日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程解讀

　轉(zhuǎn)型：2000s，合并整合與轉(zhuǎn)型 SOC

　　為挽回半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的頹敗之勢(shì)，日本半導(dǎo)體企業(yè)首先進(jìn)行了結(jié)構(gòu)性改革。除Elpida 外所有其他的日本半導(dǎo)體制造商均從通用 DRAM 領(lǐng)域中退出，將資源集中到 了具有高附加值的系統(tǒng)集成芯片等領(lǐng)域。

　　2000 年 NEC、日立的 DRAM 部門合并， 成立 Elpida，東芝于 2002 年賣掉了設(shè)在美國(guó)的工廠，2003 年 Elpida 合并了三菱電機(jī)的記憶體部門。

　　但 Elpida 于 2012 年宣告破產(chǎn)，2013 年被美光購(gòu)并，標(biāo)志著日本在 DRAM 的競(jìng)爭(zhēng)中徹底被淘汰。

　　另一方面，日本重新開(kāi)啟了三個(gè)較大型的“產(chǎn)官學(xué)”項(xiàng)目——MIRAI、ASUKA和 HALCA。三個(gè)項(xiàng)目都于 2001 年開(kāi)啟，以產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的世界級(jí)超凈室 (SCR)作為研發(fā)室，“ASUKA”項(xiàng)目由 NEC、日立、東芝等 13 家半導(dǎo)體廠家共 同出資 700 億日元，時(shí)間為 2001-2005，主要研制電路線寬為 65 納米的半導(dǎo)體制造。

　　DRAM 領(lǐng)域主要的生產(chǎn)商是三星、Hynix 和 Micron(包括收購(gòu)的原日本 Elpida);NAND 領(lǐng)域是東芝(與 Sandisk 合資的四日市工廠)， 三星和 Micron;半導(dǎo)體制造設(shè)備是 TEL，Screen，日立高科等;半導(dǎo)體材料是 JSR，TOK，信越等;晶圓有信越，SUMCO 等。