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電子元器件最常用的封裝形式都有哪些

作者: 時(shí)間:2016-11-01 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  電子元器件最常用的封裝形式都有哪些

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201611/339477.htm

  1、(ballgridarray)球形觸點(diǎn)陳列,表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點(diǎn)用以代替引腳,在印刷基板的正面裝配LSI芯片,然后用模壓樹脂或灌封方法進(jìn)行密封。也稱為凸點(diǎn)陳列載體(PAC)。引腳可超過200,是多引腳LSI用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP(四側(cè)引腳扁平封裝)小。

  例如,引腳中心距為1.5mm的360引腳僅為31mm見方;而引腳中心距為0.5mm的304引腳QFP為40mm見方。而且不用擔(dān)心QFP那樣的引腳變形問題。該封裝是美國Motorola公司開發(fā)的,首先在便攜式電話等設(shè)備中被采用,今后在美國有可能在個(gè)人計(jì)算機(jī)中普及。最初,BGA的引腳(凸點(diǎn))中心距為1.5mm,引腳數(shù)為225?,F(xiàn)在也有一些LSI廠家正在開發(fā)500引腳的BGA。BGA的問題是回流焊后的外觀檢查?,F(xiàn)在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認(rèn)為,由于焊接的中心距較大,連接可以看作是穩(wěn)定的,只能通過功能檢查來處理。美國Motorola公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC,而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC(見OMPAC和GPAC)。

  2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)帶緩沖墊的四側(cè)引腳扁平封裝。QFP封裝之一,在封裝本體的四個(gè)角設(shè)置突起(緩沖墊)以防止在運(yùn)送過程中引腳發(fā)生彎曲變形。美國半導(dǎo)體廠家主要在微處理器和ASIC等電路中采用此封裝。引腳中心距0.635mm,引腳數(shù)從84到196左右(見QFP)。

  3、碰焊PGA(buttjointpingridarray)表面貼裝型PGA的別稱(見表面貼裝型PGA)。

  4、C-(ceramic)表示陶瓷封裝的記號(hào)。例如,C表示的是陶瓷。是在實(shí)際中經(jīng)常使用的記號(hào)。

  5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝,用于ECLRAM,DSP(數(shù)字信號(hào)處理器)等電路。帶有玻璃窗口的Cerdip用于紫外線擦除型EPROM以及內(nèi)部帶有EPROM的微機(jī)電路等。引腳中心距2.54mm,引腳數(shù)從8到42。在日本,此封裝表示為-G(G即玻璃密封的意思)。

  6、Cerquad表面貼裝型封裝之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封裝DSP等的邏輯LSI電路。帶有窗口的Cerquad用于封裝 EPROM電路。散熱性比塑料QFP好,在自然空冷條件下可容許1.5~2W的功率。但封裝成本比塑料QFP高3~5倍。引腳中心距有1.27mm、 0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多種規(guī)格。引腳數(shù)從32到368。

  7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)帶引腳的陶瓷芯片載體,表面貼裝型封裝之一,引腳從封裝的四個(gè)側(cè)面引出,呈丁字形。帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM以及帶有EPROM的微機(jī)電路等。此封裝也稱為QFJ、QFJ-G(見QFJ)

  8、COB(chiponboard板上芯片封裝,是裸芯片貼裝技術(shù)之一,半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上,芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn),芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn),并用樹脂覆蓋以確??煽啃?。雖然COB是最簡單的裸芯片貼裝技術(shù),但它的封裝密度遠(yuǎn)不如TAB和倒片焊技術(shù)。

  9、DFP(dualflatpackage)雙側(cè)引腳扁平封裝。是SOP的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法,現(xiàn)在已基本上不用。

  10、DIC(dualin-lineceramicpackage)陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).

  11、DIL(dualin-line)DIP的別稱(見DIP)。歐洲半導(dǎo)體廠家多用此名稱。

  12、DIP(dualin-linepackage)。雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側(cè)引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝,應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC,存貯器LSI,微機(jī)電路等。引腳中心距2.54mm,引腳數(shù)從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm的封裝分別稱為skinnyDIP和 slimDIP(窄體型DIP)。但多數(shù)情況下并不加區(qū)分,只簡單地統(tǒng)稱為DIP。另外,用低熔點(diǎn)玻璃密封的陶瓷DIP也稱為cerdip(見 cerdip)。

  13、DSO(dualsmallout-lint)雙側(cè)引腳小外形封裝。SOP的別稱(見SOP)。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。

