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單片機(jī)關(guān)鍵技術(shù)基礎(chǔ)詳解(一)

作者: 時(shí)間:2016-11-24 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
單片機(jī)被廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制,家電,消費(fèi)電子,醫(yī)療電子,儀表測(cè)量等領(lǐng)域,為應(yīng)廣大初級(jí)電子工程師/單片機(jī)愛(ài)好者之需,電子發(fā)燒友隆重策劃整合推出《解》系列技術(shù)文章,以后會(huì)陸續(xù)推出其他章節(jié),敬請(qǐng)廣大工程師朋友繼續(xù)關(guān)注和留意。


 一、關(guān)于C51單片機(jī)的中斷號(hào)以及中斷向量

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201611/320946.htm

  1、中斷號(hào)

  

  2、interrupt 和 using 在C51中斷中的使用

  8051 系列 MCU 的基本結(jié)構(gòu)包括:32 個(gè) I/O 口(4 組8 bit 端口);兩個(gè)16 位定時(shí)計(jì)數(shù)器;全雙工串行通信;6 個(gè)中斷源(2 個(gè)外部中斷、2 個(gè)定時(shí)/計(jì)數(shù)器中斷、1 個(gè)串口輸入/輸出中斷),兩級(jí)中斷優(yōu)先級(jí);128 字節(jié)內(nèi)置RAM;獨(dú)立的 64K 字節(jié)可尋址數(shù)據(jù)和代碼區(qū)。中斷發(fā)生后,MCU 轉(zhuǎn)到 5 個(gè)中斷入口處之一,然后執(zhí)行相應(yīng)的中斷服務(wù)處理程序。中斷程序的入口地址被編譯器放在中斷向量中,中斷向量位于程序代碼段的最低地址處,注意這里的串口輸入/輸出中斷共用一個(gè)中斷向量。8051的中斷向量表如下:

  

  二、CPU與單片機(jī)的復(fù)位電路的作用及基本復(fù)位方式

  在上電或復(fù)位過(guò)程中,控制CPU的復(fù)位狀態(tài):這段時(shí)間內(nèi)讓CPU保持復(fù)位狀態(tài),而不是一上電或剛復(fù)位完畢就工作,防止CPU發(fā)出錯(cuò)誤的指令、執(zhí)行錯(cuò)誤操作,也可以提高電磁兼容性能。

  無(wú)論用戶(hù)使用哪種類(lèi)型的單片機(jī),總要涉及到單片機(jī)復(fù)位電路的設(shè)計(jì)。而單片機(jī)復(fù)位電路設(shè)計(jì)的好壞,直接影響到整個(gè)系統(tǒng)工作的可靠性。許多用戶(hù)在設(shè)計(jì)完單片機(jī)系統(tǒng),并在實(shí)驗(yàn)室調(diào)試成功后,在現(xiàn)場(chǎng)卻出現(xiàn)了“死機(jī)”、“程序走飛”等現(xiàn)象,這主要是單片機(jī)的復(fù)位電路設(shè)計(jì)不可靠引起的。

  基本的復(fù)位方式

  單片機(jī)在啟動(dòng)時(shí)都需要復(fù)位,以使CPU及系統(tǒng)各部件處于確定的初始狀態(tài),并從初態(tài)開(kāi)始工作。89系列單片機(jī)的復(fù)位信號(hào)是從RST引腳輸入到芯片內(nèi)的施密特觸發(fā)器中的。當(dāng)系統(tǒng)處于正常工作狀態(tài)時(shí),且振蕩器穩(wěn)定后,如果RST引腳上有一個(gè)高電平并維持2個(gè)機(jī)器周期(24個(gè)振蕩周期)以上,則CPU就可以響應(yīng)并將系統(tǒng)復(fù)位。單片機(jī)系統(tǒng)的復(fù)位方式有:手動(dòng)按鈕復(fù)位和上電復(fù)位。

