TL494用在正激電源中 散發(fā)能量無限大
本文基于TL494驅(qū)動芯片的雙管正激小功率電源,首先來說說正激變換吧,正激變換的拓?fù)?/strong>簡單,升壓、降壓范圍寬,所以被廣泛應(yīng)用于中小功率電源變換場合。正激變換與TL494可謂天作之合,具有著同樣特點而且是我今天介紹的主角——TL494閃亮登場,驅(qū)動芯片TL494是一種成本低廉、驅(qū)動能力強、死區(qū)時間可控,并帶有兩個誤差放大器。當(dāng)負(fù)載變化時進行電壓和電流反饋PI調(diào)節(jié),這樣就進一步加強了電源穩(wěn)定性。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201612/327554.htm1 雙管正激變換器電路
雙管正激變換器電路如圖1所示。
該主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有三個優(yōu)點:
(1) 克服了單端正激變換器中開關(guān)電壓應(yīng)力高的缺點。
(2) 不需要采用特殊的磁通復(fù)位技術(shù),避免復(fù)雜的去磁繞組的設(shè)計和減少高頻變壓器的體積,使電路變得簡潔,也不需要加RCD來進行復(fù)磁箝位,并能對電源進行饋電,提高了效率。
(3) 與全橋變換器和半橋變換器相比,每一個橋臂都是由一個二極管和一個開關(guān)管串聯(lián)組成,不存在橋臂直通的問題,可靠性高。
2 PWM驅(qū)動芯片TL494 的特點
TL494是典型的固定頻率脈寬調(diào)制控制集成電路,它包含了控制開關(guān)電源所需的全部功能,可作為雙管正激式、半橋式、全橋式開關(guān)電源的控制系統(tǒng)。它的工作頻率為1~ 300 kHz,輸入電壓達(dá)40V,輸出電流為200mA,其內(nèi)部原理圖如圖2 所示。
TL494 內(nèi)部設(shè)置了線性鋸齒波振蕩器,振蕩頻率f = 1. 1/ ( R C) ,它可由兩個外接元件R 和C 來調(diào)節(jié)( 分別接6 腳和5 腳) 。TL494 內(nèi)設(shè)兩個誤差放大器,可構(gòu)成電壓反饋調(diào)節(jié)器和電流反饋調(diào)節(jié)器,分別控制輸出電壓的穩(wěn)定和輸出過流的保護; 設(shè)置了5V 1%的電壓基準(zhǔn)( 14 腳) ,它的死區(qū)時間調(diào)節(jié)輸出形式可單端, 也可以雙端,一般是作為雙端輸出類型的脈寬調(diào)制PWM,TL494作為一種PWM 控制芯片有如下特點:
(1) 控制信號由IC 外部輸入,一路送到死區(qū)時間控制端,一路送到兩路誤差放大器輸入端,又稱PWM比較器輸入端。
(2) 死區(qū)時間控制比較器具有120 mV 有效輸入補償電壓,它限制最小輸出死區(qū)時間近似等于鋸齒波周期時間的4% 。在死區(qū)時間控制端,設(shè)置固定電壓時( 范圍0~ 0. 3 V) 就能在輸出脈沖上產(chǎn)生附加的死區(qū)時間。
(3) 在輸出控制13 腳接地時,這將使最大占空系數(shù)為已知輸出的96 %,而在輸出控制13 腳接參考電平時,占空比則是給定輸出的48 % 。
(4) 脈寬調(diào)制比較器、誤差放大器能調(diào)節(jié)輸出脈寬。
圖4 是對直流側(cè)輸出的電壓進行采樣,其中光耦選擇至關(guān)重要。我們用TLP521,內(nèi)部是兩只光耦集成在一個芯片中,其傳輸特性幾乎完全一致,根據(jù)電流相等的原理,這樣就能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的直流高壓隔離采樣。
TL494 內(nèi)部設(shè)置了線性鋸齒波振蕩器,振蕩頻率f = 1. 1/ ( R C) ,它可由兩個外接元件R 和C 來調(diào)節(jié)( 分別接6 腳和5 腳) 。TL494 內(nèi)設(shè)兩個誤差放大器,可構(gòu)成電壓反饋調(diào)節(jié)器和電流反饋調(diào)節(jié)器,分別控制輸出電壓的穩(wěn)定和輸出過流的保護; 設(shè)置了5V 1%的電壓基準(zhǔn)( 14 腳) ,它的死區(qū)時間調(diào)節(jié)輸出形式可單端, 也可以雙端,一般是作為雙端輸出類型的脈寬調(diào)制PWM,TL494作為一種PWM 控制芯片有如下特點:
(1) 控制信號由IC 外部輸入,一路送到死區(qū)時間控制端,一路送到兩路誤差放大器輸入端,又稱PWM比較器輸入端。
(2) 死區(qū)時間控制比較器具有120 mV 有效輸入補償電壓,它限制最小輸出死區(qū)時間近似等于鋸齒波周期時間的4% 。在死區(qū)時間控制端,設(shè)置固定電壓時( 范圍0~ 0. 3 V) 就能在輸出脈沖上產(chǎn)生附加的死區(qū)時間。
