新技術(shù)望帶來計(jì)算機(jī)高速磁內(nèi)存

　　磁存儲(chǔ)是已被使用數(shù)十年的存儲(chǔ)技術(shù)，但它的一個(gè)問題是速度較低。瑞士研究人員報(bào)告說，找到了極大提高磁存儲(chǔ)速度的方法，有望讓計(jì)算機(jī)在不久的將來用上高速的磁內(nèi)存，從而大大減少計(jì)算機(jī)啟動(dòng)時(shí)間。

　　據(jù)新華社9月11日消息，自從國(guó)際商用機(jī)器公司(IBM)于1956年推出第一個(gè)磁盤存儲(chǔ)器以來，磁存儲(chǔ)器因其長(zhǎng)壽命和低成本的優(yōu)勢(shì)，一直被用來存儲(chǔ)信息，比如作為計(jì)算機(jī)的硬盤。傳統(tǒng)磁存儲(chǔ)器通過帶電線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)變化來改變存儲(chǔ)介質(zhì)的磁性，從而實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)信息，但其速度跟不上越來越快的計(jì)算機(jī)處理器，難以用作對(duì)速度要求高的內(nèi)存。

　　瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工大學(xué)材料系教授彼得羅·甘巴爾代拉領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)在新一期英國(guó)《自然·納米技術(shù)》雜志上發(fā)表報(bào)告說，利用被稱為“自旋軌道轉(zhuǎn)矩”的物理現(xiàn)象，可以不用通電線圈，僅用通電的特殊半導(dǎo)體薄膜材料就能改變存儲(chǔ)介質(zhì)的磁性，從而實(shí)現(xiàn)磁存儲(chǔ)。

　　該團(tuán)隊(duì)用新方法改變了一個(gè)直徑約500納米的鈷金屬點(diǎn)的磁性，發(fā)現(xiàn)在給其附近的導(dǎo)線通電后，在不到1納秒的時(shí)間內(nèi)，鈷金屬點(diǎn)的磁性就發(fā)生了改變。并且鈷金屬點(diǎn)可如此反復(fù)經(jīng)歷上萬億次的磁性變化，說明它可成為高速且耐用的存儲(chǔ)介質(zhì)。與傳統(tǒng)線圈方式的磁存儲(chǔ)器相比，新方法不僅速度快，還不會(huì)因?yàn)榫€圈的電阻而消耗能量，能效更高。

　　研究人員說，這一新技術(shù)有望讓計(jì)算機(jī)的內(nèi)存用上磁存儲(chǔ)器。目前許多計(jì)算機(jī)的內(nèi)存采用電存儲(chǔ)器，關(guān)機(jī)斷電后內(nèi)存中的信息就會(huì)被清空，因此重新開機(jī)時(shí)需要較長(zhǎng)時(shí)間。而磁存儲(chǔ)可以在斷電后仍然保留數(shù)據(jù)，因此如果計(jì)算機(jī)用上磁內(nèi)存，有望大大減少開機(jī)啟動(dòng)的時(shí)間。