詳解mos管原理及幾種常見失效分析

　　mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。mos管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

　　mos管—工作原理

　　mos管的工作原理（以N溝道增強型mos場效應管）它是利用VGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內(nèi)被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

　　mos管—N型/P型

　　mosFET可以分成增強型和耗盡型，每一種又可以分成N溝道和P溝道。

　　不過現(xiàn)實中，耗盡型的類型很少，而P溝道也比較少，最多的就是N溝道增強型mosFET，也就是增強型N-mosFET。

　　大部分mos管的外觀極其類似，常見的封裝種類有TO252，TO220，TO92，TO3，TO247等等，但具體的型號有成千上萬種，因此光從外觀是無法區(qū)分的。對于不熟悉型號，經(jīng)驗又比較少的人來說，比較好的方法就是查器件的datasheet（pdf格式，一般是英文），里面會詳細告訴你，它的類型和具體參數(shù)，這些參數(shù)對于你設計電路極有用。

　　我們區(qū)分類型，一般就是看型號，比如IRF530，IRF540，IRF3205，IRPF250等這些都是很常見的增強型N-mosFET，而對應的IRF9530，IRF9540就是增強型P-mosFET，耗盡型的兩種，我至今還沒在實際電路中看到過具體的器件。

　　結型管（J-FET）與mosFET并不互相包含，反而是并列關系，這兩種是場效應管的兩種類型，而JFET也可以分成N-JFET和P-JFET兩種，像2SK117，2SK596都是常見的N-JFET型號，不過P-JFET的具體型號我還沒見過，一般都融入了集成電路設計（IC設計）中。　　

　　無論N型或者P型mos管，其工作原理本質(zhì)是一樣的。mos管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。mos管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發(fā)生像三極管做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應，因此在開關應用中，mos管的開關速度應該比三極管快。

　　Nmos的特性：Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到一定電壓（如4V或10V， 其他電壓，看手冊）就可以了。

　　Pmos的特性：Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅動）。但是，雖然Pmos可以很方便地用作高端驅動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用Nmos。

　　mos管—失效的6大原因

　　mos管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

　　目前在市場應用方面，排名第一的是消費類電子電源適配器產(chǎn)品。而mos管的應用領域排名第二的是計算機主板、NB、計算機類適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品，隨著國情的發(fā)展計算機主板、計算機類適配器、LCD顯示器對mos管的需求有要超過消費類電子電源適配器的現(xiàn)象了。

　　第三的就屬網(wǎng)絡通信、工業(yè)控制、汽車電子以及電力設備領域了，這些產(chǎn)品對于mos管的需求也是很大的，特別是現(xiàn)在汽車電子對于mos管的需求直追消費類電子了。

　　下面對mos失效的原因總結以下六點，然后對1，2重點進行分析：

　　1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過mosFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致mosFET失效。

　　2：SOA失效（電流失效），既超出mosFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。

　　3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結構中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。

　　4：諧振失效：在并聯(lián)使用的過程中，柵極及電路寄生參數(shù)導致震蕩引起的失效。

　　5：靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設備靜電而導致的器件失效。

　　6：柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效。

　　雪崩失效分析（電壓失效）

　　到底什么是雪崩失效呢，簡單來說mosFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在mosFET漏源之間，導致的一種失效模式。簡而言之就是由于就是mosFET漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達到一定的能量限度而導致的一種常見的失效模式。

　　下面的圖片為雪崩測試的等效原理圖，做為電源工程師可以簡單了解下。

　　可能我們經(jīng)常要求器件生產(chǎn)廠家對我們電源板上的mosFET進行失效分析，大多數(shù)廠家都僅僅給一個EAS.EOS之類的結論，那么到底我們怎么區(qū)分是否是雪崩失效呢，下面是一張經(jīng)過雪崩測試失效的器件圖，我們可以進行對比從而確定是否是雪崩失效。

　　雪崩失效的預防措施

　　雪崩失效歸根結底是電壓失效，因此預防我們著重從電壓來考慮。具體可以參考以下的方式來處理。

　　1：合理降額使用，目前行業(yè)內(nèi)的降額一般選取80%-95%的降額，具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關注點進行選取。

　　2：合理的變壓器反射電壓。

　　3：合理的RCD及TVS吸收電路設計。

　　4：大電流布線盡量采用粗、短的布局結構，盡量減少布線寄生電感。

　　5：選擇合理的柵極電阻Rg。

　　6：在大功率電源中，可以根據(jù)需要適當?shù)募尤隦C減震或齊納二極管進行吸收。

　　SOA失效（電流失效）

　　再簡單說下第二點，SOA失效

　　SOA失效是指電源在運行時異常的大電流和電壓同時疊加在mosFET上面，造成瞬時局部發(fā)熱而導致的破壞模式?；蛘呤切酒c散熱器及封裝不能及時達到熱平衡導致熱積累，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過氧化層限制而導致的熱擊穿模式。

　　關于SOA各個線的參數(shù)限定值可以參考下面圖片。

　　1：受限于最大額定電流及脈沖電流

　　2：受限于最大節(jié)溫下的RDSON。

　　3：受限于器件最大的耗散功率。

　　4：受限于最大單個脈沖電流。

　　5：擊穿電壓BVDSS限制區(qū)

　　我們電源上的mosFET，只要保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內(nèi)，就能有效的規(guī)避由于mosFET而導致的電源失效問題的產(chǎn)生。

　　這個是一個非典型的SOA導致失效的一個解刨圖，由于去過鋁，可能看起來不那么直接，參考下。

　　SOA失效的預防措施：

　　1：確保在最差條件下，mosFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內(nèi)。

　　2：將OCP功能一定要做精確細致。

　　在進行OCP點設計時，一般可能會取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多，然后就根據(jù)IC的保護電壓比如0.7V開始調(diào)試RSENSE電阻。有些有經(jīng)驗的人會將檢測延遲時間、CISS對OCP實際的影響考慮在內(nèi)。但是此時有個更值得關注的參數(shù)，那就是mosFET的Td（off）。它到底有什么影響呢，我們看下面FLYBACK電流波形圖（圖形不是太清楚，十分抱歉，建議雙擊放大觀看）。

　　從圖中可以看出，電流波形在快到電流尖峰時，有個下跌，這個下跌點后又有一段的上升時間，這段時間其本質(zhì)就是IC在檢測到過流信號執(zhí)行關斷后，mosFET本身也開始執(zhí)行關斷，但是由于器件本身的關斷延遲，因此電流會有個二次上升平臺，如果二次上升平臺過大，那么在變壓器余量設計不足時，就極有可能產(chǎn)生磁飽和的一個電流沖擊或者電流超器件規(guī)格的一個失效。

　　3：合理的熱設計余量，這個就不多說了，各個企業(yè)都有自己的降額規(guī)范，嚴格執(zhí)行就可以了，不行就加散熱器。