無(wú)鉛制造的可行性與測(cè)試控制
從高鉛材料(PbR)切換到無(wú)鉛材料時(shí), 應(yīng)該加強(qiáng)對(duì)失效模式的分析(FMEA)。從機(jī)械學(xué)角度上看,典型的無(wú)鉛材料要比高含鉛材料硬。一般文獻(xiàn)中所引用的具有代表性的特性數(shù)據(jù)是源自一個(gè)固態(tài)樣本(標(biāo)準(zhǔn)的體積大小及質(zhì)量)。
不幸的是,回流后的焊料合金即不是標(biāo)準(zhǔn)的體積,也與初始的合金具有不同的成分(金、銅、鎳、鈀和其它金屬會(huì)污染合金,改變其機(jī)械參數(shù))。我們?nèi)鄙倌軌驅(qū)Ρ惹驙詈蛪K狀焊點(diǎn)機(jī)械性能的、有凸點(diǎn)和無(wú)凸點(diǎn)倒裝芯片的、以及顯示無(wú)鉛合金機(jī)電性能改變的圖表。
對(duì)焊料凸點(diǎn)和外部環(huán)境間接觸區(qū)域的仔細(xì)檢查顯示出,硬度對(duì)插座設(shè)計(jì),電氣接觸(阻抗和接觸電阻)以及整個(gè)產(chǎn)出有明顯的影響。不僅包括無(wú)鉛合金硬度增加帶來(lái)的問(wèn)題,就連表面氧化物/助焊劑殘留的綜合效應(yīng),也能在首次電氣接觸和接觸電阻上產(chǎn)生多種影響。
兩種現(xiàn)成的“BGA”器件(相同封裝,一種含鉛量高,另一種不含鉛;精確的合金成份與本次試驗(yàn)無(wú)關(guān))被用來(lái)評(píng)價(jià)焊料切換帶來(lái)的影響。圖1和圖2顯示了一個(gè)明顯的負(fù)荷變化情況,以證實(shí)類似的凸點(diǎn)變形。(形變程度和為形成電氣接觸而在凸點(diǎn)上所施加的最小外力有直接關(guān)系對(duì)于使用錫鉛合金的電氣接觸而言,是典型的形變情況)
如圖3和圖4所顯示的,在目標(biāo)負(fù)荷情況下,含鉛量高的器件會(huì)比無(wú)鉛合金器件發(fā)生最高可達(dá)50%的形變。當(dāng)負(fù)荷移走后,含鉛量高的器件會(huì)保留比無(wú)鉛合金器件多達(dá)75%的形變。這種現(xiàn)象和高鉛焊料的機(jī)械特性有關(guān),并在銅互連封裝的倒裝芯片上表現(xiàn)得尤其明顯。改變凸點(diǎn)的化學(xué)成份會(huì)導(dǎo)致在冶金學(xué)和機(jī)械性能方面的一系列改變;很可能是由于銅在焊接過(guò)程中的溶解和形成新的合金造成的。
當(dāng)我們尋找改進(jìn)安裝到插座上的BGA或探針卡上的倒裝芯片壽命的方法時(shí),需要懂得如何從高鉛向無(wú)鉛切換才會(huì)影響到電氣和機(jī)械性能,那么,物理測(cè)試是必需的。對(duì)于倒裝芯片,為確定是否在提高產(chǎn)出的同時(shí)能維持更好的工藝控制,電氣機(jī)械特性的比較分析是必需的。伴隨著正確的工具設(shè)定(該過(guò)程使用改良自CSM儀表的工具),電氣接觸電阻——也包括確切的首次電氣接觸及機(jī)械持久力——能很容易獲得。
在評(píng)估中,我們確定了處于確切電氣接觸和機(jī)械形變之間的最佳接觸點(diǎn),以便更好地進(jìn)行工藝控制。數(shù)據(jù)顯示,從高鉛向無(wú)鉛的切換,在電氣或機(jī)械方面都不是一個(gè)簡(jiǎn)單的轉(zhuǎn)換,這和回流溫度無(wú)關(guān)。這一方法也給研究者提供了一個(gè)早期的機(jī)會(huì),以評(píng)估在焊料凸點(diǎn)的可靠性方面由于測(cè)試設(shè)備未對(duì)準(zhǔn)而造成的影響。
電氣機(jī)械數(shù)據(jù)提供給工藝/設(shè)計(jì)FMEA人員在合金選擇方法上一個(gè)無(wú)偏差的數(shù)據(jù)。相對(duì)建模方式,這一基于實(shí)際數(shù)據(jù)來(lái)選擇合適材料的方法,在插座配置和界面硬件的配置上,從工程方面去除了憑猜測(cè)所做的工作,做到了“一次正確”的設(shè)定。合金的電氣機(jī)械特性的確定不僅僅幫助了封裝設(shè)計(jì)人員,也為器件設(shè)計(jì)提供了支持。無(wú)論在機(jī)械還是電氣方面,由于將器件裝入插座并測(cè)試而需要增加的負(fù)荷,硅片或許會(huì)被損壞。同樣重要地,如果實(shí)現(xiàn)電氣接觸所需要的力超過(guò)機(jī)械負(fù)荷極限時(shí),具有低介電常數(shù)(Low K)結(jié)構(gòu)的倒裝芯片將會(huì)面臨可靠性的問(wèn)題。
