常用中英文測(cè)試測(cè)量術(shù)語大全
儀器的讀數(shù)和對(duì)于公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)認(rèn)可的標(biāo)準(zhǔn)具有絕對(duì)溯源性的一級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的讀數(shù)之間接近程度的度量。
Auto-Ranging(自動(dòng)量程):
儀器自動(dòng)地在各個(gè)量程之間切換,以確定給出最高分辨率的量程的能力。各個(gè)量程通常是按十進(jìn)值步進(jìn)的。
Auto-Ranging Time(自動(dòng)量程時(shí)間):
對(duì)于具有自動(dòng)量程能力的儀器來說,自動(dòng)量程時(shí)間是從向儀器加入步進(jìn)輸入信號(hào)到儀器顯示出結(jié)果之間的時(shí)間間隔,其中包括確定并改變到正確量程的時(shí)間。
Bandwidth(帶寬):
在一定的限度內(nèi)能夠通過或者放大的頻率范圍。帶寬通常按-3dB(半功率)點(diǎn)來規(guī)定。
Capacitance(電容):
在電容器或者由導(dǎo)體和介電材料組成的系統(tǒng)中,當(dāng)導(dǎo)體之間存在電位差時(shí),能夠儲(chǔ)存電氣上分離的電荷的性質(zhì)。電容與電荷及電壓的關(guān)系為:C=Q/V,其中C為以法拉為單位的電容, Q為以庫(kù)侖為單位的電荷,V為以伏特為單位的電壓。
Carbon Nanotube(碳納米管):
由單層碳原子形成的、具有新的電學(xué)和張力性質(zhì)的管狀納米器件。這種纖維可能表現(xiàn)出象銅那樣高的導(dǎo)電性,,象金剛石那樣的導(dǎo)熱性,其強(qiáng)度比鋼高100倍,而 重量卻只有鋼的六分之一,能夠承受很高的應(yīng)變而不會(huì)損壞。這種材料可以是超導(dǎo)體、絕緣體、半導(dǎo)體或者導(dǎo)體(金屬)。非碳的納米管通常稱為納米線,通常由氮 化硼或者硅生成。
Channel(switching)(通道與開關(guān)):
開關(guān)卡上若干個(gè)信號(hào)通道之一。對(duì)于掃描器或多路選通卡來說,在測(cè)量電路中通道用作開關(guān)輸入,在源電路中通道用作開關(guān)輸出。在開關(guān)卡上,每個(gè)通道與其它的通道獨(dú)立。在矩陣卡上,通道則由行列交叉點(diǎn)上的繼電器的動(dòng)作而形成。
Contamination(沾污):
通常用來說明不希望的物質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體或絕緣體的物理、化學(xué)、或電學(xué)性質(zhì)的不良的影響。
D/A(Digital-To-Analog)Converter(數(shù)模變換器):
用來把數(shù)字信息變換成模擬信號(hào)的電路。在很多的儀器中都使用數(shù)模變換器來提供隔離的模擬輸出。
Digital Multimeter(DMM)(數(shù)字多用表):
將模擬信號(hào)變換成數(shù)字信息并進(jìn)行顯示,測(cè)量電壓、電流、電阻、或其它電參數(shù)的電子儀器。
Drift(漂移):
輸入信號(hào)或者工作條件不變時(shí),讀數(shù)的逐漸變化。
Dry Circuit Testing(干電路測(cè)試):
為了不影響被測(cè)器件的氧化層或者使其發(fā)生其它性能下降,保持器件兩端的電壓為一定電平(例如 < 20mV)的測(cè)量過程。
Electrochemical Effect(電化學(xué)效應(yīng)):
由沾污和濕度引起的原電池效應(yīng)而產(chǎn)生電流的現(xiàn)象。
Electrometer(靜電計(jì)):
專門精制的直流多用表。與數(shù)字多用表相比,靜電計(jì)的特點(diǎn)是更高的輸入阻抗和更高的電流靈敏度。它還可能具有一般數(shù)字多用表所沒有的功能(例如,測(cè)量電荷、輸出電壓等)。
