STM32的幾個(gè)注意事項(xiàng)

2、VDDA、VSSA 之間并一個(gè) 10nF 電容 加 1μF 電容；VREF±間使用同樣方式。

3、在上電和正常操作期間，VDD和VDDA之間最多允許有300mV的差別(3.3V出兩路，一路供 VDD，另外一路過(guò)基準(zhǔn)供 VDDA，只要電壓差小于 300mV 就可以)；VREF+ 最小值 2.4V，最大值 VDDA

4、關(guān)于復(fù)位：當(dāng)VDD/VDDA低于指定的限位電壓VPOR/VPDR時(shí)，系統(tǒng)保持為復(fù)位狀態(tài)，無(wú)需外部復(fù)位電路。NRST 腳內(nèi)部弱上拉(30~50kΩ)，和 VDD(不是VDDA) 相連。建議的引腳保護(hù)：使用 1μF 電容和地相連。

5、RTC 晶振選擇：負(fù)載電容是 6p 的晶振！價(jià)格要貴些，沒(méi)辦法，只能用這個(gè)，否則不是不起振，就是偏差大，要么稍微有點(diǎn)干擾就停振。STM32 的 RTC 其實(shí)很穩(wěn)定，沒(méi)有任何問(wèn)題，但要選對(duì)了晶振。串聯(lián)的電容有公式，負(fù)載電容 CL 由下式計(jì)算：CL = CL1 x CL2 / (CL1 + CL2) + Cstray，其中 Cstray 是引腳的電容和 PCB 板或 PCB 相關(guān)的電容，它的典型值是介于2pF至7pF之間。CL1 和 CL2 一般選兩個(gè) 10p 的。

6、電池備份區(qū)：手冊(cè)上明確寫(xiě)明：當(dāng)VDD斷電時(shí)，可以保存?zhèn)浞菁拇嫫鞯膬?nèi)容和維持RTC的功能。在VDD上升階段(tRSTTEMPO)或者探測(cè)到PVD之后，VBAT和VDD之間的電源開(kāi)關(guān)仍會(huì)保持連接在VBAT。在VDD上升階段，如果VDD在小于tRSTTEMPO的時(shí)間內(nèi)達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)(關(guān)于tRSTTEMPO可參考數(shù)據(jù)手冊(cè)中的相關(guān)部分)，且VDD > VBAT + 0.6V時(shí)，電流可能通過(guò)VDD和VBAT之間的內(nèi)部二極管注入到VBAT。

　　如果與VBAT連接的電源或者電池不能承受這樣的注入電流，強(qiáng)烈建議在外部VBAT和電源之間連接一個(gè)低壓降二極管。如果在應(yīng)用中沒(méi)有外部電池，建議VBAT在外部通過(guò)一個(gè)100nF的陶瓷電容與VDD相連。