面向激光雷達應用并采用EPC氮化鎵（eGaN）技術的150安培開發(fā)板可以驅動5 納秒脈寬的脈沖電流

　　宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出全新的100 V、150 A大電流脈沖激光二極管的驅動演示電路板(EPC9126HC)。面向全自動汽車應用的激光雷達系統(tǒng)需要制作三維地圖，因此，偵測四周的目標物件的速度及準確性變得非常重要。從EPC9126HC演示電路板可以看到，與等效MOSFET相比，具備快速轉換特性的氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)所提供的脈沖功率可以快十倍的速度驅動激光二極管，從而提升激光雷達系統(tǒng)的整體性能。

　　EPC9126HC開發(fā)板主要驅動激光二極管，備有參考接地的氮化鎵場效應晶體管(EPC2001C)。該晶體管由德州儀器公司的UCC27611柵極驅動器驅動。EPC2001C的最高電壓為100 V，可驅動高達150 A脈沖電流。EPC9126HC開發(fā)板給高功率triple-junction激光二極管的驅動電流高達75 A，其脈寬可以低至5 ns。

　　開發(fā)板為裝貼激光二極管所需，提供多個可選并具備超低電感的連接，以及可利用電容器放電(裝運時配備)，或由電源總線直接驅動二極管。開發(fā)板并沒有包含激光二極管，它需要由使用者提供，從而對不同的應用進行針對性的評估。

　　PCB的設計是把功率環(huán)路電感減至最小而同時保持裝貼激光二極管的靈活性。板上備有多個無源探頭(passive probe),可測量電壓及放電電容器的電流，以及備有為50 Ω測量系統(tǒng)而設的輸入及傳感器的SMA連接器。此外，使用者可使用可選的高精度窄脈沖發(fā)生器。

　　最后，EPC9126HC可以在其它采用參考接地的eGaN FET的應用中發(fā)揮其效能，例如Class E或其它相同的電路。