PIC16C5X單片機(jī)概述
在這一章節(jié)里我們將以PIC16C5X系列單片機(jī)為例,詳細(xì)講解PIC單片機(jī)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理。
[1].PIC16C5X單片機(jī)概況
PIC16C5X屬CMOS單片機(jī),是一個(gè)低價(jià)位高性能8位單片機(jī),使用了僅有33條精簡(jiǎn)指令集、單字節(jié)單周期指令,每條指令執(zhí)行時(shí)間最快可達(dá)200ns。易于記憶和使用的指令系統(tǒng)可大大減少產(chǎn)品的開發(fā)時(shí)間。多種時(shí)鐘振蕩電路睡眠低功耗省電模式及WDT(看門狗)帶碼保護(hù)功能,這些特性具有較大優(yōu)勢(shì)。PIC16C5X系列單片機(jī)可廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制、汽車電路、家用電器等領(lǐng)域。
[2].PIC16C5X單片機(jī)主要性能
RISC精簡(jiǎn)指令集,指令僅有33條,指令長(zhǎng)度為12位。
絕大部分均為單機(jī)器周期指令。
工作速度高,最快可達(dá)200ns(20MHz時(shí)鐘時(shí))。
數(shù)據(jù)長(zhǎng)度為8位。
片內(nèi)程序存儲(chǔ)器容量為512-2kbyte。
片內(nèi)靜態(tài)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(SRAM)為25-73byte
硬件組成7個(gè)專用寄存器
兩級(jí)硬件堆棧。
有直接、間接、相對(duì)和位尋址功能。
12-20條I/O引腳,每條引腳均可設(shè)置為輸入和輸出態(tài)。
多種時(shí)鐘振蕩電路及WDT定時(shí)器電路。
寬工作電壓范圍和低功耗模式:工作電壓為2.5V-6.0V,典型工作電流為2mA,睡眠狀態(tài)僅為3uA。
程序保密位,有效地保護(hù)用戶的產(chǎn)權(quán)。
PIC16C5X系列單片機(jī)有多種不同的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、I/O引腳、振蕩類型、振蕩頻率及封裝形式。這些器件可為研發(fā)實(shí)驗(yàn)提供方便,四種振蕩方式是RC、XT、HS和LP,所需的振蕩器是通過對(duì)片內(nèi)的EPROM編程實(shí)現(xiàn)的,未編程狀態(tài)器件為默認(rèn)的RC振蕩方式。
下表是PIC16C5X系列單片機(jī)一覽表:
PIC16C5X系列單片機(jī)一覽表 | |||||||||
型號(hào) | EPROM | RAM | 時(shí)鐘頻率 | 定時(shí)器 | 工作電壓V | I/O口數(shù) | 封裝形式 | ||
PIC16C52 | 384x12 | 25 | DC-4MHz | 1 | 2.5-6.0 | 12 | 18DIP/SOIC | ||
PIC16C54 | 512x12 | DC-20MHz | 1+WDT | ||||||
PIC16C55 | 20 | 28DIP/SOIC | |||||||
PIC16C56 | 1024 | 12 | 18DIP/SOIC | ||||||
PIC16C57 | 2048 | 72 | 20 | 28DIP/SOIC | |||||
PIC16C58 | 73 | 12 | 18DIP/SOIC |
[3].PIC16C5X單片機(jī)引腳圖
PIC16C5X系列單片機(jī)有兩種封裝形式,一種是雙列直插方式,另一種是表面貼裝方式。其引腳如上圖所示?,F(xiàn)對(duì)其功能引腳簡(jiǎn)述如下: [1].RA0-RA3I/O輸入輸出口A,對(duì)應(yīng)內(nèi)部的f5,是一個(gè)4位I/O端口,可位控。 [2].RB0-RB7I/O輸入輸出口B,對(duì)應(yīng)內(nèi)部的f6,是一個(gè)8位I/O端口,可位控。 [3].RC0-RC3I/O輸入輸出口C,對(duì)應(yīng)內(nèi)部的f7,是一個(gè)8位I/O端口,可位控。只有PIC16C55和PIC16C57才有。 [4].RTCC實(shí)時(shí)時(shí)鐘/計(jì)數(shù)器輸入端,在此端口輸入信號(hào)的上升沿或下降沿計(jì)數(shù),邊沿可通過軟件選擇。 [5].MCLR主復(fù)位端,當(dāng)MCLR為低電平時(shí)對(duì)單片機(jī)復(fù)位。 [6].OSC1振蕩信號(hào)輸入端。這個(gè)端口用于外部振蕩信號(hào)的輸入,用RC振蕩時(shí),它接RC電路,用石英振蕩電路時(shí),接石英晶體一端。 [7].OSC2振蕩信號(hào)輸出端。在用石英晶體振蕩器或陶瓷振蕩器時(shí)通過一個(gè)串聯(lián)電阻R接振蕩晶體一端,在RC振蕩時(shí)常作CLKOUT輸出(CLKOUT=1/4fosc)。 [8].VDD電源電壓。一般為5V,其范圍在2.5-6.25V之間。 [9].Vss地端。 [10].NC空引腳。 |
評(píng)論