潘健成:明年3D NAND進入96層 群聯(lián)準備好了
今年全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)成功轉(zhuǎn)換至64/72層3D NAND規(guī)格,隨著制程轉(zhuǎn)換完成,全球缺貨問題也逐漸紓解,群聯(lián)董事長潘健成指出,2018年底將進入96層的3D NAND技術(shù)世代,帶動單一芯片的容量提升至256Gb/512Gb,SSD控制芯片技術(shù)也全面提升至新層次,群聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)準備好了,呈現(xiàn)蓄勢待發(fā)的姿態(tài)!
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201712/372588.htm今年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到技術(shù)轉(zhuǎn)換不順、數(shù)據(jù)中心對于儲存容量需求快速攀升之故,導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)供需失衡,芯片價格一直高居不下,但這樣的狀況停留太久后,導(dǎo)致終端產(chǎn)品的需求被抑制,并非健康的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)象。
潘健成指出,NAND Flash產(chǎn)業(yè)的供需狀況在近兩季已經(jīng)逐漸地趨于平衡,可望帶動2018年上半的固態(tài)硬盤(SSD)主流規(guī)格容量進一步提升,由于受困芯片價格高居不下,SSD主流規(guī)格一直停留在128GB,預(yù)計未來可進一步地往上攀升。
業(yè)界也認為,樂見NAND Flash供需舒緩之后,讓昂貴的SSD價格恢復(fù)合理水位,可以帶動買氣增溫,一方面活絡(luò)市場,另一方面為更高儲存容量的產(chǎn)品鋪路,整個NAND Flash產(chǎn)業(yè)逐漸轉(zhuǎn)為正向循環(huán),刺激產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展。
潘健成點出2018年3D NAND產(chǎn)業(yè)的另一個趨勢,即是2018年底將進入96層的3D NAND技術(shù)世代,隨著技術(shù)層次的提升,也帶動單一芯片容量拉高至256Gb/512Gb,同時,SSD控制芯片技術(shù)也必須全面?zhèn)鋺?zhàn)!
潘健成進一步分析,群聯(lián)的SSD控制芯片的技術(shù)藍圖是亦步亦趨緊貼著NAND Flash技術(shù)制程的演進,所有2018年相關(guān)的新產(chǎn)品現(xiàn)在都已經(jīng)準備就緒,包括有核心處理優(yōu)化器、糾錯能力技術(shù)升級版、多通道高速架構(gòu),以及減輕電流的低功耗設(shè)計等,當(dāng)然不可或缺的是更高容量的儲存技術(shù)規(guī)劃。
高容量的NAND Flash儲存技術(shù),對于電競筆記型電腦玩家是必備的需求。在該市場領(lǐng)域上,大陸是重點競賽區(qū),群聯(lián)在大陸市場與影馳科技(GALAXY Microsystems)形成策略聯(lián)盟,影馳跨入電競賽事的經(jīng)營時間已長達9年,也感受到電競筆電玩家對于SSD高效需求的不斷提升,而講到效能的議題,SSD控制芯片扮演關(guān)鍵角色!
群聯(lián)的PS3112/PS5012系列的高端SSD控制芯片產(chǎn)品線,也選擇在電競賽事“2017年第九屆影馳電競嘉年華”中正式亮相。
2017年的“第九屆影馳電競嘉年華”是在武漢光谷盛大舉行,吸引超過千名的玩家共聚,直播賽事更是吸引大陸廣大網(wǎng)友玩家。
在該會中,潘健成董事長談及NAND Flash產(chǎn)業(yè)的技術(shù)發(fā)展藍圖時分析,群聯(lián)會有PS3112和PS5012系列的產(chǎn)品在下季正式亮相,會是全球速度最快、容量最大的消費性SSD控制單芯片,特色包含符合SATA規(guī)格的PS3112-S12,以及符合PCI-e G3x4規(guī)格的PS5012-E12,這兩項新產(chǎn)品預(yù)計都會在2018年的第1季開始銷售,配合3D NAND芯片,最大容量可高達8TB,完全是為電競玩家對于高容量存儲器而量身定制。
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