小幾何尺寸的高鉛倒裝芯片凸點(diǎn)在實(shí)現(xiàn)電氣接觸時(shí),通常每個(gè)凸點(diǎn)需要承受15到20克的力。我們的團(tuán)隊(duì)使用了一個(gè)經(jīng)改裝的“CSM-Instruments”的微米級(jí)硬度工具,針對(duì)模擬穩(wěn)定電氣接觸和產(chǎn)出所需要的力的變量做出快速的評(píng)估。結(jié)果顯示,相對(duì)于錫鉛焊料,無(wú)鉛材料可能需要增加70%甚至更多的負(fù)荷(這個(gè)結(jié)果由四點(diǎn)探針機(jī)構(gòu)的 Kelvin 連接確認(rèn)過(guò)了,顯示了一個(gè)74%的差別。CSM工具使用了大約5分鐘,而使用 Kelvin 連接可能需要將近兩周時(shí)間才能得到結(jié)果)。代替標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試模塊的電阻系數(shù)和硬度,設(shè)計(jì)者和工藝工程師需要向焊料和儀器供應(yīng)商索要這類數(shù)據(jù)。
上述因素在FMEA上可能帶來(lái)更大的變化,并且對(duì)性能產(chǎn)生影響(對(duì)部件和器件是相似的),比如助焊劑殘留物,氧化物,合金污染物應(yīng)該和凸點(diǎn)合金一同被評(píng)估。清洗和其它通過(guò)去除助焊劑殘留和氧化物來(lái)清潔凸點(diǎn)的工藝,可以作為一個(gè)附加的標(biāo)準(zhǔn),以便在一個(gè)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)中得到驗(yàn)證。DoE過(guò)程可以被概括為,針對(duì)凸點(diǎn)合金而建議采用正確的探針設(shè)計(jì)來(lái)匹配優(yōu)先的目標(biāo)產(chǎn)出,同時(shí)增加生產(chǎn)量和優(yōu)化硬件設(shè)計(jì)。
針對(duì)凸點(diǎn)的幾何形狀優(yōu)化探針設(shè)計(jì)是非常必要的,這有助于防止探針在有效刺穿助焊劑殘留物和氧化層,保證電氣連接的同時(shí),對(duì)凸點(diǎn)產(chǎn)生損傷(要形成電氣接觸,有些凸點(diǎn)的形變是需要的;過(guò)多的負(fù)荷導(dǎo)致了損壞和產(chǎn)出率的降 (低)。該工藝已從幾個(gè)月(有臨界結(jié)果)被改進(jìn)到了幾天(有精確的測(cè)試結(jié)果)。伴隨著正確的方法,不斷改進(jìn)的工藝,以及器件和設(shè)備的優(yōu)化,一個(gè)完整的凸點(diǎn)形變和電氣優(yōu)化的分析用不了3天就可以完成。
最后,當(dāng)比較無(wú)鉛和高鉛焊料時(shí),注意由于尺寸的變化,在倒裝芯片的焊料凸點(diǎn)和μBGA封裝間(250μm凸點(diǎn)幾何尺寸相對(duì)750μm),會(huì)產(chǎn)生耐久力的變化。當(dāng)加載了不同的負(fù)荷時(shí),可以觀察到“形變”上的差別。實(shí)驗(yàn)的結(jié)果是符合實(shí)際的測(cè)試數(shù)據(jù)的,其誤差小于5%(如果 Kelvin 連接是個(gè)因素的話,部分的誤差可以被消除)。對(duì)于測(cè)試硬件設(shè)計(jì),預(yù)防性的維護(hù)(PM)和晶片的破裂而言,這一差別是非常關(guān)鍵的,尤其是當(dāng)無(wú)鉛凸點(diǎn)安裝在低介電常數(shù)焊盤上時(shí)。在封裝或晶片上過(guò)多的負(fù)荷可能導(dǎo)致部件的損壞和設(shè)備的停機(jī)。如果使用無(wú)鉛焊料,尤其是使用在低介電常數(shù)結(jié)構(gòu)上時(shí),一個(gè)和這里所討論的某個(gè)類似的分析方法,可能對(duì)市場(chǎng)銷售和可靠性的改良是有幫助的。
評(píng)論