  1、手動(dòng)按鈕復(fù)位

  手動(dòng)按鈕復(fù)位需要人為在復(fù)位輸入端RST上加入高電平(圖1)。一般采用的辦法是在RST端和正電源Vcc之間接一個(gè)按鈕。當(dāng)人為按下按鈕時(shí),則Vcc的+5V電平就會(huì)直接加到RST端。手動(dòng)按鈕復(fù)位的電路如所示。由于人的動(dòng)作再快也會(huì)使按鈕保持接通達(dá)數(shù)十毫秒,所以,完全能夠滿足復(fù)位的時(shí)間要求。

  

  圖1

  2、上電復(fù)位

  AT89C51的上電復(fù)位電路如圖2所示,只要在RST復(fù)位輸入引腳上接一電容至Vcc端,下接一個(gè)電阻到地即可。對(duì)于CMOS型單片機(jī),由于在RST端內(nèi)部有一個(gè)下拉電阻,故可將外部電阻去掉,而將外接電容減至1?F。上電復(fù)位的工作過(guò)程是在加電時(shí),復(fù)位電路通過(guò)電容加給RST端一個(gè)短暫的高電平信號(hào),此高電平信號(hào)隨著Vcc對(duì)電容的充電過(guò)程而逐漸回落,即RST端的高電平持續(xù)時(shí)間取決于電容的充電時(shí)間。為了保證系統(tǒng)能夠可靠地復(fù)位,RST端的高電平信號(hào)必須維持足夠長(zhǎng)的時(shí)間。上電時(shí),Vcc的上升時(shí)間約為10ms,而振蕩器的起振時(shí)間取決于振蕩頻率,如晶振頻率為10MHz,起振時(shí)間為1ms;晶振頻率為1MHz,起振時(shí)間則為10ms。在圖2的復(fù)位電路中,當(dāng)Vcc掉電時(shí),必然會(huì)使RST端電壓迅速下降到0V以下,但是,由于內(nèi)部電路的限制作用,這個(gè)負(fù)電壓將不會(huì)對(duì)器件產(chǎn)生損害。另外,在復(fù)位期間,端口引腳處于隨機(jī)狀態(tài),復(fù)位后,系統(tǒng)將端口置為全“l”態(tài)。如果系統(tǒng)在上電時(shí)得不到有效的復(fù)位,則程序計(jì)數(shù)器PC將得不到一個(gè)合適的初值,因此,CPU可能會(huì)從一個(gè)未被定義的位置開(kāi)始執(zhí)行程序。

  

  圖2

  3、積分型上電復(fù)位

  常用的上電或開(kāi)關(guān)復(fù)位電路如圖3所示。上電后,由于電容C3的充電和反相門(mén)的作用,使RST持續(xù)一段時(shí)間的高電平。當(dāng)單片機(jī)已在運(yùn)行當(dāng)中時(shí),按下復(fù)位鍵K后松開(kāi),也能使RST為一段時(shí)間的高電平,從而實(shí)現(xiàn)上電或開(kāi)關(guān)復(fù)位的操作。

  根據(jù)實(shí)際操作的經(jīng)驗(yàn),下面給出這種復(fù)位電路的電容、電阻參考值。

  圖3中:C:=1uF,Rl=lk,R2=10k

  

  圖3 積分型上電復(fù)位電路

三、單片機(jī)雙機(jī)并行通信中所遇問(wèn)題

  1 引言

  本系統(tǒng)采用的CPLD為 ATMEL公司生產(chǎn)的ATF1540AS器件,該器件是一種高性能、高密度復(fù)合可編程邏輯器件,簡(jiǎn)稱(chēng)CPLD,它利用ATMEL 的電可擦除存儲(chǔ)器技術(shù),有 64個(gè)邏輯宏單元和68個(gè)I/O端口,很容易和多個(gè)TTL、SSI、MSI、LSI和經(jīng)典的PLDS組合使用。每個(gè)宏單元包括積項(xiàng)和積項(xiàng)多路選擇器、 OR/XOR/CASCADE邏輯、觸發(fā)器、輸出選擇和使能、輸入邏輯陣列五個(gè)部分。ATF1504AS的增強(qiáng)選路開(kāi)關(guān)增加了可用的門(mén)計(jì)數(shù),提高了管腳鎖存設(shè)計(jì)修改的成功率。