  14、DICP(dualtapecarrierpackage)雙側(cè)引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側(cè)引出。由于利用的是TAB(自動(dòng)帶載焊接)技術(shù),封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅(qū)動(dòng)LSI,但多數(shù)為定制品。另外,0.5mm厚的存儲(chǔ)器LSI簿形封裝正處于開發(fā)階段。在日本,按照EIAJ(日本電子機(jī)械工業(yè))會(huì)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,將DICP命名為DTP。

  15、DIP(dualtapecarrierpackage)同上。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)對DTCP的命名(見DTCP)。

  16、FP(flatpackage)扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP(見QFP和SOP)的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。

  17、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一,在LSI芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點(diǎn),然后把金屬凸點(diǎn)與印刷基板上的電極區(qū)進(jìn)行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有封裝技術(shù)中體積最小、最薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數(shù)與LSI芯片不同,就會(huì)在接合處產(chǎn)生反應(yīng),從而影響連接的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI 芯片,并使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。

  18、FQFP(finepitchquadflatpackage)小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm的QFP(見QFP)。部分導(dǎo)導(dǎo)體廠家采用此名稱。

  19、CPAC(globetoppadarraycarrier)美國Motorola公司對BGA的別稱(見BGA)。

  20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)帶保護(hù)環(huán)的四側(cè)引腳扁平封裝。塑料QFP之一,引腳用樹脂保護(hù)環(huán)掩蔽,以防止彎曲變形。在把LSI組裝在印刷基板上之前,從保護(hù)環(huán)處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀(L形狀)。這種封裝在美國Motorola公司已批量生產(chǎn)。引腳中心距0.5mm,引腳數(shù)最多為208左右。

  21、H-(withheatsink)表示帶散熱器的標(biāo)記。例如,HSOP表示帶散熱器的SOP。

  22、pingridarray(surfacemounttype)表面貼裝型PGA。通常PGA為插裝型封裝,引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA在封裝的底面有陳列狀的引腳,其長度從1.5mm到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法,因而也稱為碰焊PGA。因?yàn)橐_中心距只有 1.27mm,比插裝型PGA小一半,所以封裝本體可制作得不怎么大,而引腳數(shù)比插裝型多(250~528),是大規(guī)模邏輯LSI用的封裝。封裝的基材有多層陶瓷基板和玻璃環(huán)氧樹脂印刷基數(shù)。以多層陶瓷基材制作封裝已經(jīng)實(shí)用化。

  23、JLCC(J-leadedchipcarrier)J形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱(見CLCC和QFJ)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。

  24、LCC(Leadlesschipcarrier)無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個(gè)側(cè)面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。

  是高速和高頻IC用封裝,也稱為陶瓷QFN或QFN-C(見QFN)。

  25、LGA(landgridarray)觸點(diǎn)陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點(diǎn)的封裝。裝配時(shí)插入插座即可。現(xiàn)已實(shí)用的有227觸點(diǎn)(1.27mm中心距)和447觸點(diǎn)(2.54mm中心距)的陶瓷LGA,應(yīng)用于高速邏輯LSI電路。LGA與QFP相比,能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外,由于引線的阻抗小,對于高速LSI是很適用的。但由于插座制作復(fù)雜,成本高,現(xiàn)在基本上不怎么使用。預(yù)計(jì)今后對其需求會(huì)有所增加。

  26、LOC(leadonchip)芯片上引線封裝。LSI封裝技術(shù)之一,引線框架的前端處于芯片上方的一種結(jié)構(gòu),芯片的中心附近制作有凸焊點(diǎn),用引線縫合進(jìn)行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側(cè)面附近的結(jié)構(gòu)相比,在相同大小的封裝中容納的芯片達(dá)1mm左右寬度。

  27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP,是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)根據(jù)制定的新QFP外形規(guī)格所用的名稱。

  28、L-QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁,基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7~8倍,具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁,芯片用灌封法密封,從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發(fā)的一種封裝,在自然空冷條件下可容許W3的功率?,F(xiàn)已開發(fā)出了208引腳(0.5mm中心距)和160引腳 (0.65mm中心距)的LSI邏輯用封裝,并于1993年10月開始投入批量生產(chǎn)。

  29、MCM(multi-chipmodule)多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為MCM-L,MCM-C和MCM-D三大類。

  MCM-L是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高,成本較低。

  MCM-C是用厚膜技術(shù)形成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件,與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM-L。

  MCM-D是用薄膜技術(shù)形成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al作為基板的組件。

  布線密謀在三種組件中是最高的,但成本也高。



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