C8051F單片機使用注意事項

每個I/O 拉電流50mA灌電流100mA 總電流800mA

一、電源和地線方面的處理
1、模擬電源和數(shù)字電源要分別供電，可以使用兩個穩(wěn)壓源分別供電，但是兩個電源之間的電壓差必須滿足數(shù)據手冊中的規(guī)定(<0.5V，小于0.3V是比較理想的)。實際應用中模擬電源和數(shù)字電源可以來自同一個穩(wěn)壓器的輸出，只在AV+與VDD之間接簡單的濾波器也是很有效的。這里要加一個小電感，也可以用低阻值的電阻(通常2歐姆,電阻要有足夠的寄生電感。)這種方式既能降低成本又能減少體積。(關于這一點可以參考C8051F各種目標板的原理圖的電源部分）。
2、在地線方面，模擬地和數(shù)字地要分開布線，然后在一點通過磁珠連接，在實際應用中也可以使用0歐姆繞線電阻連接的。該繞線電阻要有寄生電感，另外，在布線時一定要注意地線應該盡可能的粗，或者采用大面積覆地，電源線也要盡量粗，并且在單片機所有電源和地之間以及每個外圍集成電路的VDD和GND間加去耦合電容。
3、如果所使用的器件上有模擬電源，模擬地，數(shù)字電源和數(shù)字地，所有這些引腳不可以懸空，必須連接。

二、在嚴酷環(huán)境下使用C8051F器件時，在PCB設計時應注意那些問題？
在嚴酷條件下使用C8051F器件時，我們提供給您的一般性建議如下：
1)在器件的每個電源引腳處放置0.1μF和1.0μF的去耦電容，而且要盡可能地靠近芯片。這一點適用于板上所有的IC（集成電路）。*
2)盡可能將板上不使用的空間接地，即所謂的大面積覆銅。
3)在靠近器件外部振蕩器引腳處放置外部晶體和其他振蕩器元件（如果可行的話）。
4)使用最短的連線以避免產生“天線”，尤其在下列引腳處：/RST，MONEN，XTAL1，XTAL2，TMS，TCK，TDI和TDO。
5)應使用一個1k - 4.7k的電阻將/RST拉為高電平。且應該在/RST走線和地之間設一個0.1uF的去耦電容*
6)應將MONEN直接接至片上的VDD (首選)或接地。*
7)將TMS、TCK、TDI和接固定電平。*
8)連接至系統(tǒng)電纜或其他電路板上的信號應在PCB的連接點處適當?shù)貫V波。
* 避免使這些連接在板上形成大的回路。

三、對JTAG引腳的處理
在電路設計時，JTAG口的TCK要加3.3V上拉。上拉電阻值取4.7K。另外，要考慮到在成品階段(此時已不需要通過JTAG編程)，將TCK.TMS.TDI引腳接地，這樣更能提高系統(tǒng)的抗干擾能力，對于提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性是非常主要的。

四、對未用到的IO口／模擬輸入口的處理
對未用到的IO口建議：設置為漏極開路；并加固定電平；或設置為推挽方式；未用的模擬輸入也要接地(接模擬地)。

五、在電路設計時的IO口／模擬輸入口的保護
1、在可能對IO口有瞬態(tài)沖擊的情況下，一定要對IO口進行保護，如可能會有瞬間大電流，就要在IO口上串接限流電阻，建議取值100歐姆。如有瞬態(tài)大電壓，就要在IO口上接TVS或快速反應二極管。
2、對在產品中使用的模擬輸入引腳的輸入電平，要在器件的允許范圍值內(具體的參數(shù)見數(shù)據手冊)。一般的ADC的輸入電壓范圍是0V~VREF。同時不可以超過器件的極限參數(shù)(見數(shù)據手冊)，否則可能造成永久性損壞。具體的做法可以加兩個肖特基二極管到電源和地。
3.IO口控制的東西一定要加鎖存器，否則復位后，IO口會恢復高電平

六、編寫軟件方面的注意事項


1、如使用C51編程，在使用指針變量(對FLASH進行寫操作)按如下方式定義：
unsigned char xdata *idata(或data) pwrite；
這樣做的目的是確保寫FLASH的指針的地址被分配在或空間。
2、不用的代碼空間全部清為“0”，這可以在程序跑飛后再重新運行。在跳轉指令前加兩到三個NOP指令。這樣也可以在程序跑飛后重新運行。