SDRAM工作原理及S3C2410 SDRAM控制器配置方法

1.SDRAM的工作原理。
2.HY57V561620 SDRAM介紹。
3.S3C2410和HY57V561620的接線(xiàn)方法。
4.S3C2410 SDRAM控制器的配置方法。
5.SDRAM控制時(shí)序分析

這5個(gè)方面來(lái)幫助初學(xué)者了解SDRAM。文章分為2篇，第1篇講解前3個(gè)知識(shí)點(diǎn)，第2篇講解后2個(gè)。

一、SDRAM的工作原理

SDRAM之所以成為DRARM就是因?yàn)樗粩噙M(jìn)行刷新（Refresh）才能保留住數(shù)據(jù)，因此它是DRAM最重要的操作。

那么要隔多長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)一次刷新呢？目前公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)是，存儲(chǔ)體中電容的數(shù)據(jù)有效保存期上限是64ms（毫秒，1/1000秒），也就是說(shuō)每一行刷新的循環(huán)周期是64ms。這樣刷新速度就是：行數(shù)量/64ms。我們?cè)诳磧?nèi)存規(guī)格時(shí)，經(jīng)常會(huì)看到4096 Refresh Cycles/64ms或8192 Refresh Cycles/64ms的標(biāo)識(shí)，這里的4096與8192就代表這個(gè)芯片中每個(gè)Bank的行數(shù)。刷新命令一次對(duì)一行有效，發(fā)送間隔也是隨總行數(shù)而變化，4096行時(shí)為15.625μs（微秒，1/1000毫秒），8192行時(shí)就為7.8125μs。HY57V561620為8192 refresh cycles / 64ms。

SDRAM是多Bank結(jié)構(gòu)，例如在一個(gè)具有兩個(gè)Bank的SDRAM的模組中，其中一個(gè)Bank在進(jìn)行預(yù)充電期間，另一個(gè)Bank卻馬上可以被讀取，這樣當(dāng)進(jìn)行一次讀取后，又馬上去讀取已經(jīng)預(yù)充電Bank的數(shù)據(jù)時(shí)，就無(wú)需等待而是可以直接讀取了，這也就大大提高了存儲(chǔ)器的訪(fǎng)問(wèn)速度。
為了實(shí)現(xiàn)這個(gè)功能，SDRAM需要增加對(duì)多個(gè)Bank的管理，實(shí)現(xiàn)控制其中的Bank進(jìn)行預(yù)充電。在一個(gè)具有2個(gè)以上Bank的SDRAM中，一般會(huì)多一根叫做BAn的引腳，用來(lái)實(shí)現(xiàn)在多個(gè)Bank之間的選擇。
SDRAM具有多種工作模式，內(nèi)部操作是一個(gè)復(fù)雜的狀態(tài)機(jī)。SDRAM器件的引腳分為以下幾類(lèi)。

（1）控制信號(hào)：包括片選、時(shí)鐘、時(shí)鐘使能、行列地址選擇、讀寫(xiě)有效及數(shù)據(jù)有效。
（2）地址信號(hào)：時(shí)分復(fù)用引腳，根據(jù)行列地址選擇引腳，控制輸入的地址為行地址或列地址。。
（3）數(shù)據(jù)信號(hào)：雙向引腳，受數(shù)據(jù)有效控制。

SDRAM的所有操作都同步于時(shí)鐘。根據(jù)時(shí)鐘上升沿控制管腳和地址輸入的狀態(tài)，可以產(chǎn)生多種輸入命令。

模式寄存器設(shè)置命令。
激活命令。
預(yù)充命令。
讀命令。
寫(xiě)命令。
帶預(yù)充的讀命令。
帶預(yù)充的寫(xiě)命令。
自動(dòng)刷新命令。
自我刷新命令。
突發(fā)停命令。
空操作命令。

