STM8 存儲FLASH、EEPROM、存儲保護

STM8內(nèi)部的FLASH程序存儲器和數(shù)據(jù)EEPROM由一組通用寄存器來控制。用戶可以使用這些寄存器來編程或擦除存儲器的內(nèi)容、設(shè)置寫保護、或者配置特定的低功耗模式。用戶也可以對器件的選項字節(jié)(Option byte)進行編程。

• STM8S EEPROM分為兩個存儲器陣列：
  • 最多至 128K字節(jié)的FLASH程序存儲器，不同的器件容量有所不同。請參考4.4存儲器組織結(jié)構(gòu)了解更多細節(jié)。
  • 最多至 2K字節(jié)的數(shù)據(jù)EEPROM(包括option byte－選擇字節(jié))，不同的器件容量有所不同。請參考4.4存儲器組織結(jié)構(gòu)了解更多細節(jié)。
• 編程模式
  • 字節(jié)編程和自動快速字節(jié)編程(沒有擦除操作)
  • 字編程
  • 塊編程和快速塊編程(沒有擦除操作)
  • 在編程/擦除操作結(jié)束時和發(fā)生非法編程操作時產(chǎn)生中斷
• 讀同時寫(RWW)功能。該特性并不是所有STM8S器件都擁有。請參考ATM8具體的數(shù)據(jù)手冊了解更多細節(jié)。
• 在應(yīng)用編程(IAP)和在線編程(ICP)能力。
• 保護特性
  • 存儲器讀保護(ROP)
  • 基于存儲器存取安全系統(tǒng)(MASS密鑰)的程序存儲器寫保護
  • 基于存儲器存取安全系統(tǒng)(MASS密鑰)的數(shù)據(jù)存儲器寫保護
  • 可編程的用戶啟動代碼區(qū)域(UBC)寫保護
• 在待機(Halt)模式和活躍待機(Active-halt)模式下，存儲器可配置為運行狀態(tài)和掉電狀態(tài)。

存儲器組織結(jié)構(gòu)

STM8S的EEPROM以32位字長(每字4字節(jié))為基礎(chǔ)組織起來。根據(jù)不同的器件，存儲器組織機 構(gòu)有所不同：

• 小容量STM8S器件
  • 8K FLASH程序存儲器，每頁 64字節(jié)，共 128頁
  • 640字節(jié)數(shù)據(jù) EEPROM，每頁 64字節(jié)，共 10頁。數(shù)據(jù) EEPROM包括一頁的選項字節(jié)(64字節(jié))。
• 中容量STM8S器件
  • 從 16K到 32K FLASH程序存儲器，每頁 512字節(jié)，最多 64頁
  • 1K字節(jié)數(shù)據(jù)EEPROM，每頁 512字節(jié)，共 2頁。數(shù)據(jù) EEPROM包括一頁的選項字節(jié)(512字節(jié))。
• 大容量STM8S器件
  • 從 64K到 128K FLASH程序存儲器，每頁 512字節(jié)，最多 256頁
  • 從 1K到 2K字節(jié)數(shù)據(jù) EEPROM，每頁 512字節(jié)，共 4頁。數(shù)據(jù) EEPROM包括一頁的選項字節(jié)(512字節(jié))。

頁的大小定義了用戶啟動代碼區(qū)域(UBC)大小的最小可調(diào)整值。請參考4.4.1用戶啟動區(qū)域 (UBC)。 圖3和圖4展示了STM8S系列FLASH存儲器和數(shù)據(jù)EEPROM的組織機構(gòu)。

用戶啟動區(qū)域(UBC)

用戶啟動區(qū)域(UBC)包含有復(fù)位和中斷向量表，它可用于存儲IAP及通訊程序。UBC有一個兩級保護結(jié)構(gòu)可保護用戶代碼及數(shù)據(jù)在IAP編程中免于無意的擦除或修改。這意味著該區(qū)域總是寫保護的，而且寫保護不能通過使用MASS密鑰來解鎖。

在ICP模式下(使用SWIM接口)可以通過修改選項字節(jié)來配置UBC的大小。UBC選項字節(jié)指定了分配在UBC中的頁的數(shù)量。UBC區(qū)域的起始地址是0x00 8000。 可以通過讀取UBC選項字節(jié)來獲得UBC區(qū)域的大小。請參考圖6，圖7和圖8來了解UBC區(qū)域的存儲器映射。對于選項字節(jié)部分，請參考相應(yīng)的數(shù)據(jù)手冊了解更多的UBC選項字節(jié)的細節(jié)。

1. UBC[7:0]=0x00意味著沒有定義用戶啟動區(qū)域。請參考相應(yīng)的數(shù)據(jù)手冊了解UBC選項字節(jié)的細節(jié)。
2. 頭兩頁(1K字節(jié))包含中斷向量表。中斷向量表只占用128字節(jié)(32個中斷向量)。