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手機(jī)儲(chǔ)存的未來:eMMC快速轉(zhuǎn)向UFS

作者: 時(shí)間:2017-04-21 來源:eettaiwan 收藏
編者按:隨著游戲與視訊應(yīng)用在行動(dòng)裝置上的普及,以及手機(jī)處理器性能的提升,eMMC的性能已經(jīng)不能滿足行動(dòng)裝置對于內(nèi)存讀寫性能的要求,新一代的通用閃存儲(chǔ)存(UFS)規(guī)格應(yīng)運(yùn)而生。

  隨著游戲與視訊應(yīng)用在行動(dòng)裝置上的普及,以及手機(jī)處理器性能的提升,的性能已經(jīng)不能滿足行動(dòng)裝置對于內(nèi)存讀寫性能的要求,新一代的通用閃存儲(chǔ)存()規(guī)格應(yīng)運(yùn)而生。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201704/358283.htm

  在高速數(shù)字接口中,并行總線越來越少。 原因很簡單,隨著系統(tǒng)頻率的提升,并行總線在板級(jí)建置時(shí)已經(jīng)遭遇到實(shí)體瓶頸,抖動(dòng)、串?dāng)_、訊號(hào)偏移、傳輸路徑不完美等因素,都將大幅降低并行總線持續(xù)建立時(shí)間窗口,從而限制系統(tǒng)帶寬的進(jìn)一步提升。

  在高速串行/解串器(Serdes)技術(shù)取得突破后,新式串行總線越來越流行,以USB和PCIe為代表的串行總線在板級(jí)以串行方式連接、在芯片內(nèi)部將數(shù)據(jù)譯碼成平行數(shù)據(jù),從而使得板級(jí)數(shù)據(jù)線路之間的關(guān)系去耦合,既大幅降低了板級(jí)布線難度,又突破了系統(tǒng)帶寬限制。 因此,新式串行總線正如火如荼地進(jìn)展,在個(gè)人計(jì)算機(jī)(不含工控與特殊用途計(jì)算機(jī))領(lǐng)域,PCIe接口已經(jīng)完全取代PCI接口,SATA接口也完全取代了PATA接口。

  不過,在手機(jī)儲(chǔ)存接口方面,嵌入式多媒體卡()規(guī)格的市占率仍然較高,原因之一是行動(dòng)裝置對于儲(chǔ)存性能的要求較個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)更低。 然而,隨著游戲與視訊應(yīng)用在行動(dòng)裝置上的普及,以及手機(jī)處理器性能的提升,的性能已經(jīng)不能滿足行動(dòng)裝置對于內(nèi)存讀寫性能的要求,新一代的通用閃存儲(chǔ)存()規(guī)格應(yīng)運(yùn)而生。

  的性能優(yōu)勢

  多媒體卡(MMC)標(biāo)準(zhǔn)于1997年問世,說來有趣,MMC最初的標(biāo)準(zhǔn)就是一根數(shù)據(jù)線,后來擴(kuò)展到8根數(shù)據(jù)線,eMMC標(biāo)準(zhǔn)則將閃存晶粒和控制器放入更緊密的球門陣列(BGA)封裝,以適應(yīng)行動(dòng)裝置對封裝尺寸的要求。 首批eMMC產(chǎn)品于2007年正式推向市場,到目前為止,JEDEC的最新標(biāo)準(zhǔn)為eMMC 5.1。

  如前所述,并行總線在速度增加到一定值時(shí)將無法滿足時(shí)序要求,eMMC標(biāo)準(zhǔn)單根數(shù)據(jù)線的極限速度為400Mbps左右,8位數(shù)據(jù)線標(biāo)準(zhǔn)eMMC接口一次傳輸峰值速度為400兆字節(jié)每秒(400MB/s)。 相形之下,UFS2.0單信道峰值速度為5.8Gpbs,現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)為雙信道,所以速度可達(dá)1,160MB/s,將近eMMC標(biāo)準(zhǔn)的3倍。

  圖1:e-MMC與UFS接口比較

  而且,由于eMMC是半雙工模式,主、從裝置之間數(shù)據(jù)不能同時(shí)互動(dòng),而UFS是全雙工模式,便于傳輸性能的提升。 所以采用UFS接口的系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)間更快,讀寫響應(yīng)也更迅速。 根據(jù)東芝(Toshiba)的數(shù)據(jù),在連續(xù)讀取、隨機(jī)讀取、連續(xù)寫入與隨機(jī)寫入等操作中,UFS 2.1產(chǎn)品基本能夠達(dá)到eMMC 5.1產(chǎn)品的1-3倍。 UFS新一代標(biāo)準(zhǔn)還將大幅提高讀寫性能,但eMMC性能再提升的空間并不大。

  UFS規(guī)格以先進(jìn)的Serdes技術(shù)為基礎(chǔ),其讀寫性能的大幅提升并未以大量增加功耗為代價(jià)。 由于UFS訊號(hào)電壓擺幅只有200毫伏(mV),而eMMC標(biāo)準(zhǔn)是1.8伏(V)或3.3V,因此兩種產(chǎn)品待機(jī)功耗相差無幾,而且從第三代到第五代,東芝的每一代UFS產(chǎn)品功耗水平都得到了提升。

  從eMMC轉(zhuǎn)向UFS接口

  從并行總線換到串行總線,減少了高速數(shù)據(jù)線的連接,簡化了硬件工程師的工作。

  以東芝的產(chǎn)品為例,UFS封裝與eMMC封裝一致,用戶可以選擇對應(yīng)的封裝直接取代。 相較于第三代UFS產(chǎn)品使用三電源供電,東芝的第四代與第五代UFS產(chǎn)品不必再使用1.2V電源,從而使內(nèi)存模塊的電源設(shè)計(jì)更簡單。

  圖2:第四代以后的UFS內(nèi)存只需要兩個(gè)電源

  在韌體層面,相較于eMMC產(chǎn)品,新一代的UFS產(chǎn)品已經(jīng)將除錯(cuò)、壞塊管理、損耗平衡以及垃圾回收等功能一并封裝,為用戶在閃存應(yīng)用開發(fā)上節(jié)省了大量的時(shí)間。

  為了方便用戶除錯(cuò),有些UFS產(chǎn)品還提供了板級(jí)除錯(cuò)接腳。 以東芝第5代UFS產(chǎn)品為例,用戶只需將2個(gè)除錯(cuò)接腳連接到PCB的除錯(cuò)工具接口即可,不需要額外增加電阻電容。 而當(dāng)出現(xiàn)問題時(shí),用戶只需利用除錯(cuò)工具透過這2個(gè)接腳連到UFS內(nèi)存上進(jìn)行除錯(cuò)。

  既然UFS較eMMC的性能更大幅提升,更換設(shè)計(jì)又不復(fù)雜,那么當(dāng)UFS產(chǎn)品成熟時(shí),產(chǎn)品替代進(jìn)程將非???。 根據(jù)東芝對市場的預(yù)測,2017年上半年的旗艦型手機(jī)將普遍采用UFS接口。 從2017年下半年開始,中階手機(jī)也將逐步改用UFS閃存,UFS接口在高階平板中的普及率也將過半。

  圖3:UFS市場前景

  從東芝UFS產(chǎn)品發(fā)展藍(lán)圖來看,UFS 2.0與2.1產(chǎn)品均已經(jīng)量產(chǎn),新一代UFS接口的研發(fā)也緊鑼密鼓,預(yù)期UFS市場的成長曲線將非常陡峭,eMMC在行動(dòng)裝置領(lǐng)域的歷史使命已經(jīng)完成,UFS的時(shí)代即將來臨。



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