根據(jù)輸入命令，SDRAM狀態(tài)在內(nèi)部狀態(tài)間轉(zhuǎn)移。內(nèi)部狀態(tài)包括模式寄存器設(shè)置狀態(tài)、激活狀態(tài)、預(yù)充狀態(tài)、寫(xiě)狀態(tài)、讀狀態(tài)、預(yù)充讀狀態(tài)、預(yù)充寫(xiě)狀態(tài)、自動(dòng)刷新?tīng)顟B(tài)及自我刷新?tīng)顟B(tài)。
SDRAM支持的操作命令有初始化配置、預(yù)充電、行激活、讀操作、寫(xiě)操作、自動(dòng)刷新、自刷新等。所有的操作命令通過(guò)控制線(xiàn)CS#、RAS#、CAS#、WE#和地址線(xiàn)、體選地址BA輸入。

1、行激活

行激活命令選擇處于空閑狀態(tài)存儲(chǔ)體的任意一個(gè)行，使之進(jìn)入準(zhǔn)備讀/寫(xiě)狀態(tài)。從體激活到允許輸入讀/寫(xiě)命令的間隔時(shí)鐘節(jié)拍數(shù)取決于內(nèi)部特征延時(shí)和時(shí)鐘頻率。HY57V561620內(nèi)部有4個(gè)體，為了減少器件門(mén)數(shù)，4個(gè)體之間的部分電路是公用的，因此它們不能同時(shí)被激活，而且從一個(gè)體的激活過(guò)渡到另一個(gè)體的激活也必須保證有一定的時(shí)間間隔。

2、預(yù)充電

預(yù)充電命令用于對(duì)已激活的行進(jìn)行預(yù)充電即結(jié)束活動(dòng)狀態(tài)。預(yù)充電命令可以作用于單個(gè)體，也可以同時(shí)作用于所有體（通過(guò)所有體預(yù)充電命令）。對(duì)于猝發(fā)寫(xiě)操作必須保證在寫(xiě)入預(yù)充電命令前寫(xiě)操作已經(jīng)完成，并使用DQM禁止繼續(xù)寫(xiě)入數(shù)據(jù)。預(yù)充電結(jié)束后回到空閑狀態(tài)，也可以再次被激活，此時(shí)也可以輸入進(jìn)入低功耗、自動(dòng)刷新、自刷新和模式設(shè)置等操作命令。

預(yù)充電中重寫(xiě)的操作與刷新操作一樣，只不過(guò)預(yù)充電不是定期的，而只是在讀操作以后執(zhí)行的。因?yàn)樽x取操作會(huì)破壞內(nèi)存中的電荷。因此，內(nèi)存不但要每64ms刷新一次，而且每次讀操作之后還要刷新一次。

3、自動(dòng)預(yù)充電

如果在猝發(fā)讀或猝發(fā)寫(xiě)命令中，A10/AP位置為“1”，在讀寫(xiě)操作完成后自動(dòng)附加一個(gè)預(yù)充電動(dòng)作。操作行結(jié)束活動(dòng)狀態(tài)，但在內(nèi)部狀態(tài)機(jī)回到空閑態(tài)之前不能給器件發(fā)送新的操作命令。

4、猝發(fā)讀

猝發(fā)讀命令允許某個(gè)體中的一行被激活后，連續(xù)讀出若干個(gè)數(shù)據(jù)。第一個(gè)數(shù)據(jù)在經(jīng)過(guò)指定的CAS延時(shí)節(jié)拍后呈現(xiàn)在數(shù)據(jù)線(xiàn)上，以后每個(gè)時(shí)鐘節(jié)拍都會(huì)讀出一個(gè)新的數(shù)據(jù)。猝發(fā)讀操作可以被同體或不同體的新的猝發(fā)讀/寫(xiě)命令或同一體的預(yù)充電命令及猝發(fā)停止命令中止。

5、猝發(fā)寫(xiě)