EMF(電動(dòng)勢(shì)):
電動(dòng)勢(shì)或者熱電勢(shì)。EMF通常用于由電磁、電化學(xué)或者熱電效應(yīng)產(chǎn)生的電壓差的情況。
Electrostatic Coupling(靜電耦合):
由導(dǎo)體附近變化或運(yùn)動(dòng)的電壓源產(chǎn)生電流的現(xiàn)象。
Error(誤差):
測(cè)量結(jié)果與其真值的偏差(差值或者比率)。真值由其本質(zhì)決定是不可能確定的。參見Random Error和Systematic Error。
Fall Time(下降時(shí)間):
信號(hào)從其峰-峰值的一個(gè)大的百分比(通常為90%)變到其峰-峰值的一個(gè)小的百分比(通常為10%)所需要的時(shí)間。參見Rise Time。
Faraday Cup(法拉第杯):
法拉第杯(有時(shí)又稱為法拉第籠或法拉第桶)是用金屬板或者金屬網(wǎng)制成的封閉設(shè)備。它由兩個(gè)電極組成,一個(gè)在另一個(gè)的內(nèi)部,由絕緣體分開。內(nèi)電極連到靜電計(jì), 外電極連到地。當(dāng)帶電物體放到內(nèi)電極里面的時(shí)候,所有的電荷就將流到測(cè)量?jī)x器。由于閉合、中空的導(dǎo)體中的電場(chǎng)為零,所以,法拉第杯就把放在其內(nèi)部的物體屏 蔽起來,不受大氣的或者任何寄生的電場(chǎng)的影響。這樣就能準(zhǔn)確地測(cè)量物體上的電荷。
Auto-Ranging(自動(dòng)量程):
儀器自動(dòng)地在各個(gè)量程之間切換,以確定給出最高分辨率的量程的能力。各個(gè)量程通常是按十進(jìn)值步進(jìn)的。
Auto-Ranging Time(自動(dòng)量程時(shí)間):
對(duì)于具有自動(dòng)量程能力的儀器來說,自動(dòng)量程時(shí)間是從向儀器加入步進(jìn)輸入信號(hào)到儀器顯示出結(jié)果之間的時(shí)間間隔,其中包括確定并改變到正確量程的時(shí)間。
Bandwidth(帶寬):
在一定的限度內(nèi)能夠通過或者放大的頻率范圍。帶寬通常按-3dB(半功率)點(diǎn)來規(guī)定。
Capacitance(電容):
在電容器或者由導(dǎo)體和介電材料組成的系統(tǒng)中,當(dāng)導(dǎo)體之間存在電位差時(shí),能夠儲(chǔ)存電氣上分離的電荷的性質(zhì)。電容與電荷及電壓的關(guān)系為:C=Q/V,其中C為以法拉為單位的電容, Q為以庫(kù)侖為單位的電荷,V為以伏特為單位的電壓。
Carbon Nanotube(碳納米管):
由單層碳原子形成的、具有新的電學(xué)和張力性質(zhì)的管狀納米器件。這種纖維可能表現(xiàn)出象銅那樣高的導(dǎo)電性,,象金剛石那樣的導(dǎo)熱性,其強(qiáng)度比鋼高100倍,而 重量卻只有鋼的六分之一,能夠承受很高的應(yīng)變而不會(huì)損壞。這種材料可以是超導(dǎo)體、絕緣體、半導(dǎo)體或者導(dǎo)體(金屬)。非碳的納米管通常稱為納米線,通常由氮 化硼或者硅生成。
Channel(switching)(通道與開關(guān)):
開關(guān)卡上若干個(gè)信號(hào)通道之一。對(duì)于掃描器或多路選通卡來說,在測(cè)量電路中通道用作開關(guān)輸入,在源電路中通道用作開關(guān)輸出。在開關(guān)卡上,每個(gè)通道與其它的通道獨(dú)立。在矩陣卡上,通道則由行列交叉點(diǎn)上的繼電器的動(dòng)作而形成。
Contamination(沾污):
通常用來說明不希望的物質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體或絕緣體的物理、化學(xué)、或電學(xué)性質(zhì)的不良的影響。
D/A(Digital-To-Analog)Converter(數(shù)模變換器):
用來把數(shù)字信息變換成模擬信號(hào)的電路。在很多的儀器中都使用數(shù)模變換器來提供隔離的模擬輸出。
