IEDM的初體驗

　　歷史長達53年的IEDM（International Electron Devices Meeting）是IEEE旗下的王牌會議之一。IEDM的召開時間固定在每年12月的第二個星期，會議地點則在美國華盛頓特區(qū)和舊金山市之間輪換。業(yè)界的各個研究單位，包括大公司的研發(fā)部門、獨立研究機構及大學的相關小組，通常會積極地在IEDM上報道半導體及電子器件領域的最新進展。IEDM討論的議題十分廣泛，涵蓋制造、設計、物理和建模等各個方面，從最先進的CMOS工藝到Memory和顯示技術，從化合物半導體到納米器件，從MEMS到智能電源等，不一而足。

　　IEDM影響力巨大，在業(yè)界的權威性毋庸置疑。IEDM論文數(shù)量時常受到關注，因為它很大程度上反映出一個研究單位在那一年的活躍程度和實力地位。以2004年為例，論文發(fā)表數(shù)名列前茅的兩家公司是三星和IBM，三星在2000年之后籍由逆勢擴張政策迅速崛起，排名第一在情理之中，而IBM則是老牌的研究大戶，Intel只位列第五，與其地位稍稍不符，到非實力不濟，大概與其不事張揚的內(nèi)部政策有關系。在獨立研究機構中領先的是法國的CEA-LETI和比利時的IMEC，合縱連橫

　　是歐洲研究中心的拿手好戲，在當今業(yè)界技術聯(lián)盟滿天飛的大勢之下，它們想不出頭都難。最活躍的大學是新加坡國立和美國的Texas大學 Austin分校。值得注意的是，新竹交大和TSMC各貢獻4.5篇論文，表現(xiàn)相當搶眼。

　　由于受國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平的限制，長期以來，IEDM都與我們無緣。直到2004年，50歲的IEDM才第一次聽到來自中國大陸的聲音。中科院微系統(tǒng)所的李昕欣研究員、清華大學的任天令教授和SMIC的S. Yang博士，分別代表產(chǎn)學研三界介紹其研究成果，向全球的同行們展示了國內(nèi)在半導體技術上的長足進步。IEDM的初體驗是如此的甜蜜而圓滿，讓我們來欣賞一下他們的杰作。

　　微系統(tǒng)所的研究人員將STI（淺槽隔離）技術加以變化后運用到單晶圓MEMS的制作上，發(fā)展出一種溝槽-側(cè)墻（Trench-Sidewall）技術。其主要步驟是先在Si晶圓上形成淺槽SiO2隔離層，接著腐蝕晶圓的背面直到露出SiO2隔離層，然后在晶圓表面進行選擇性硼擴散并刻蝕形成溝槽，最后利用硼在外露的溝槽側(cè)墻上自發(fā)擴散，就可以將壓阻/電容式傳感器和靜電制動器集成到溝槽側(cè)墻。這種技術被成功地應用到懸臂式加速度計的制作上，獲得的溝槽側(cè)墻具有良好的電性能，加速度感應的測量結果和靜電自檢測結果均符合設計要求。

　　清華大學的研究思路與微系統(tǒng)所有異曲同工之妙。他們將鐵電薄膜與Si基MEMS巧妙結合，利用壓電效應設計并制備出性能優(yōu)良、高可靠性的超聲波微話筒，其結構與常規(guī)話筒大同小異。而且由于存在壓電效應的逆效應，這種微話筒同時還可以當作微喇叭使用。該項技術方法的關鍵是制備高平整度和高質(zhì)量的PZT薄膜。清華大學的師生們還展望了這種微型聲學設備在超聲波領域的廣闊應用前景，比如汽車防撞系統(tǒng)，直升飛機的安全高度監(jiān)測儀，移動通訊設備的超聲感應與定位等。他山之石，可以攻玉，將IC技術巧妙地運用到MEMS中，中科院和清華大學的這兩個研究小組以其新穎的創(chuàng)意引起關注。

　　SMIC的工程師們沒有象其它公司那樣熱衷于討論當時最新的制造技術如65nm工藝等。他們從有效成品率學習方法論的角度，重點介紹SMIC如何從無到有、迅速起步，以及怎樣有效地縮短量產(chǎn)所需的學習周期并控制生產(chǎn)成本，展示了SMIC在90nm工藝、銅互連、MIM電容及電感等方面的進展與實力。其核心是不求最貴（新技術），但求最好（適用），強調(diào)以客戶為導向進行技術革新，在大量的技術文章中顯得與眾不同。

　　但是我們的IEDM之路并沒有因為這次成功的初體驗而變得一帆風順，IEDM 2005再次令人遺憾。IEDM 2006即將于12月在舊金山召開，結果會如何呢？翹首以待吧。