猝發(fā)寫(xiě)命令與猝發(fā)讀命令類(lèi)似，允許某個(gè)體中的一行被激活后，連續(xù)寫(xiě)入若干個(gè)數(shù)據(jù)。第一個(gè)寫(xiě)數(shù)據(jù)與猝發(fā)寫(xiě)命令同時(shí)在數(shù)據(jù)線(xiàn)上給出，以后每個(gè)時(shí)鐘節(jié)拍給出一個(gè)新的數(shù)據(jù)，輸入緩沖在猝發(fā)數(shù)據(jù)量滿(mǎn)足要求后停止接受數(shù)據(jù)。猝發(fā)寫(xiě)操作可以被猝發(fā)讀/寫(xiě)命令或DQM數(shù)據(jù)輸入屏蔽命令和預(yù)充電命令或猝發(fā)停止命令中止。

6、自動(dòng)刷新

由于動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元存在漏電現(xiàn)象，為了保持每個(gè)存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)的正確性，HY57V561620必須保證在64ms內(nèi)對(duì)所有的存儲(chǔ)單元刷新一遍。一個(gè)自動(dòng)刷新周期只能刷新存儲(chǔ)單元的一個(gè)行，每次刷新操作后內(nèi)部刷新地址計(jì)數(shù)器自動(dòng)加“1”。只有在所有體都空閑（因?yàn)?個(gè)體的對(duì)應(yīng)行同時(shí)刷新）并且未處于低功耗模式時(shí)才能啟動(dòng)自動(dòng)刷新操作，刷新操作執(zhí)行期間只能輸入空操作，刷新操作執(zhí)行完畢后所有體都進(jìn)入空閑狀態(tài)。該器件可以每間隔7.8μs執(zhí)行一次自動(dòng)刷新命令，也可以在64ms內(nèi)的某個(gè)時(shí)間段對(duì)所有單元集中刷新一遍。

7、自刷新

自刷新是動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的另一種刷新方式，通常用于在低功耗模式下保持SDRAM的數(shù)據(jù)。在自刷新方式下，SDRAM禁止所有的內(nèi)部時(shí)鐘和輸入緩沖（CKE除外）。為了降低功耗，刷新地址和刷新時(shí)間全部由器件內(nèi)部產(chǎn)生。一旦進(jìn)入自刷新方式只有通過(guò)CKE變低才能激活，其他的任何輸入都將不起作用。給出退出自刷新方式命令后必須保持一定節(jié)拍的空操作輸入，以保證器件完成從自刷新方式的退出。如果在正常工作期間采用集中式自動(dòng)刷新方式，則在退出自刷新模式后必須進(jìn)行一遍（對(duì)于HY57V561620來(lái)說(shuō)，8192個(gè)）集中的自動(dòng)刷新操作。

8、時(shí)鐘和時(shí)鐘屏蔽

時(shí)鐘信號(hào)是所有操作的同步信號(hào)，上升沿有效。時(shí)鐘屏蔽信號(hào)CKE決定是否把時(shí)鐘輸入施加到內(nèi)部電路。在讀寫(xiě)操作期間，CKE變低后的下一個(gè)節(jié)拍凍結(jié)輸出狀態(tài)和猝發(fā)地址，直到CKE變高為止。在所有的體都處于空閑狀態(tài)時(shí)，CKE變低后的下一個(gè)節(jié)拍SDRAM進(jìn)入低功耗模式并一直保持到CKE變高為止。

9、DQM操作

DQM用于屏蔽輸入輸出操作，對(duì)于輸出相當(dāng)于開(kāi)門(mén)信號(hào)，對(duì)于輸入禁止把總線(xiàn)上的數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)單元。對(duì)讀操作DQM延遲2個(gè)時(shí)鐘周期開(kāi)始起作用，對(duì)寫(xiě)操作則是當(dāng)拍有效。

HY57V561620命令表如下圖所示：

二、HY57V561620 SDRAM介紹

1、HY57V561620的結(jié)構(gòu)

