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意法半導(dǎo)體新款的MDmesh MOSFET內(nèi)置快速恢復(fù)二極管,提升高能效轉(zhuǎn)換器的功率密度

作者: 時間:2017-05-22 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  推出最新的MDmesh? Dk5功率MOSFET管,內(nèi)部增加一個快速恢復(fù)的甚高壓(VHV)超結(jié)晶體管,這樣結(jié)構(gòu)有助于設(shè)計人員最大限度提升各種功率轉(zhuǎn)換拓撲的能效,包括零壓開關(guān)(ZVS)LLC諧振轉(zhuǎn)換器。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201705/359502.htm

  作為超結(jié)MOSFET管,新產(chǎn)品額定電壓范圍950V至1050V,開關(guān)性能、導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和硅單位面積流過的額定電流等技術(shù)參數(shù)均優(yōu)于平面結(jié)構(gòu)的普通MOSFET晶體管。在大功率設(shè)備用功率轉(zhuǎn)換器內(nèi),例如高總線電壓的電信服務(wù)器或數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、工業(yè)電焊機、等離子發(fā)電機、高頻感應(yīng)式加熱器和X射線機內(nèi),的新產(chǎn)品讓設(shè)計人員能夠提升應(yīng)用能效,減少并聯(lián)器件數(shù)量,從而提高功率密度。

  內(nèi)部快速恢復(fù)體讓新產(chǎn)品能夠提升零壓開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器的能效,滿足應(yīng)用對寬壓輸入和高能效的要求。其它類型的橋式轉(zhuǎn)換器以及電池充電升壓DC/DC轉(zhuǎn)換器也將受益于新產(chǎn)品的低損耗和高動態(tài)性能。與市面現(xiàn)有的內(nèi)置快速恢復(fù)的甚高壓MOSFET相比,DK5產(chǎn)品兼?zhèn)渥疃痰姆聪蚧謴?fù)時間(trr)、最低的MOSFET柵電荷量(Qg)和導(dǎo)通電阻RDS(ON),以及超結(jié)產(chǎn)品中良好的輸出輸入電容(Coss, Ciss)。

  DK5系列產(chǎn)品擴大了意法半導(dǎo)體的甚高壓超結(jié)晶體管產(chǎn)品陣容,覆蓋800V至1500V電壓范圍,新增六款TO-247、TO-247長腳、Max247和ISOTOP功率封裝產(chǎn)品。STWA40N95DK5、STY50N105DK5和STW40N95DK5已經(jīng)開始量產(chǎn)。

  產(chǎn)品詳情訪問www.st.com/mdmeshdk5

 

 



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