玻璃基板上造LED實現(xiàn) 有望促進LED低價格化
東京大學(xué)生產(chǎn)技術(shù)研究所教授藤岡洋的研究室開發(fā)出了利用濺射法在玻璃基板上形成氮化鎵(GaN)結(jié)晶構(gòu)成LED的技術(shù)。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201612/325825.htm該技術(shù)使基板及結(jié)晶生長的成本大幅降低,有望促進LED實現(xiàn)低價格化。另外還存在低成本實現(xiàn)大面積LED的可能性,因此還有望實現(xiàn)大屏幕高精細LED顯示器,以及可取代以面發(fā)光為特點的有機EL照明的大面積LED照明。
試制了RGB發(fā)光元件
藤岡等在約5cm見方的玻璃基板上轉(zhuǎn)印了石墨烯多層膜。然后在石墨烯多層膜上用脈沖濺射法(PSD)形成了AlN、n型GaN、由GaN與InGaN的多層構(gòu)造構(gòu)成的量子阱(MQWs),以及p型GaN各層(圖1(a))。據(jù)稱已確認通過光激發(fā)及電流注入均可作為LED發(fā)光。另外,此次還分別制作出了以紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)三原色發(fā)光的LED。
制造效率超過MOCVD
用濺射法來形成包括量子阱等在內(nèi)的高品質(zhì)GaN結(jié)晶,這在以前是公認幾乎不可能的,但仍有很多研究機構(gòu)及企業(yè)在嘗試開發(fā),不過“成功的只有我們,這在全球尚屬首次”(藤岡)。
藤岡早在約10年前就已開始致力于該技術(shù)的開發(fā)?!半m然最初時GaN結(jié)晶品質(zhì)較低,但品質(zhì)及生產(chǎn)效率逐步得到了提高?,F(xiàn)在,生產(chǎn)效率要比LED制造中常用的MOCVD*要高,而且還可實現(xiàn)被稱之為Layer By Layer的、以原子為單位的成膜”(藤岡氏)注1)。
*MOCVD=有機金屬化學(xué)氣相沉積法。由于需要使用毒性強的有機金屬原料及氨氣(NH3)等,因此需要更多的成本。
注1)“犧牲性能來提高制造效率沒有任何意義,因此此次的LED是利用與MOCVD相同的數(shù)μm/h的成膜速度制作的”(藤岡)。
此次開發(fā)的技術(shù)“屬于結(jié)晶生長條件及步驟等經(jīng)驗的范疇,濺射裝置可利用已有的產(chǎn)品”(藤岡)。目前已利用該技術(shù)“試制出了LED以及由GaN構(gòu)成的高電子遷移率晶體管(HEMT)”(藤岡)。
可低成本獲得石墨烯
另外,之所以要在玻璃上鋪上石墨烯,是因為這樣做可使氧化鋁(AlN)及GaN的結(jié)晶品質(zhì)得到大幅提高(圖1(b、c))。
圖1:石墨烯是成功的關(guān)鍵
東京大學(xué)藤岡研究室開發(fā)的、利用濺射法在玻璃上制成的LED元件的構(gòu)造(a)。在玻璃上首先轉(zhuǎn)印石墨烯成為關(guān)鍵,沒有石墨烯的話GaN結(jié)晶的品質(zhì)就不會提高(b 、c )。(圖片、照片由東京大學(xué)提供)
藤岡于2008年開發(fā)了在石墨片材上使AlN結(jié)晶及GaN結(jié)晶生長的技術(shù)。石墨烯可以是只有一層原子的石墨片材,近三年來,已能夠低成本制造數(shù)層且多結(jié)晶的石墨烯大面積片材了。此次使用的石墨烯據(jù)稱就是市售產(chǎn)品?!笆┦嵌S的,因此即便是多結(jié)晶,c軸的朝向也是統(tǒng)一的,晶界狀態(tài)也很好”(藤岡)。
在LED的發(fā)光性能方面,目前還沒有可與已有產(chǎn)品比較的WPE(Wall Plug Efficiency,發(fā)光效率)等數(shù)據(jù)。不過,在對極低溫條件下光激發(fā)產(chǎn)生的內(nèi)部量子效率進行檢測時,“結(jié)果比已有LED低數(shù)成。今后的課題是如何提高內(nèi)部量子效率”(藤岡)。
還可在大面積玻璃上制造
如果發(fā)光性能沒有大的問題,此次的技術(shù)便有可能動搖已有的LED技術(shù),乃至液晶顯示器及有機EL技術(shù)(圖2)。
圖2:大面積LED的價格接近原來的1/10
利用此次技術(shù)制造大面積LED時單位面積制造成本的推測值與2012年普通LED封裝的比較。單位面積的成本接近原來的1/10。假設(shè)結(jié)晶生長的成本通過使用濺射法降至1/2,晶圓處理的制造成本也因大面積化而降至1/2。2012年的具體成本依據(jù)美國能源部的資料。
首先,通過將基板改為玻璃,省去了LED的藍寶石基板。玻璃基板的成本只有藍寶石基板的數(shù)十分之一。即便與使用比藍寶石便宜的Si基板的“GaNon-Si”技術(shù)相比,也有望實現(xiàn)更低的成本。而且,通過使用濺射法,結(jié)晶生長裝置的成本也比MOCVD法降低。另外,如果能夠分別制造RGB發(fā)光元件,還可省去熒光體的成本。不過,只憑借這些方面的改進,LED的制造成本還降不到1/2。因為封裝的成本占到整體的6成。
對此,藤岡認為“LED封裝成本高是因為在小的LED芯片中流過大電流的散熱對策上耗費了成本。而濺射法也普遍用于在數(shù)m見方的玻璃上制造液晶顯示屏,適于大面積的成膜。這樣,在制造大面積LED時,封裝成本就可得到大幅降低”。這時單位面積的制造成本接近已有LED的1/10。
如果能夠低成本制造大面積LED,在實現(xiàn)不用液晶的自發(fā)光LED顯示屏時,門檻就會大為降低。而且與有機EL相比,還具有可靠性高的優(yōu)勢。
此次雖然使用的是玻璃基板,但“只要可轉(zhuǎn)印石墨烯,并具有可承受約500℃處理溫度的耐熱性,基板可使用任何材質(zhì)”(藤岡)。另外,如果利用超薄可彎曲的玻璃基板等,還可制造具有柔性的大面積LED。
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