HY57V561620存儲(chǔ)容量為4M×4bank×16位（32M字節(jié)），工作電壓為3.3V，常見(jiàn)封裝為54腳TSOP，兼容LVTTL接口，支持自動(dòng)刷新（Auto-Refresh）和自刷新（Self-Refresh），16位數(shù)據(jù)寬度。

HY57V561620引腳分布如圖2-1所示。

HY57V561620引腳信號(hào)描述

更具體的內(nèi)容可參考HY57V561620的用戶(hù)手冊(cè)。

三、S3C2410和HY57V561620的接線(xiàn)方法
華清遠(yuǎn)見(jiàn)教學(xué)用的S3C2410開(kāi)發(fā)板上使用的SDRAM的型號(hào)是HY57561620。規(guī)格是：
4Banks*4M*16Bit。采用兩片SDRAM組成32位64M的內(nèi)存空間。

1、確定BA0、BA1的接線(xiàn)

在S3C2410的Table 5-2. SDRAM Bank Address Configuration給出了SDRAM接線(xiàn)的參考方法。

上表中各段含義及和我們平臺(tái)的對(duì)應(yīng)：

Bank Size: 每個(gè)Bank的大小 （HY57561620是4M*16=64MB）Bus Width: 總線(xiàn)寬度 （兩顆HY57561620，32位）
Base Component：個(gè)體容量 （256Mb）
Memory Configration：內(nèi)存配置 (（4M*16*4banks）*2ea )

所以Bank Address對(duì)應(yīng)A[25:24]，此處確定了HY57561620的BA0和BA1和S3C2410之間的接線(xiàn)。

2、確定其它接線(xiàn)

上圖是S3C2410手冊(cè)中給出的參考接線(xiàn)，通過(guò)這個(gè)圖可以確定HY57561620和S3C2410之間除BA0、BA1的所有其它接線(xiàn)。本例中，詳細(xì)的接線(xiàn)方法如“接線(xiàn)原理圖”小節(jié)。

3、接線(xiàn)原理圖

引腳描述如下：

nSRAS：SDRAM行地址選通信號(hào)
nSCAS：SDRAM列地址選通信號(hào)
nGCS6：SDRAM芯片選擇信號(hào)（選用Bank6作為sdram空間，也可以選擇Bank7）
nWBE[3:0]：SDRAM數(shù)據(jù)屏蔽信號(hào)
SCLK0[1]：SDRAM時(shí)鐘信號(hào)
SCKE：SDRAM時(shí)鐘允許信號(hào)
DATA[0:31]:32位數(shù)據(jù)信號(hào)
ADDR[2:14]:行列地址信號(hào)

ADDR[25:24]:bank選擇線(xiàn)

四、S3C2410 SDRAM控制器的配置方法

在系統(tǒng)使用SDRAM之前，需要對(duì)S3C2410X的存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行初始化。其中對(duì)與SDRAM（Bank6）相關(guān)的寄存器進(jìn)行了特殊的設(shè)置，以使SDRAM能夠正常工作。由于C語(yǔ)言程序使用的數(shù)據(jù)空間和堆?？臻g都定位在SDRAM上，因此，如果沒(méi)有對(duì)SDRAM（Bank6）的正確初始化，系統(tǒng)就無(wú)法正確啟動(dòng)。下面介紹與SDRAM相關(guān)的寄存器設(shè)置。

1、BWSCON寄存器

BWSCON寄存器主要用來(lái)設(shè)置外接存儲(chǔ)器的總線(xiàn)寬度和等待狀態(tài)。在BWSCON中，除了Bank0，其他7個(gè)bank都各對(duì)應(yīng)4個(gè)相關(guān)位的設(shè)置，分別為STn，WSn和DWn。這里只需要對(duì)DWn進(jìn)行設(shè)置，例如SDRAM（Bank6）采用32位總線(xiàn)寬度，因此，DW6=10，其他2位采用缺省值。BWSCON寄存器在Bank6上的位定義如表4-1所示。