  

  圖1 雙機(jī)通信框圖

  2 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)

  系統(tǒng)的CPU采用W77E58,由ATF1504AS構(gòu)成通信接口,系統(tǒng)框圖如圖1所示。

  2.1 問(wèn)題提出

  電腦刺繡機(jī)為達(dá)到良好的人機(jī)界面交互功能,采用上下位機(jī)方式,下位機(jī)主要進(jìn)行繡花動(dòng)作的控制,上位機(jī)主要進(jìn)行花樣的跟蹤。為了實(shí)現(xiàn)繡花的同時(shí)在液晶屏上進(jìn)行繡花跟蹤,單CPU方式存在系統(tǒng)資源透支, CPU處理數(shù)據(jù)將十分困難,于是提出了采用雙CPU的工作方式,但同時(shí)帶來(lái)一個(gè)問(wèn)題—雙CPU的通信問(wèn)題。

  2.2 解決方案

  (1) 采用串行通信方式

  優(yōu)點(diǎn):在由單片機(jī)組成的多機(jī)方式中,串行接口方式是最常用的。串行通信方式接口電路簡(jiǎn)單,可以方便實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)距離傳輸。抗干擾能力比較好。

  缺點(diǎn):傳輸數(shù)據(jù)慢,不適合實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)傳輸。在數(shù)據(jù)傳輸要求高的情況下,容易造成瓶頸堵塞現(xiàn)象。

 ?。?) 采用并行通信方式

  優(yōu)點(diǎn):并行通信傳輸數(shù)據(jù)快,適合進(jìn)行實(shí)時(shí)控制。

  缺點(diǎn):抗干擾能力差,不適合長(zhǎng)距離傳輸,最大距離不超過(guò)5m。

  由于本系統(tǒng)對(duì)數(shù)據(jù)傳輸?shù)膶?shí)時(shí)性要求比較高,并且上下位機(jī)之間的距離不超過(guò)3m,進(jìn)行適當(dāng)?shù)目垢蓴_措施,完全可以達(dá)到系統(tǒng)的要求,所以確定采用并行通信方式。

  2.3 具體措施

 ?。?) 采用ATF1504AS(可編程邏輯器件)進(jìn)行并行通信,減少分立器件所產(chǎn)生的雜散電容而帶來(lái)的噪聲干擾。

 ?。?) 在輸入數(shù)據(jù)端加斯密特電路(74LS14),將外部傳輸線上耦合噪聲濾除掉。從而提高總線接收的抗干擾性能。

  (3)采用三態(tài)門(mén)驅(qū)動(dòng)方式可以提高總線的抗干擾能力,因?yàn)槿龖B(tài)門(mén)有三種狀態(tài)輸出,既所謂的低阻高電平、低阻低電平、高阻態(tài)(禁態(tài))。由于三態(tài)門(mén)的輸入具有的三態(tài)性,所以使三態(tài)門(mén)的信號(hào)源的負(fù)擔(dān)減輕。有利于提高速度和抗干擾能力。

  3 雙CPU通信原理設(shè)計(jì)

  3.1 雙CPU通信原理圖

  從圖2雙CPU通信原理圖中可以看出,在輸入接口上都接上74LS14斯密特電路和74LS244三態(tài)門(mén)驅(qū)動(dòng)器,以提高抗干擾能力。在SRZB、SCYX(上位機(jī))及SRZB、SCYX(下位機(jī))的握手信號(hào)線上接入74LS14斯密特電路,以提高抗干擾能力。

  

  圖2 雙機(jī)通信原理圖

  3.2 ATF1504AS內(nèi)部原理圖

  由于篇幅有限,僅列出上位機(jī)的ATF1504AS的內(nèi)部原理圖如圖3,下位機(jī)的ATF1504AS的內(nèi)部原理圖與此相類(lèi)似。


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