all_ram:
mov a,@0x10
mov r4,a
bank 0
call clr_ram
bank 1
call clr_ram
bank 2
call clr_ram
bank 3
call clr_ram
jmp clr_ram_end
clr_ram:
clr r0
inc r4
mov a,@0x3f
and a,r4
jbs psw,z
jmp clr_ram
mov a,@0x10
mov r4,a
clr_ram_end:
ret
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