Digital Multimeter(DMM)(數(shù)字多用表):
將模擬信號(hào)變換成數(shù)字信息并進(jìn)行顯示,測(cè)量電壓、電流、電阻、或其它電參數(shù)的電子儀器。
Drift(漂移):
輸入信號(hào)或者工作條件不變時(shí),讀數(shù)的逐漸變化。
Dry Circuit Testing(干電路測(cè)試):
為了不影響被測(cè)器件的氧化層或者使其發(fā)生其它性能下降,保持器件兩端的電壓為一定電平(例如 < 20mV)的測(cè)量過程。
Electrochemical Effect(電化學(xué)效應(yīng)):
由沾污和濕度引起的原電池效應(yīng)而產(chǎn)生電流的現(xiàn)象。
Electrometer(靜電計(jì)):
專門精制的直流多用表。與數(shù)字多用表相比,靜電計(jì)的特點(diǎn)是更高的輸入阻抗和更高的電流靈敏度。它還可能具有一般數(shù)字多用表所沒有的功能(例如,測(cè)量電荷、輸出電壓等)。
EMF(電動(dòng)勢(shì)):
電動(dòng)勢(shì)或者熱電勢(shì)。EMF通常用于由電磁、電化學(xué)或者熱電效應(yīng)產(chǎn)生的電壓差的情況。
Electrostatic Coupling(靜電耦合):
由導(dǎo)體附近變化或運(yùn)動(dòng)的電壓源產(chǎn)生電流的現(xiàn)象。
Error(誤差):
測(cè)量結(jié)果與其真值的偏差(差值或者比率)。真值由其本質(zhì)決定是不可能確定的。參見Random Error和Systematic Error。
Fall Time(下降時(shí)間):
信號(hào)從其峰-峰值的一個(gè)大的百分比(通常為90%)變到其峰-峰值的一個(gè)小的百分比(通常為10%)所需要的時(shí)間。參見Rise Time。
Faraday Cup(法拉第杯):
法拉第杯(有時(shí)又稱為法拉第籠或法拉第桶)是用金屬板或者金屬網(wǎng)制成的封閉設(shè)備。它由兩個(gè)電極組成,一個(gè)在另一個(gè)的內(nèi)部,由絕緣體分開。內(nèi)電極連到靜電計(jì), 外電極連到地。當(dāng)帶電物體放到內(nèi)電極里面的時(shí)候,所有的電荷就將流到測(cè)量?jī)x器。由于閉合、中空的導(dǎo)體中的電場(chǎng)為零,所以,法拉第杯就把放在其內(nèi)部的物體屏 蔽起來,不受大氣的或者任何寄生的電場(chǎng)的影響。這樣就能準(zhǔn)確地測(cè)量物體上的電荷。
Feedback Picoammeter(反饋式皮安計(jì)):
使用運(yùn)算放大器反饋結(jié)構(gòu)把輸入電流變換成電壓進(jìn)行測(cè)量的靈敏的安培計(jì)。
Floating(浮地):
在大地和感興趣的儀器或電路之間存在共模電壓的電路狀態(tài)。(電路低端不連到地電位)
Hall Effect(霍爾效應(yīng)):
當(dāng)導(dǎo)體放在磁場(chǎng)中時(shí),測(cè)量跨越該導(dǎo)體的橫向電壓。通過這種測(cè)量,可以確定硅中的載流子的類型、濃度和移動(dòng)性。
High Impedance Terminal(高阻抗端子):
源阻抗乘以期望的寄生電流(例如:1礎(chǔ))超過需要的電壓測(cè)量靈敏度的端子。
Input Bias Current(輸入偏置電流):
由于儀器內(nèi)部的電流和偏置電壓而在儀器輸入端流動(dòng)的電流。
Input Impedance(輸入阻抗):
在輸入端測(cè)量出的并聯(lián)的電阻和電容(或者電感),不包括輸入偏置或者偏置電流的影響。
Input Offset Current(輸入偏置電流):
為了使輸出指示值為零,而在差動(dòng)儀器的輸入測(cè)量端加入的兩個(gè)電流之差(輸入電壓和偏置電壓均為零)。有時(shí)非正式地用來代表輸入偏置電流。
Input Offset Voltage(輸入偏置電壓):
