單片機中程序存儲器與數(shù)據(jù)存儲器

EEPROM和FLASH基本都是非易失性存儲器。EEPROM應屬于數(shù)據(jù)存儲器，但是它制造工藝和FLASH更近似。FLASH是用于存儲程序代碼的，有些場合也可能用它來保存數(shù)據(jù)，當然前提是該單片機的FLASH工藝是可以自寫的（運行中可擦寫），但要注意FLASH的擦寫次數(shù)通常小于一萬次，而且通常FLASH只能按塊擦除。EEPROM不能用來存程序，通常單片機的指令尋址不能到這個區(qū)域。EEPROM的擦寫次數(shù)應有百萬次，而且可以按字節(jié)擦寫。

2.因為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器是獨立編址的，訪問的時候可以采用不同的指令和不同的選通信號來區(qū)分。

第一，單片機采用三總線結(jié)構(gòu)傳遞數(shù)據(jù)。地址總線、數(shù)據(jù)總線、控制總線。傳遞數(shù)據(jù)的過程是先尋址，再傳遞數(shù)據(jù)。即先送一個地址信息(由微處理器向總線寫一個地址信息)，由寄存器（也可能是程序存儲器，也可能是數(shù)據(jù)存儲器）根據(jù)這個地址，把微處理器要讀取的數(shù)據(jù)寫到總線上，微處理器再讀取這個數(shù)據(jù)。整個過程由控制總線控制。所以每次讀的數(shù)據(jù)是針對那個地址對應的寄存器操作的，不會發(fā)生混亂。寫數(shù)據(jù)時一樣，先尋址，再寫數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)就寫入剛才尋址時的地址對應的那個寄存器里去了。 第二、程序存儲器、數(shù)據(jù)存儲器有不同的選通信號，在一個指令周期里，是不同的時間選通的，所以不會混亂。 第三。選通的引腳不同。拿片外數(shù)據(jù)存儲器來說，是P3的第6和第7引腳做選通信號，程序存儲器是PSEN做選通信號，他們接在各自器件的選通引腳上，所以不會混亂。 第四，指令不同。拿匯編指令來說。MOV是程序存儲器傳遞數(shù)據(jù)用，MOVX是數(shù)據(jù)存儲器傳遞數(shù)據(jù)用（對片外而言）。 總之，記住三總線傳遞的方式，先尋址，再傳數(shù)，由控制總線控制，這個模式，你就容易理解這個了。 單片機的p2和p0分別傳遞地址的高八位和低八位。同時p0還傳遞數(shù)據(jù)。在時序信號的ALE高電平期間，鎖定地址信息。/PSEN是選通程序存儲器的。在/PSEN低電平期間是向程序存儲器傳遞程序代碼，/WR和/RD是選通數(shù)據(jù)存儲器的，即在/WR和/RD（p3的六腳和七腳）低電平期間把數(shù)據(jù)傳遞給數(shù)據(jù)寄存器。而/PSEN和/WR及/RD是在不同時間變?yōu)榈碗娖降?，沒有重疊的部分。也就是說，當/WR及/RD變成低電平時，/PSEN已經(jīng)恢復高電平了，由P0口傳出的數(shù)據(jù)信息當然只會傳到數(shù)據(jù)存儲器里，因為程序存儲器已經(jīng)不再處于選通狀態(tài)了?。谋砻婵?，都是從p0口傳出的，但因為選通器件的時間不同而不會發(fā)生混亂。當然我說的是片外程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器的的情況，其實對片內(nèi)也一樣，還是三總線的這種控制方式，使它們在不同的時間被選通，而不至于發(fā)生沖突。 看看單片機的一個電路圖。你會發(fā)現(xiàn)p0既跟74LS373連，又跟8155或8255或鍵盤或數(shù)模轉(zhuǎn)換器等等連。而8155或8255或鍵盤或數(shù)模轉(zhuǎn)換器等等對單片機而言是當做數(shù)據(jù)存儲器處理的。74LS373連的多半是程序存儲器。那么p0送出的信號不是兩者都接受了嗎？注意看ALE接74LS373的G接口，鎖存地址用，PSEN有時用有時不用。WR和RD接數(shù)據(jù)存儲器的選通接口。因為WR和RD跟ALE的信號在時間上沒有重疊部分，所以p0的信號不會被程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器同時收到。