表4-1 BWSCON寄存器在Bank6上的位定義

2、BANKCONn寄存器的設(shè)置

S3C2410X有8個(gè)BANKCONn寄存器，分別對(duì)應(yīng)著B(niǎo)ank0～Bank7。由于Bank6～Bank7可以作為FP/EDO/SDRAM等類(lèi)型存儲(chǔ)器的映射空間，因此與其他bank的相應(yīng)寄存器有所不同，其中MT位定義了存儲(chǔ)器的類(lèi)型。BANKCONn寄存器在Bank6和Bank7上的位定義如表4-2所示。

表4-2 BANKCONn寄存器在Bank6和Bank7上的位定義

MT的取值又定義該寄存器余下幾位的作用。當(dāng)MT=11（即SDRAM型存儲(chǔ)器）時(shí)，BANKCONn寄存器余下的幾位定義如表4-3所示。

表4-3 BANKCONn寄存器在MT=11時(shí)的相關(guān)位定義

Trcd是從行使能到列使能的延遲，根據(jù)S3C2410X的HCLK頻率（100M）及HY57V561620T-H的特性（見(jiàn)下圖），此項(xiàng)取01，即3CLKS。SCAN為列地址線(xiàn)數(shù)量，此項(xiàng)根據(jù)HY57V561620特性取01，即9位（A0~A8）。

3、REFRESH寄存器

REFRESH寄存器是DRAM/SDRAM的刷新控制器。位定義如表4-4所示。

表4-4 REFRESH寄存器位定義

4．BANKSIZE寄存器

表4-5 BANKSIZE寄存器定義

初始化時(shí)，BURST_EN可以取0或1，為了提高效率，最好設(shè)置為1。SCKE_EN設(shè)置為1。SCLK_EN設(shè)置為1。BK76MAP設(shè)置為2。

5、MRSR寄存器

MRSR寄存器有2個(gè)，分別對(duì)應(yīng)MRSRB6和MRSRB7，對(duì)應(yīng)著B(niǎo)ank6和Bank7。見(jiàn)表4-6。

表4-6 MRSRn寄存器定義

此寄存器S3C2410只允許CL可以設(shè)置，參照HY57V561620T-H手冊(cè)，取011，即3CLKs。

猝發(fā)長(zhǎng)度的具體值在程序中沒(méi)有給出，根據(jù)后面觸發(fā)時(shí)序猜測(cè)應(yīng)該是8，HY57V561620T支持1、2、4、8、page猝發(fā)長(zhǎng)度。

參照前面的HY57V561620命令表，寫(xiě)Mode寄存器用的是Mode register命令。其中的OP CODE參照下圖：

注意：當(dāng)代碼在SDRAM中運(yùn)行時(shí)，絕不能夠重新配置MRSR寄存器。

五、SDRAM的控制時(shí)序分析

下面列出SDRAM的狀態(tài)機(jī)及幾種SDARM控制命令的時(shí)序。大家掌握了以后可以試著分析其它的命令時(shí)序。

1、SDRAM的狀態(tài)機(jī)

SDRAM的完整狀態(tài)機(jī)由多個(gè)狀態(tài)構(gòu)成，且狀態(tài)轉(zhuǎn)移是非隨機(jī)的（如圖5-1所示）。

正是如此眾多的狀態(tài)及其復(fù)雜的轉(zhuǎn)換關(guān)系，導(dǎo)致ＳＤＲＡＭ的控制較為復(fù)雜。通常FPGA開(kāi)發(fā)人員在設(shè)計(jì)SDRAM控制器IP時(shí)需要詳細(xì)了解這些狀態(tài)機(jī)的過(guò)程。而一般開(kāi)發(fā)人員以了解為主。

圖5-1 SDRAM狀態(tài)機(jī)

下面將結(jié)合上圖及SDRAM的指令來(lái)分析SDRAM的控制時(shí)序

2、SDRAM single模式讀時(shí)序

SDRAM初始化主要是由設(shè)置S3C2410 SDRAM控制器的模式寄存器（MRSR）完成的。主要設(shè)定了SDRAM的burst長(zhǎng)度、CAS延時(shí)時(shí)間、突發(fā)類(lèi)型等。然后就可以進(jìn)行讀寫(xiě)操作了。

