S3C6410存儲(chǔ)映射深入理解
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(3)靜態(tài)內(nèi)存區(qū)物理地址為0x10000000~0x3fffffff,共6*128MB。這個(gè)區(qū)域用于訪問(wèn)掛在外部總線上的設(shè)備,比如說(shuō)SRAM、NOR flash、oneNand等。這個(gè)區(qū)域被分割為6個(gè)bank,每個(gè)bank為128MB,數(shù)據(jù)寬度最大支持16bit,每個(gè)bank通過(guò) Xm0CS[5:0]來(lái)劃定。和S3C2410 不一樣的是,bank2~bank5能映射到nand flash、CF等非線性存儲(chǔ)器,這并不是說(shuō)可以通過(guò)bank2~bank5的地址段就能直接訪問(wèn)nand flash、CF內(nèi)部的地址,相反,當(dāng)映射到這些器件的時(shí)候這些bank的地址也不能再使用了,訪問(wèn)這些非線性存儲(chǔ)器還是得通過(guò)Pheriperal空間的AHB總線進(jìn)行,和S3C2410中的訪問(wèn)方式是一樣的。不過(guò)有一個(gè)特例是,當(dāng)Xm0CS2被映射到nand flash的時(shí)候,Steppingstone的SRAM被映射到bank2開始的4KB,而在以nand flash方式啟動(dòng)的時(shí)候bank2被映射到0x00000000開始的地方,實(shí)際上就是把Steppingstone映射到0x0000000了,這和 S3C2410的情況還是相似的。
(4)動(dòng)態(tài)內(nèi)存區(qū)物理地址為0x40000000~0x6fffffff,共3*256MB。其中第一個(gè)256MB為保留區(qū),實(shí)際使用的動(dòng)態(tài)內(nèi)存區(qū)為 0x50000000~0x6fffffff,又分為2個(gè)區(qū)間,分別占256MB,可以通過(guò)DMC的Xm1CS[1:0]來(lái)進(jìn)行著2個(gè)區(qū)間的選擇。這個(gè)內(nèi)存區(qū)主要是擴(kuò)展DRAM,最大可以擴(kuò)展512MB的DRAM。
2.Pheriperal外設(shè)區(qū)域通過(guò)PERI 總線被訪問(wèn),它的地址范圍是0x7000_0000~0x7FFF_FFFF。這個(gè)地址范圍的所有的SFR能被訪問(wèn)。而且如果數(shù)據(jù)需要從NFCON或CFCON 傳輸,這些數(shù)據(jù)需要通過(guò)PERI總線傳輸。
特殊設(shè)備地址空間:
評(píng)論