新型低頻超聲透皮儀設(shè)計方案

經(jīng)皮給藥系統(tǒng)在醫(yī)療領(lǐng)域已成為一種新興和重要的手段。經(jīng)皮給藥是藥物通過皮膚并經(jīng)毛細血管吸收進入體循環(huán)產(chǎn)生藥效的一種方法，它可避免肝臟的首過效應(yīng)，延長半衰期較短藥物的治療效果，能較長時間維持恒定的速率給藥等，因此正受到廣泛的關(guān)注。實際上早在1954年Fellinger。和Schmidt就通過超聲導(dǎo)入氫化可的松藥膏成功地治療了手指多發(fā)性關(guān)節(jié)炎。最初對超聲增透效應(yīng)的研究開始于中頻治療用超聲(0．7～3．0 MHz)，但后來發(fā)現(xiàn)低頻超聲的增透效應(yīng)最好。研究表明不同頻率和強度超聲波對機體的作用是不同的，其次，溫度對于經(jīng)皮給藥也有一定的影響，如一定的溫度可以提高滲透率，但太高的溫度會引起皮膚的燙傷，因為超聲也有熱效應(yīng)；因此，如何把各個因素綜合考慮以達到既保證較高的滲透率又避免對人體產(chǎn)生灼傷及生理機能的損傷是研究的難點之一。

單片機作為智能控制芯片，在電子信息、自動控制的各個領(lǐng)域發(fā)揮著極其重要的作用。醫(yī)療儀器的設(shè)計和研制也越來越多應(yīng)用單片機技術(shù)，使其朝著智能化，小型化方向發(fā)展。綜合考慮各種因素，在此介紹了一種采用高性能單片機C8051F340作為核心控制芯片的輸頻率、強度等可調(diào)，可控恒溫的低頻超聲波促透皮系統(tǒng)。

1 硬件設(shè)計

該系統(tǒng)包括：溫度測控模塊、功率超聲發(fā)生器、恒溫控制模塊、過流保護模塊、顯示模塊和掉電存儲模塊。總體結(jié)構(gòu)如圖1所示。

系統(tǒng)各部分的工作是由高性能單片機C8051F340來進行控制協(xié)調(diào)的。它是整個系統(tǒng)的核心。C8051F340單片機是集成在一塊芯片上的混合系統(tǒng)級單片機。具有與8051指令集完全兼容的CIP-51內(nèi)核，采用了流水線指令結(jié)構(gòu)，其運行速度最高可達48 MIPS，與標準的8051相比，在相同時鐘下單周期指令運行速度為原來的12倍。并且，它在一個芯片內(nèi)集成了構(gòu)成一個單片機數(shù)據(jù)采集或控制系統(tǒng)所需要的功能部件；模擬多路選擇器、可編程增益放大器、ADC、電壓比較器、電壓基準、溫度傳感器、SMBus／I2C、UART、SPI、USB可編程計數(shù)器／定時器陣列(PCA)、定時器、I／O端口、內(nèi)部振蕩器、看門狗定時器及電源監(jiān)視器等幾乎所有模擬和數(shù)字外設(shè)及其他功能部件。通過對C8051F340的編程，可以實現(xiàn)多種功能。

該系統(tǒng)利用鍵盤輸入電路獲得操作人員對各部分工作條件的要求，根據(jù)這些要求對加熱絲以及超聲發(fā)射進行設(shè)置，同時在每次測控過程中將各部分的溫度值送LCD 進行顯示，并進行越限判斷，在溫度越限時啟動報警電路發(fā)出報警。對溫度的控制采用調(diào)功方式控制電爐絲加熱使得實驗過程中保持溫度恒定，包括溫度的讀取、溫度值的處理及輸出信號驅(qū)動負載。

1．1 溫度測控模塊

該系統(tǒng)溫度傳感器采用PT100鉑電阻溫度傳感器，它具有線性度好，測量范圍寬，靈敏度高，無需參考點等優(yōu)點。利用鉑電阻的溫度電阻特性，將溫度信號直接轉(zhuǎn)化為電信號。然后經(jīng)過前置放大后送入到單片機內(nèi)12位開關(guān)電容逐次逼近型A／D轉(zhuǎn)化器，完成模／數(shù)轉(zhuǎn)換。在電子測量系統(tǒng)中，需要檢測大量的電量或非電量信息，而且檢測的電信號又非常的微弱，極易受到干擾。因此，對前置級獲取信號的放大，提出如下要求：高輸入阻抗、高共模抑制比、低漂移、低噪聲、低輸出電阻等參數(shù)要求。基于以上原則前置放大器選用美國BURR-BROWN公司生產(chǎn)的低電壓通用型雙通道儀表放大器INA2128，它除了滿足以上要求外，并可用一個外部電阻方便地從1～100 000設(shè)定增益，使得INA2128能夠廣泛應(yīng)用于信號采集放大。醫(yī)用儀器及多通道系統(tǒng)等很多領(lǐng)域，可以在低至的+2．25 V電源電壓下工作，并且靜態(tài)工作電流很少。它與Pt100構(gòu)成的溫度檢測和前置放大如圖2所示。

