開關(guān)電源的主要測(cè)試點(diǎn)

測(cè)試點(diǎn)的選擇非常重要，測(cè)試點(diǎn)選擇合理，既可以保證調(diào)試安全，又可以反映出開關(guān)電源的工作狀態(tài)，能夠簡(jiǎn)化調(diào)試過程。

開關(guān)電源的測(cè)試點(diǎn)選擇如圖7-3-1所示。測(cè)試點(diǎn)TP1為MOSFET功率開關(guān)管的漏極，TP2為開關(guān)管的源極，Rs為電流取樣電阻，TP3是初級(jí)一次高壓回路的負(fù)極。我們可以將TP1、TP2這兩個(gè)測(cè)試點(diǎn)連接到雙蹤示波器的兩個(gè)輸入通道（CH1和CH2）,同時(shí)觀察兩點(diǎn)的電壓波形。此時(shí)兩個(gè)探頭的接地端要同時(shí)連接到一次輸入直流回路的負(fù)極，即TP3位置。實(shí)際測(cè)量時(shí)，可將探頭的接地夾直接夾在Rs的接地引腳上。
從TP1可以看到功率開關(guān)管的漏極電壓波形，這個(gè)波形能夠反映出漏極尖峰電壓、輸入直流高壓、二次反射電壓、開關(guān)管導(dǎo)通壓降及導(dǎo)通與截止時(shí)間等信息。在單端反激式開關(guān)電源中，功率開關(guān)管的漏極電壓波形如圖7-3-2所示。
從TP2可以看到功率開關(guān)管的源極電壓波形，這個(gè)波形是取樣電阻Rs上的電壓波形，能夠反映出漏極電流及導(dǎo)通與截止時(shí)間等信息。功率開關(guān)管得漏極電流波形如圖7-3-3所示。該波形反映出開關(guān)電源工作在電流連續(xù)模式。每個(gè)周期中，開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)，漏極電流從最小的起始電流開始上升。開關(guān)管關(guān)斷前，漏極電流到達(dá)最大值。

TP1和TP2這兩個(gè)測(cè)試點(diǎn)很關(guān)鍵，基本能夠反映出開關(guān)電源的工作狀態(tài)和有無故障。在調(diào)試過程中，要特別注意這兩個(gè)測(cè)試點(diǎn)的波形。在逐漸升高輸入交流電壓時(shí)，如果發(fā)現(xiàn)峰值電壓或者峰值電流超過設(shè)計(jì)范圍，應(yīng)該立即關(guān)閉電源，查找原因，以防功率開關(guān)管的損壞。
有時(shí)，為了觀測(cè)高頻變壓器初級(jí)一次繞組的電流波形，還可以在一次繞組串聯(lián)取樣電阻。一次回路電流的取樣電路如圖7-3-4所示，這時(shí)的測(cè)量狀態(tài)就是之前文章談到的“浮動(dòng)”測(cè)量。理論上講，取樣電阻串聯(lián)在初級(jí)一次繞組上端或者下端都可以；實(shí)際上，如果串聯(lián)在一次繞組下端，見圖中Rs1位置，測(cè)量時(shí)會(huì)在示波器接地線上產(chǎn)生浮動(dòng)的高壓脈沖。這樣做既不安全，也會(huì)產(chǎn)生較大的測(cè)量干擾和誤差，還可能影響開關(guān)電源的正常工作。正確的方法是將取樣電阻串聯(lián)在一次繞組上端，見圖Rs位置，并且要在TP1端連接示波器探頭的信號(hào)線，在TP2端連接探頭的接地夾子。這樣，雖然一次回路電路波形是反極性的，但測(cè)量時(shí)的干擾和誤差是最小的，對(duì)開關(guān)電源的正常工作沒有影響。可以通過示波器的反極性（INV）功能按鈕，觀看到正極性的一次電流波形。
特別說明：觀測(cè)高頻變壓器初級(jí)電流波形時(shí)，示波器探頭的接地夾子將與直流高壓的正端連接。示波器其他通道的探頭及接地夾必須與相關(guān)電路斷開，否則會(huì)發(fā)生短路或者損壞電路的元器件。也就是說，觀測(cè)初級(jí)一次回路電流波形時(shí)，只能使用一個(gè)通道，其他通道必須完全斷開。當(dāng)使用內(nèi)置隔離通道技術(shù)的示波器時(shí)，不存在這個(gè)問題。