下圖是S3C2410以single方式讀SDRAM時(shí)的時(shí)序。

對(duì)照HY57V5620的命令表，列出single read 命令實(shí)現(xiàn)過(guò)程。

3、SDRAM burst模式讀時(shí)序

對(duì)照HY57V5620的命令表，列出burst read 命令實(shí)現(xiàn)過(guò)程。

4、SDRAM Self Refresh時(shí)序

SDRAM 的Self Refresh功能在電源電源管理時(shí)經(jīng)常使用，如：在主控器進(jìn)入sleep狀態(tài)時(shí)，會(huì)先讓SDRAM工作在Self Refresh狀態(tài)。下圖為S3C2410發(fā)出Self Refresh命令時(shí)的時(shí)序圖。

對(duì)照HY57V5620的命令表，列出進(jìn)入Self Refresh的過(guò)程。

5、S3C2410 BUS Request時(shí)SDRAM控制時(shí)序

我以前在做一個(gè)項(xiàng)目時(shí)涉及到兩個(gè)主控器共享一個(gè)SDRAM的情況?，F(xiàn)象是另一個(gè)主控器可以通過(guò)BUS Request功能獲取到總線(xiàn)的控制權(quán)。當(dāng)S3C2410的總線(xiàn)控制權(quán)被獲取后，SDRAM控制不會(huì)再發(fā)出控制時(shí)鐘信號(hào)。但SDRAM并沒(méi)有因?yàn)槭r(shí)鐘而丟失數(shù)據(jù)。猜想一定是S3C2410在BUS Request時(shí)讓SDRAM進(jìn)入自刷新?tīng)顟B(tài)（就和S3C2410睡眠前要讓SDRAM進(jìn)入自刷新?tīng)顟B(tài)一樣）、POWER DOWN狀態(tài)、或者SUSPEND狀態(tài)。下面就根據(jù)S3C2410 BUS Request時(shí)SDRAM控制時(shí)序圖去確認(rèn)一下到底是哪種。

對(duì)照HY57V5620的命令表，列出S3C2410 BUS Request時(shí)SDRAM時(shí)序過(guò)程。

Note1：在第10個(gè)時(shí)鐘周期時(shí)，SKE從1變?yōu)?rsquo;HZ’（高阻）。我想此時(shí)SCKE從1變?yōu)楦咦鑼?duì)于SDRAM來(lái)說(shuō)相當(dāng)于從1->0吧，看了一遍HY57V5620手冊(cè)，這個(gè)想法沒(méi)有得到確認(rèn)。但也只能這么理解了，不然后面都說(shuō)不通了。我想之所以變?yōu)楦咦瓒皇堑碗娖?，是因?yàn)镾3C2410要放棄自己對(duì)總線(xiàn)控制。
結(jié)合HY57V5620手冊(cè)分析一下此時(shí)SDRAM會(huì)進(jìn)入什么狀態(tài)。

下圖是CKE Enable(CKE) 真值表。

在第10個(gè)時(shí)鐘周期時(shí)，SDRAM處于行激活狀態(tài)。此時(shí)SCKE由1->0, 根據(jù)真值表可以得出系統(tǒng)會(huì)進(jìn)入Clock suspend狀態(tài)

六、總結(jié)

本文分析了SDRAM的工作原理、介紹了HY57V561620及其與S3C2410的接線(xiàn)原理、S3C2410 SDRAM控制器的配置方法、及部分SDRAM的控制時(shí)序分析。有些地方理解的不夠深刻，歡迎大家指正。

本文分析了SDRAM的工作原理、介紹了HY57V561620及其與S3C2410的接線(xiàn)原理、S3C2410 SDRAM控制器的配置方法、及部分SDRAM的控制時(shí)序分析。有些地方理解的不夠深刻，歡迎大家指正。