INA2128內(nèi)部是由過壓保護電路和三運放組成的性能優(yōu)越的測量放大器；A1和A2組成雙端輸入／雙端輸出的差動放大器，由于信號從兩個同相端輸入，使輸入阻抗高大10 MΩ以上。第二級又采用差動輸入，在運放參數(shù)和R5嚴格對稱時，電路具有很高的共模抑制能力和低溫漂。

上式表明：該電路可以通過調(diào)節(jié)RG進行增益的控制。

1．2 超聲波產(chǎn)生控制模塊

超聲波產(chǎn)生模塊主要是由PWM驅(qū)動電路、半橋式逆變電路和阻抗匹配電路三部分組成。電路的作用是將直流電流變成超生波振蕩電流，并通過阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)激勵換能器產(chǎn)生相同頻率的彈性振動。該系統(tǒng)中驅(qū)動電路采用芯片IR2112來實現(xiàn)。IR2112是IR公司生產(chǎn)的大功率MOSFET、和IGBT專用集成驅(qū)動電路。該芯片具有兩個獨立的高低端通道，其中高端通道可采用自舉電路，最高可承受500 V電壓。兩通道輸出的電壓范圍為10～20 V，IR2112邏輯電源和功率電源即可以相互獨立也可以共用一個電源。其工作頻率最高可達500 kHz，關(guān)斷和延遲時間很短。IR2112輸出采用圖騰柱結(jié)構(gòu)，最大輸出電流可達2 A。

如圖3所示，用功率MOSFET構(gòu)成PWM逆變器，用單片機作為信號源，產(chǎn)生頻率為20～38 kHz的方波、2．5～3 W／cm2的功率；阻抗匹配使超聲電源向換能器負載實現(xiàn)最大功率傳輸。圖3中VD1，C1為自舉二極管和自舉電容，VD1必須使用與功率開關(guān)管相同耐壓等級的快恢復(fù)二極管，自舉電容設(shè)計也至關(guān)重要，C1的耐壓比功率器件充分導(dǎo)通時所需的驅(qū)動電壓(典型值為10 V)高。若在C1的充電路徑上有1．5 V的壓降，且假定有一半的柵壓因泄露而降低，則自舉電容C1可按式(4)來選?。?

式中：Qg為MOSFET的門極電荷。

工程應(yīng)用上一般取C1>2Qg／(VCC-10-1．5)，且應(yīng)選取容量穩(wěn)定，耐脈沖電流的無感電容。

而控制電路主要由單片機系統(tǒng)和驅(qū)動電路組成。單片機系統(tǒng)通過自身的PWM驅(qū)動電路產(chǎn)生頻率為28 kHz的方波，并將該信號送入IR2112驅(qū)動電路進行隔離放大后推動功率MOSFET工作。用半橋式逆變開關(guān)電路作為超聲波發(fā)生器的功放電路，MOSFET1、MOSFET2輪流導(dǎo)通，在變壓器的副邊可以得到一個交變的激勵信號，從而實現(xiàn)逆變的功能。而由R3，C4，D1構(gòu)成的吸收電路，吸收了功率開關(guān)引入的尖峰脈沖，保護功率開關(guān)管。

阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計目的是經(jīng)過半橋逆變得到的功率最大限度的轉(zhuǎn)化為超聲波換能器的能量和確保電路工作穩(wěn)定。同時為了防止系統(tǒng)發(fā)生故障時對人體造成危害和損壞功率MOSFET器件，在系統(tǒng)中加入了過流保護電路。

2 軟件設(shè)計

程序設(shè)計采用基于C語言的模塊化程序設(shè)計的方案，具有可維護性高、升級方便。整個程序分為：主程序、溫度閉環(huán)控制程序(PID)、PWM產(chǎn)生程序、鍵盤及LCD顯示程序、E2PROM讀寫程序，軟件流程圖如圖4所示。

主要程序包括：數(shù)據(jù)處理，采樣溫度數(shù)據(jù)，并進行上下限報警和處理；PID計算，對偏差進行PID算法處理，并輸出控制脈沖信號，脈沖寬度由T0定時器決定；晶閘管導(dǎo)通控制，利用PID計算得出的控制脈沖信號來控制晶閘管的通斷比，從而實現(xiàn)對溫度的恒溫控制；液晶的顯示和鍵盤掃描和處理程序。

3 結(jié) 語

低頻超聲給藥的諸優(yōu)點，已成為經(jīng)皮給藥的一種極具潛力的方式。該系統(tǒng)通過控制溫度、頻率和強度等多種因素來促進經(jīng)皮給藥的滲透性。同時，與單片機結(jié)合組成的嵌入式系統(tǒng)使醫(yī)療儀器智能化、多功能化、小型化。并且，這里介紹的基于高性能單片機C8051F340的透皮給藥系統(tǒng)還可實現(xiàn)過流保護、恒溫閉環(huán)控制、工作模式可選、輸出全調(diào)、LCD動態(tài)顯示、掉電保護等功能。整個系統(tǒng)在醫(yī)學(xué)實踐和實驗室標測中均表現(xiàn)出顯著的效果和極好的實測值。