在經(jīng)過電阻通路加入偏置電流的情況下,為了使輸出指示值為零而在輸入測(cè)量端之間必須直接加入的電壓。
Input Resistance(輸入電阻):
輸入阻抗的電阻分量。
Nano-(納): 前綴,其意義為十億分之一。
Nanoelectronics(納米電子學(xué)):
納米尺度上的電子學(xué)。包括分子電子學(xué)和類似于當(dāng)今半導(dǎo)體器件的納米尺寸器件。
Nanotechnology(納米技術(shù)):
制作具有原子或分子尺寸精密度的器件。一般認(rèn)為最小尺寸小于100納米的器件為納米技術(shù)產(chǎn)品。納米(十億分之一米,即10-9米)是通常最適合描述單個(gè)分子的尺寸的單位。
Nanovoltmeter(納伏表):
最適合提供納伏靈敏度的電壓表(一般都采用低熱電動(dòng)勢(shì)的連接器、偏置補(bǔ)償?shù)龋?br />
Noise(噪聲): 疊加在有用信號(hào)上的任何不希望有的信號(hào)。
Normal-Mode Rejection Ratio(NMRR)(串模抑制比):
儀器抑制跨越其輸入端的干擾的能力。通常用一定頻率下的分貝數(shù)來表示,例如交流電源頻率下的分貝數(shù)。
Normal-Mode Voltage(串模電壓):
在儀器高、低輸入端之間所加的電壓。
使用運(yùn)算放大器反饋結(jié)構(gòu)把輸入電流變換成電壓進(jìn)行測(cè)量的靈敏的安培計(jì)。
Floating(浮地):
在大地和感興趣的儀器或電路之間存在共模電壓的電路狀態(tài)。(電路低端不連到地電位)
Hall Effect(霍爾效應(yīng)):
當(dāng)導(dǎo)體放在磁場(chǎng)中時(shí),測(cè)量跨越該導(dǎo)體的橫向電壓。通過這種測(cè)量,可以確定硅中的載流子的類型、濃度和移動(dòng)性。
High Impedance Terminal(高阻抗端子):
源阻抗乘以期望的寄生電流(例如:1礎(chǔ))超過需要的電壓測(cè)量靈敏度的端子。
Input Bias Current(輸入偏置電流):
由于儀器內(nèi)部的電流和偏置電壓而在儀器輸入端流動(dòng)的電流。
Input Impedance(輸入阻抗):
在輸入端測(cè)量出的并聯(lián)的電阻和電容(或者電感),不包括輸入偏置或者偏置電流的影響。
Input Offset Current(輸入偏置電流):
為了使輸出指示值為零,而在差動(dòng)儀器的輸入測(cè)量端加入的兩個(gè)電流之差(輸入電壓和偏置電壓均為零)。有時(shí)非正式地用來代表輸入偏置電流。
Input Offset Voltage(輸入偏置電壓):
在經(jīng)過電阻通路加入偏置電流的情況下,為了使輸出指示值為零而在輸入測(cè)量端之間必須直接加入的電壓。
Input Resistance(輸入電阻):
輸入阻抗的電阻分量。
Nano-(納): 前綴,其意義為十億分之一。
Nanoelectronics(納米電子學(xué)):
納米尺度上的電子學(xué)。包括分子電子學(xué)和類似于當(dāng)今半導(dǎo)體器件的納米尺寸器件。
Nanotechnology(納米技術(shù)):
制作具有原子或分子尺寸精密度的器件。一般認(rèn)為最小尺寸小于100納米的器件為納米技術(shù)產(chǎn)品。納米(十億分之一米,即10-9米)是通常最適合描述單個(gè)分子的尺寸的單位。
Nanovoltmeter(納伏表):
最適合提供納伏靈敏度的電壓表(一般都采用低熱電動(dòng)勢(shì)的連接器、偏置補(bǔ)償?shù)龋?br />
Noise(噪聲): 疊加在有用信號(hào)上的任何不希望有的信號(hào)。
Normal-Mode Rejection Ratio(NMRR)(串模抑制比):
儀器抑制跨越其輸入端的干擾的能力。通常用一定頻率下的分貝數(shù)來表示,例如交流電源頻率下的分貝數(shù)。
Normal-Mode Voltage(串模電壓):
在儀器高、低輸入端之間所加的電壓。
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