單片機中數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)區(qū)別

首先是RAM,?分為兩種，靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）與動態(tài)隨機存儲器（DRAM），顧名思義，動態(tài)隨機存儲器需要不停的刷新，靜態(tài)功耗比較大，所以單片機中大都采用靜態(tài)隨機存儲器，不需要刷新，靜態(tài)功耗相對來說很低。此外，靜態(tài)隨機存儲器相比動態(tài)隨機存儲器也有其缺點，電路復雜集成度低，所以一般容量較小。------另：SRAM的讀取速度相當快，由于它的造價高，主要用作計算機中的高速緩存存儲器(Cache)。DRAM雖然讀取速度較慢，但它的造價低廉，集成度高，宜于作為系統(tǒng)所需的大容量“主存”，所以DRAM主要制造成計算機中的內(nèi)存條，目前，市面上主要有使用DRAM芯片制成的普通內(nèi)存條。?

重點來說說ROM，以前的紫外線擦除EPROM略過不談，重點表一表現(xiàn)在單片機中主要用的EEPROM與FLASH，其實FLASH也是電可擦除，掉電不失的數(shù)據(jù)存儲器，是一種廣義上的ROM，為做區(qū)分，稱其為FLASH。

EEPROM的特點是可以隨意訪問和修改其中的任何一個字節(jié)，可以往每一個bit位中寫0或?qū)?，操作比FLASH簡單快捷，通常用于存放需要頻繁改寫的數(shù)據(jù)。但因其組成電路復雜成本高，所以容量一般都不是很大，?一般都是幾十K字節(jié)或幾百K字節(jié)，很少有超過512k字節(jié)的。

FLASH也是電可擦除的一種廣義上的ROM,分為兩種NORFLASH?，與NAND FLASH；

NORFLASH??具備地址線與數(shù)據(jù)線，可以像RAM一樣隨機訪問每一個字節(jié)，但是擦除的時候是按塊來擦除的，所以一次簡化了電路，數(shù)據(jù)密度更高，成本也降低了，一般上M的存儲器都是FLASH。

NAND FLASH地址線與數(shù)據(jù)線是復用的，讀取按頁來讀取，擦除按塊來擦除，所以電路更簡單，數(shù)據(jù)密度更大了，大容量的一般都是nand flash，而2M到12M的都是NOR FLASH。

?NAND FLASH地址線與數(shù)據(jù)線是復用的，所以在讀取速度上要慢一些,由于nor flash 可以對字節(jié)進行操作，所以程序可以直接在nor flash中運行，而不需要將其調(diào)入到RAM后執(zhí)行。而在nand flash 放入操作系統(tǒng)等。

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