(3) 在輸出控制13 腳接地時,這將使最大占空系數(shù)為已知輸出的96 %,而在輸出控制13 腳接參考電平時,占空比則是給定輸出的48 % 。
(4) 脈寬調(diào)制比較器、誤差放大器能調(diào)節(jié)輸出脈寬。
圖4 是對直流側(cè)輸出的電壓進行采樣,其中光耦選擇至關(guān)重要。我們用TLP521,內(nèi)部是兩只光耦集成在一個芯片中,其傳輸特性幾乎完全一致,根據(jù)電流相等的原理,這樣就能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的直流高壓隔離采樣。
由電路圖可知輸入輸出比:
當(dāng)反饋電壓3 腳從0. 5V~ 3.5V時,輸出脈寬從被死區(qū)時間控制輸入端確定的最大導(dǎo)通時間里下降到零。
3 電源電路
3. 1 電源主電路
從圖3 可以看出,電路結(jié)構(gòu)簡單,容易實現(xiàn),并在MOSFET 橋臂增加了霍爾傳感器,以保證輸出反饋電流環(huán)的要求。為了增加電路的通用性, 設(shè)計的電路板增加了雙路輸出的功能,只要改變變壓器的設(shè)計,即可以完成多路輸出。當(dāng)兩個主功率開關(guān)管截止時,原邊繞組的電壓極性相反,使另外一橋臂的兩個二極管導(dǎo)通,電壓被箝位在輸入電壓值。因此開關(guān)管承受的電壓與輸入電壓相同。在輸入電壓最大值低于350 V時,開關(guān)管只需要選擇450 V 的耐壓值即可。這里我們選用N 溝道MOSFET , IRF830( 4. 5 A/ 500 V) 。
3. 2 直流側(cè)電壓采樣
只要合理選擇電阻的參數(shù)值,就可以把高壓側(cè)的輸出電壓降為需要的采樣電壓值。
3. 3 流過主電路開關(guān)管的電流采樣
圖5 中4R1接主電路上的霍爾傳感器,有效地避免因變壓器原邊電流過流而可能出現(xiàn)燒壞主電路功率開關(guān)管的現(xiàn)象。為此,必須對流過MOSFET 開關(guān)管的脈沖電流大小進行采樣。當(dāng)發(fā)生過流時, 系統(tǒng)應(yīng)能夠快速反應(yīng)做出相應(yīng)的保護措施。流過MOFET 脈沖電流經(jīng)開環(huán)霍爾電流傳感器轉(zhuǎn)換為電壓信號,再經(jīng)過簡單RC 濾波和同相比例放大器得到需要的電流采樣值。
3. 4 主控制電路
主控芯片電路如圖6。TL494的13 腳接到高電平,運行在推挽輸出模式。10 腳作為驅(qū)動信號輸出接口,驅(qū)動電流可達(dá)500 mA。4 腳外圍電路是軟啟動部分。由于T L494 內(nèi)部放大器15、1 6、3 腳組成的放大器構(gòu)成了過流保護電路,一旦檢測到電流過流,則3 腳輸出高電平封閉了1、2、3腳組成的放大器。同時,使得PWM 輸出占空比減少,保證主電路開關(guān)管的安全。
反饋電壓的PI 調(diào)節(jié)部分的LM324內(nèi)部的一個放大器組成的電壓閉環(huán)。T L494 的1、2、3 腳組成的內(nèi)部放大器構(gòu)成了電流閉環(huán)。當(dāng)輸出電壓偏高時,經(jīng)過了電壓閉環(huán)電路后,ULOOP 變小, 經(jīng)過了電流閉環(huán)后,F(xiàn)B 端口電壓變大,輸出PWM 脈寬變小,輸出電壓調(diào)低。當(dāng)變壓器原邊電流增大時,經(jīng)過了電流閉環(huán)后,F(xiàn)B 端口電壓變大,輸出PWM 脈寬變小,電流值減小,可見構(gòu)成的雙環(huán)系統(tǒng)可以穩(wěn)定的運行。
3. 5 MOSFET 驅(qū)動電路
主電路的兩個MOSFET開關(guān)管要求同時開通,同時關(guān)閉。主控芯片TL494 發(fā)出的控制信號,要一分為二來驅(qū)動MOSFET。驅(qū)動信號經(jīng)過推挽電路,再經(jīng)過脈沖變壓器可以很方便的得到一對同相位的控制信號。
4 試驗波形
通過調(diào)壓器在供電電源端輸入110 V 的交流電壓,使得系統(tǒng)穩(wěn)定的工作在30 V、1 A 的負(fù)載下, 觀察TL494 電源芯片輸出的驅(qū)動信號波形、MOSFET開關(guān)管Ugs、Uds 、負(fù)載正常工作時的波形、以及突然加載、突然掉載情況,其試驗波形如圖7。
5 總結(jié)
開關(guān)電源中最重要的要數(shù)DC-DC變換器和控制電路兩部分。文中通過對樣機測試,從而得以證明該電路實用可靠并工作穩(wěn)定,當(dāng)然技術(shù)細(xì)節(jié)上還有待提高,將來會對PFC和軟開關(guān)設(shè)計進一步研究。
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